一种改善半导体器件可靠性的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改善半导体器件可靠性的结构，该半导体器件具有金属线层，该金属线层的表面覆盖保护层；金属线层侧壁与保护层之间具有能够提高金属线层与保护层之粘附性的粘附层。它具有如下优点：金属线层侧壁和保护层之间具有较好的黏附性及结合紧密性，改善半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种改善半导体器件可靠性的结构
本技术涉及一种改善半导体器件可靠性的结构。
技术介绍
化合物半导体,如砷化镓常会遇到可靠性验证失效的问题,尤其在高温高湿及带电压的测试环境下。砷化镓等半导体器件具有金属线层，金属线层100的表面覆盖有保护层102，现行制程会沉积粘附层103(如金属钛Ti)在金属线层(如金属金Au)与保护层(如氮化硅SiN)之间以增进金属金和保护层氮化硅之粘附性,但目前仅能沉积钛在金属线层100上半部,侧壁并无沉积金属钛,而侧壁的面积较顶壁面积大得多，为保护层氮化硅附着的较大区域,故更需沉积金属钛,以增进保护层氮化硅在侧壁金属金上的附着性。如果金属金和保护层氮化硅之间没有结合好,在高温高湿测试时,水气容易渗透进金属和保护层间,而造成可靠性失效。
技术实现思路
本技术提供了一种改善半导体器件可靠性的结构，其克服了
技术介绍
中所述的现有技术的不足。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善半导体器件可靠性的结构，该半导体器件具有金属线层，该金属线层的表面覆盖有保护层；其特征在于：该金属线层的侧壁与该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善半导体器件可靠性的结构，该半导体器件具有金属线层，该金属线层的表面覆盖有保护层；其特征在于：该金属线层的侧壁与该保护层之间具有能够提高金属线层与保护层之粘附性的粘附层。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善半导体器件可靠性的结构，该半导体器件具有金属线层，该金属线层的表面覆盖有保护层；其特征在于：该金属线层的侧壁与该保护层之间具有能够提高金属线层与保护层之粘附性的粘附层。


2.根据权利要求1所述的一种改善半导体器件可靠性的结构，其特征在于：该金属线层为金层，该保护层为氮化硅层，该粘附层为钛层。


3.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文必，郭佳衢，魏鸿基，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35