形成集成组合件的方法技术

本申请涉及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。在构造之上形成导电块。所述导电块中的每个导电块位于包含一对存储元件接触区域和一个数位线接触区域的组之上。所述导电块中的每个导电块被第一绝缘材料完全侧向包围。移除所述导电块的中心区域，以将所述导电块中的每个导电块分成位于所述存储元件接触区域中的一个存储元件接触区域之上的第一导电部分和位于所述存储元件接触区域中的另一个存储元件接触区域之上的第二导电部分。在所述第一导电部分与所述第二导电部分之间形成第二绝缘材料。将数位线与所述数位线接触区域耦合，并且将存储元件与所述存储元件接触区域耦合。

【技术实现步骤摘要】
形成集成组合件的方法
本专利技术涉及形成集成组合件的方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路系统并且在计算机系统中用于存储数据。示例存储器是DRAM(动态随机存取存储器)。DRAM单元可以各自包括晶体管与电容器的组合。DRAM单元可以布置成阵列；其中字线沿阵列的行延伸，并且其中数位线沿阵列的列延伸。字线可以与存储器单元的晶体管耦合。可以通过字线之一与数位线之一的组合对每个存储器单元进行唯一寻址。集成电路制造的持续目标是实现愈来愈高的集成水平，并且相关目标是将电路组件封装成愈加紧密的布置。使用常规制造工艺实现更紧密的存储器封装配置变得日益困难。因此，期望开发新的制造工艺。
技术实现思路
根据本申请的一方面，提供了一种形成集成组合件的方法。所述方法包括：提供具有有源区域柱的构造；所述有源区域柱中的每个有源区域柱具有细分为三个接触区域的上部部分；所述三个接触区域为两个存储元件接触区域和一个数位线接触区域；在所述构造之上形成导电块；所述导电块中的每个导电块位于由所述接触区域中的三个接触区域构成的组之上；每组包含一对所述存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成集成组合件的方法，其包括：/n提供具有有源区域柱的构造；所述有源区域柱中的每个有源区域柱具有细分为三个接触区域的上部部分；所述三个接触区域为两个存储元件接触区域和一个数位线接触区域；/n在所述构造之上形成导电块；所述导电块中的每个导电块位于由所述接触区域中的三个接触区域构成的组之上；每组包含一对所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域中位于所述一对所述存储元件接触区域之间的一个数位线接触区域；所述接触区域中属于每组的所述三个接触区域与彼此相对不同的有源区域柱相关联；所述导电块中的每个导电块被第一绝缘材料完全侧向包围；/n移除所述导电块的中心区域，以将所述导电块中的每个导电块分成位于...

【技术特征摘要】
20190306 US 16/294,7921.一种形成集成组合件的方法，其包括：
提供具有有源区域柱的构造；所述有源区域柱中的每个有源区域柱具有细分为三个接触区域的上部部分；所述三个接触区域为两个存储元件接触区域和一个数位线接触区域；
在所述构造之上形成导电块；所述导电块中的每个导电块位于由所述接触区域中的三个接触区域构成的组之上；每组包含一对所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域中位于所述一对所述存储元件接触区域之间的一个数位线接触区域；所述接触区域中属于每组的所述三个接触区域与彼此相对不同的有源区域柱相关联；所述导电块中的每个导电块被第一绝缘材料完全侧向包围；
移除所述导电块的中心区域，以将所述导电块中的每个导电块分成位于所述存储元件接触区域中的一个存储元件接触区域之上的第一导电部分和位于所述存储元件接触区域中的另一个存储元件接触区域之上的第二导电部分；
在所述第一导电部分与所述第二导电部分之间形成第二绝缘材料；
形成延伸穿过所述第二绝缘材料以与所述数位线接触区域耦合的数位线互连件；
形成与所述数位线互连件耦合的数位线；以及
形成通过所述第一导电部分和所述第二导电部分与存储元件接触区域耦合的存储元件。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储元件是电容器。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘材料包括氮化硅。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘材料包括二氧化硅。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电块包括导电掺杂的半导体材料。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电块包括n型硅。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电块包括含金属材料。


8.一种形成集成组合件的方法，其包括：
提供具有有源区域柱的构造；所述有源区域柱中的每个有源区域柱具有细分为三个接触区域的上部部分；所述三个接触区域为两个存储元件接触区域和一个数位线接触区域；
在所述构造之上形成沿第一方向延伸的第一轨道；所述第一轨道被中间间隙彼此间隔开；所述第一轨道包括第一绝缘材料；
在所述中间间隙内形成与所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域耦合的导电材料；所述导电材料形成第二轨道，所述第二轨道沿与所述第一方向正交的第二方向与所述第一轨道交替；
使所述第二轨道图案化成间隔开的导电块；所述导电块中的每个导电块位于由所述接触区域中的三个接触区域构成的组之上；每组包含一对所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域中位于所述一对所述存储元件接触区域之间的一个数位线接触区域；所述导电块中的每个导电块具有第一端部区域、第二端部区域和位于所述第一端部区域与所述第二端部区域之间的中心区域；
在所述间隔开的导电块之间的空间中形成第二绝缘材料；
使用第三绝缘材料代替所述导电块的所述中心区域；
形成延伸穿过所述第三绝缘材料以与所述数位线接触区域耦合的数位线互连件；
形成沿所述第二方向延伸并且与所述数位线互连件耦合的数位线；以及
将存储元件与所述导电块中的每个导电块的所述第一端部区域和所述第二端部区域耦合。


9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料是彼此相同的组合物。


10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料包括氮化硅。


11.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电材料包括导电掺杂的半导体材料。


12.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电材料包括n型硅。


13.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电材料包括含金属材料。


14.一种形成集成组合件的方法，其包括：
提供具有从基底向上延伸的有源区域柱的构造；
形成字线，所述字线穿过所述有源区域柱并且将所述有源区域柱中的每个有源区域柱的上部部分细分为三个接触区域；所述三个接触区域包含两个存储元件接触区域和一个数位线接触区域；所述字线沿第一方向延伸；
在所述字线之上形成从所述字线向上延伸的第一轨道；所述第一轨道与所述字线一一对应并且沿所述第一方向延伸；所述第一轨道被中间间隙彼此间隔开；所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域的上表面沿所述中间间隙的底部区域暴露；所述第一轨道包括第一绝缘材料；
在所述中间间隙内形成直接抵靠所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域的所述上表面的导电材料；所述导电材料形成第二轨道，所述第二轨道沿与所述第一方向正交的第二方向与所述第一轨道交替；
形成沿第三方向延伸的第三轨道，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向交叉；所述第三轨道使所述第二轨道图案化成导电块；所述第三轨道包括第二绝缘材料；所述导电块中的每个导电块位于由所述接触区域中的三个接触区域构成的组之上；每组包含一对所述存储元件接触区域和所述数位线接触区域中位于所述一对所述存储元件接触区域之间的一个数位线接触区域；所述导电块中的每个导电块具有第一端部区域、第...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·C·潘迪，K·M·卡尔达，刘海涛，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US