半导体结构的形成方法技术

本申请案涉及半导体结构的形成方法。描述与减少开口的侧壁上的渐缩相关的方法、设备及系统。实例方法包含在半导体结构上形成包括梯度硼磷硅玻璃BPSG堆叠的硅酸盐材料。所述实例方法进一步包含蚀刻所述硅酸盐材料的部分以在所述硅酸盐材料内形成具有侧壁的开口，其中所述梯度BSPG堆叠包括变化浓度的硼及磷以响应于所述蚀刻而减少所述侧壁的渐缩。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术一般来说涉及半导体装置及方法，且更特定来说，涉及减少半导体衬底材料上的开口的侧壁上的渐缩。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻性随机存取存储器(ReRAM)及快闪存储器等等。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的广泛电子应用。与在缺乏电力的情况下保持其存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)相比，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其存储数据状态(例如，经由刷新过程)。然而，各种易失性存储器单元(例如DRAM单元)可比各种非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种方法，其包括：/n形成在半导体结构衬底(101、501、701)上具有梯度硼磷硅玻璃BPSG堆叠的硅酸盐材料(103、203、303)；及/n蚀刻所述硅酸盐材料(103、203、303)的部分以在所述硅酸盐材料(103、203、303)内形成具有侧壁(120、220、320)的开口(116)，其中所述梯度BSPG堆叠包括变化浓度的硼及磷以响应于所述蚀刻而减少所述侧壁(120、220、320)的渐缩(118)。/n

【技术特征摘要】
20190128 US 16/258,9871.一种方法，其包括：
形成在半导体结构衬底(101、501、701)上具有梯度硼磷硅玻璃BPSG堆叠的硅酸盐材料(103、203、303)；及
蚀刻所述硅酸盐材料(103、203、303)的部分以在所述硅酸盐材料(103、203、303)内形成具有侧壁(120、220、320)的开口(116)，其中所述梯度BSPG堆叠包括变化浓度的硼及磷以响应于所述蚀刻而减少所述侧壁(120、220、320)的渐缩(118)。


2.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有所述梯度BPSG堆叠的所述硅酸盐材料(103、203、303)包括将硼及磷浓度逐渐从所述硅酸盐材料的底部部分(117、217、317)处的较强掺杂剂浓度改变为所述硅酸盐材料(103、203、303)的顶部部分(115、215、315)处的较弱掺杂剂浓度。


3.根据权利要求2所述的方法，其中形成具有所述梯度BPSG堆叠的所述硅酸盐材料(103、203、303)包括：
以线性梯度方式将硼掺杂剂浓度从所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)处的近似4.0wt％改变为所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)处的近似1.0wt％；及
以线性梯度方式将磷掺杂剂浓度从所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)处的近似5.2wt％改变为所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)处的近似4.2wt％。


4.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法进一步包括：
在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)处形成近似4.0wt％掺杂剂浓度的硼；及
在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)处形成近似1.0wt％掺杂剂浓度的硼。


5.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法进一步包括：
在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)处形成近似5.2wt％掺杂剂浓度的磷；及
在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)处形成近似4.2wt％掺杂剂浓度的磷。


6.一种方法，其包括：
形成具有梯度硼磷硅玻璃BPSG堆叠的硅酸盐材料(103、203、303)，所述BPSG堆叠具有第一部分(305)及第二部分(307)；
形成在所述第一部分(305)内具有变化浓度的硼及磷的所述梯度BSPG堆叠；
形成在所述第二部分(307)内具有不变浓度的硼及磷的所述梯度BSPG堆叠；及
蚀刻所述硅酸盐材料的部分以在所述硅酸盐材料(103、203、303)内形成具有侧壁(120、220、320)的开口(116)，其中所述第一部分(305)及所述第二部分(307)内的所述浓度的硼及磷响应于所述蚀刻而减少所述侧壁(120、220、320)的渐缩(118)。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一部分(305)大于所述第二部分(307)。


8.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅酸盐材料(103、203、303)从底部部分(117、217、317)延伸到顶部部分(115、215、315)，且所述第一部分(305)在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)与定位在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)下方的转变点(319)之间延伸达第一距离。


9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二部分(307)在所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述顶部部分(115、215、315)与所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述转变点(319)之间延伸达第二距离，且所述第一距离是4800埃且所述第二距离是1300埃。


10.根据权利要求8所述的方法，其中形成具有所述BPSG堆叠的所述硅酸盐材料(103、203、303)包括：
以线性梯度方式将所述第一部分(305)内的硼掺杂剂浓度从所述硅酸盐材料(103、203、303)的底部部分(117、217、317)处的近似4.0wt％改变为所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述转变点(319)处的近似1.0wt％；及
以线性梯度方式将所述第一部分(305)内的磷掺杂剂浓度从所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部分(117、217、317)处的近似5.2wt％改变为所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述转变点(319)处的近似4.2wt％。


11.根据权利要求6所述的方法，其中形成具有所述BPSG堆叠的所述硅酸盐材料(103、203、303)包括以线性梯度方式将硼掺杂剂浓度从所述硅酸盐材料(103、203、303)的所述底部部...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·史莱伦，S·萨普雷，M·R·拉斯卡尔，D·F·范，J·A·伊莫尼吉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US