半导体图案的形成方法技术

本发明专利技术公开一种半导体图案的形成方法，其包含：首先，提供一目标层以及一第一材料层位于该目标层上，然后在该第一材料层上形成一第一图案，接着进行一第一自对准图案转移步骤，在该第一材料层中形成复数个第一凹槽。接下来，形成一第二材料层于该第一材料层上，在该第二材料层中形成多个第二凹槽。接下来，将该第一凹槽与该第二凹槽的重叠部分的图案转移至该目标层中，其中该目标层包含有多个第三图案以及多个第四图案，各该第四图案的一面积大于各该第三图案的一面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体图案的形成方法
本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其是一种可降低微负载效应的半导体图案的形成方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)属于一种挥发性存储器，其是由多个存储单元构成。每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字符线(wordline,WL)与位线(bitline,BL)彼此电连接。为提高动态随机存取存储器(DRAM)的密集度以加快元件的操作速度，以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，动态随机存取存储器(DRAM)中的晶体管沟道区长度会有持续缩短的趋势。但是，如此一来会使晶体管遭受严重的短通道效应(shortchanneleffect),以及导通电流(oncurrent)下降等问题。因此，为了克服上述问题，近年来业界提出将水平方向的晶体管结构改为垂直方向的晶体管结构，举例来说，将垂直式晶体管结构形成于基底的深沟槽中。如此一来，可以提升集成电路的操作速度与密集度，且能避免短沟道效应等问题。然而，目前一般的垂直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体图案的形成方法，包含：/n提供目标层以及位于该目标层上的第一材料层；/n在该第一材料层上形成第一图案；/n进行第一自对准图案转移步骤，在该第一图案的周围定义多个第一侧壁图案，并且将该第一侧壁图案转移至该第一材料层中，以在该第一材料层中形成多个第一凹槽；/n形成第二材料层于该第一材料层上；/n在该第二材料层上形成第二图案；/n进行第二自对准图案转移步骤，在该第二图案的周围定义多个第二侧壁图案，并且将该第二侧壁图案转移至该第二材料层中，以在该第二材料层中形成多个第二凹槽；以及/n进行蚀刻步骤，将该第一凹槽与该第二凹槽的重叠部分的图案转移至该目标层中，其中从一上视图来看，该目标层包含有...

【技术特征摘要】
1.一种半导体图案的形成方法，包含：
提供目标层以及位于该目标层上的第一材料层；
在该第一材料层上形成第一图案；
进行第一自对准图案转移步骤，在该第一图案的周围定义多个第一侧壁图案，并且将该第一侧壁图案转移至该第一材料层中，以在该第一材料层中形成多个第一凹槽；
形成第二材料层于该第一材料层上；
在该第二材料层上形成第二图案；
进行第二自对准图案转移步骤，在该第二图案的周围定义多个第二侧壁图案，并且将该第二侧壁图案转移至该第二材料层中，以在该第二材料层中形成多个第二凹槽；以及
进行蚀刻步骤，将该第一凹槽与该第二凹槽的重叠部分的图案转移至该目标层中，其中从一上视图来看，该目标层包含有多个第三图案以及多个第四图案，其中各该第四图案的面积大于各该第三图案的面积。


2.如权利要求1所述的形成方法，其中各该第三图案呈阵列排列。


3.如权利要求2所述的形成方法，其中各该第四图案排列成框形，围绕以阵列排列的该些第三图案。


4.如权利要求1所述的形成方法，其中从该上视图来看，各该第三图案包含圆形孔洞，而各该第四图案包含有椭圆形孔洞。


5.如权利要求1所述的形成方法，其中该第一图案由多个第一子图案A、多个第二子图案B以及多个第三子图案C组合成，各该第一子图案A、各该第二子图案B以及各该第三子图案C都分别包含有长条形图案，沿着第一方向排列。


6.如权利要求5所述的形成方法，其中各该第一子图案A还包含有水平部件以及垂直部件，分别位于该长条形图案的两侧，其中该水平部件沿着水平方向排列，该垂直部件沿着垂直方向排列。


7.如权利要求6所述的形成方法，其中各该第二子图案B还包含有两水平部件，沿着该水平方向排列，分别位于该长条形图案的两侧。


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【专利技术属性】
技术研发人员：林刚毅，邹世芳，李甫哲，张峰溢，林盈志，黄楷珞，张翊菁，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71