高对称性小型高差压传感器制造技术

一种高对称性小型高差压传感器，包括壳体（２３）上部的电磁兼容器（２１）、接插件（２５），将外壳（２３）焊于底座（９）上，其特征在于：壳体（２３）内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片（１１）与各自的转换件（１４）焊接一起，对称置于底座（９）上，接口（１）、（７）与引压口（Ｌ）、（Ｈ）相通，信号处理放大线路板（１９）、（２０）固定在转换件（１４）上；传感器的两块补偿板（１６）分别与带有镀金可伐丝基座和两层放大板（１９）、（２０）连接；放大板（２０）的引线经电磁兼容器（２１）引出。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及工业过程自动控制仪表单元中的一种压力传感器。
技术介绍
现有本专业技术中还没有适合特殊条件的这种传感器，其技术要求是空间小(39×34×65mm)、高压力(-60Mpa～+60Mpa)情况下工作，尤其是在液体流动过程或气体冲击中，采用差压传感器来监测流体对上游管壁与下流管壁之间的压力差和气体冲击能量。要求精确测量两个压力源的压力之差。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种满足上述要求的高对称性小型高差压传感器。这种小型高差压传感器，包括壳体23上部的电磁兼容器21、接插件25，将外壳23焊于底座9上，其特征在于壳体23内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片11与转换件14焊接一起，对称置于底座9上，被测管27的接口7、1与引压口L、H相通，信号处理放大板19、20固定在转换件14上；传感器的两块补偿板16分别与带有镀金可伐丝的基座12和两层放大板19、20连接；放大板20的引线经电磁兼容器21引出。本设计的高对称性小型高差压传感器采用，传感器的两个扩散硅芯片上通过离子注入工艺方法，分别制作一组相近的四个阻值组成惠斯登电桥。依据压阻效应原理，当硅芯片受到外部压力时(通过激励电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海玮，陈信琦，牛军，刘宏伟，徐淑霞，郭丽娟，刘沁，刘波，
申请(专利权)人：沈阳仪表科学研究院，
类型：实用新型
国别省市：