【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种按权利要求1前序部分所述的电容式真空度测量元件。众所周知，压力或压差是这样测量的，即一块薄的膜片受压力作用并测出其挠度。测量这种膜片的挠度的一个已知的和适用的方法是，膜片结构做成可变电容并通过电子测量方法按已知的方式估算与压力变化相应的电容变化。电容是这样构成的，即薄的易弯曲的膜片表面以很小的距离相对于另一个表面布置并将两个对置的表面涂敷一层导电层或用导电材料制成。膜片受压力作用时，由于产生挠度而使两个电极之间的距离改变，从而可算出该装置的电容变化。这种传感器大批量由硅制成。此时大面积的基体和膜片一般都完全用硅材料制成。也有带组合材料成分例如硅和玻璃衬底的结构，从而可制造廉价的传感器。在真空运用时，这类压力传感器通常只用于大约10-1毫巴至几毫巴范围内的较高的压力范围。在大约10-1毫巴以下的较低压力时，用硅材料不再可能实现高的分辨率。这是由于硅在表面上受环境反应，因而敏感的传感器特性受到干扰。甚至在正常大气中含有水蒸汽也会导致表面的相应反应。当传感器用在化学侵蚀的气氛中时，这个问题更加尖锐。所以，人们曾试图通过表面对腐蚀性外界影响的钝化来...
【技术保护点】
带有一个用Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］制成的第一壳体（１）和一个用Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］制成的、以一定距离在边缘区密封布置的膜片（２）的电容式真空度测量元件这样在其间构成一个基准真空室（２５），其中膜片（２）和壳体（１）的相隔很小距离对置的表面涂有导电层（７），且构成测量电容，其特征为，用Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］制成的第二壳体（４）对膜片（２）在边缘区密封并与该膜片形成一个真空度测量室（２６），连接管（５）通入该真空度测量室与被测介质连通。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P比约克曼，R奥尔森，
申请(专利权)人：尤纳克西斯巴尔策斯有限公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]
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