一种反激开关电源无损吸收电路制造技术

技术编号:25579710 阅读:40 留言:0更新日期:2020-09-08 20:18
本实用新型专利技术公开了一种反激开关电源无损吸收电路,包括变压器T1,芯片控制电路,三极管Q1,三极管Q2,MOS管Q3,三极管Q4,电阻R1,二极管D1,电容C1,电阻R2,极性电容CE1,二极管ZD1,极性电容CE2。本实用新型专利技术提供一种反激开关电源无损吸收电路,更好的提高了电源的整体效率,同时还能降低电源的待机功耗,还解决了现有电源使用时发热的情况,更好的满足了社会进步的需求,提高了企业的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种反激开关电源无损吸收电路
本技术属于电子电路领域,具体是指一种反激开关电源无损吸收电路。
技术介绍
老型RCD吸收电路如图1所示,其工作原理为:Q3截止时变压器T1的5脚产生正电压1脚产生负电压,电流回路为变压器T1的5脚到二极管D1到电容C1和电阻R3再到变压器T1的1脚,整个变压器漏感能量全部由电阻R3热损耗掉,如此仅会增加电源的内部发热量,且电能也无法得到充分的利用,导致了电能运用的效率较低。随着消费类电子产品的兴起,与之配套的适配器反激电源效率提升越来越困难,如何设计新的电路来替代老型的RCD吸收电路以进一步提高电源的效率便是如今各个企业的研发重点。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述问题,提供一种反激开关电源无损吸收电路,更好的提高了电源的整体效率,同时还能降低电源的待机功耗,还解决了现有电源使用时发热的情况,更好的满足了社会进步的需求,提高了企业的竞争力。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种反激开关电源无损吸收电路,包括变压器T1,芯片控制电路,三极管Q1,三极管Q2,MOS管Q3,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反激开关电源无损吸收电路,其特征在于:包括变压器T1,芯片控制电路,三极管Q1,三极管Q2,MOS管Q3,三极管Q4,串接在三极管Q1的B极和C极之间的电阻R1,P极与变压器T1的原边电感线圈的同名端10脚相连接、N极与三极管Q1的C极相连接的二极管D1,串接在二极管D1的N极和三极管Q4的C极之间的电容C1,串接在三极管Q4的C极和B极之间的电阻R2,正极与变压器T1原边电感线圈的非同名端6脚相连接、负极经电阻R4后与MOS管Q3的D极相连接的极性电容CE1,N极与三极管Q4的B极相连接、P极与极性电容CE1的负极相连接的二极管ZD1,以及正极与三极管Q4的E极相连接、负极与二极管Z...

【技术特征摘要】
1.一种反激开关电源无损吸收电路,其特征在于:包括变压器T1,芯片控制电路,三极管Q1,三极管Q2,MOS管Q3,三极管Q4,串接在三极管Q1的B极和C极之间的电阻R1,P极与变压器T1的原边电感线圈的同名端10脚相连接、N极与三极管Q1的C极相连接的二极管D1,串接在二极管D1的N极和三极管Q4的C极之间的电容C1,串接在三极管Q4的C极和B极之间的电阻R2,正极与变压器T1原边电感线圈的非同名端6脚相连接、负极经电阻R4后与MOS管Q3的D极相连接的极性电容CE1,N极与三极管Q4的B极相连接、P极与极性电容CE1的负极相连接的二极管ZD1,以及正极与三极管Q4的E极相连接、负极与二极管ZD1的P极相连接的极性电容CE2;其中,极性电容CE1的正极与电源的正极相连接、极性电容...

【专利技术属性】
技术研发人员:庞继浩叶修雷贾红叶
申请(专利权)人:安徽省东科半导体有限公司
类型:新型
国别省市:安徽;34

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