本发明专利技术公开了一种开关电源自适应输出宽电压电路，由变压器T1，PWM主控芯片U1，二极管桥式整流器DB1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，单向晶闸管U3，光耦合器U2B端，光耦合器U2A端等元器件组成。本发明专利技术提供一种开关电源自适应输出宽电压电路，能够将一个0.1μF的CBB电容作为初级滤波电容，同时能够使得电路实现与现有技术一样具有相同的输出功率，进而有效的降低了初级滤波CBB电容的设置体积，进一步降低了电路体积与电源适配器的整体体积，更好的贴合了社会对电源适配器的需求，也更好的促进了企业与行业的进步与发展。
【技术实现步骤摘要】
一种开关电源自适应输出宽电压电路
本专利技术属于电气领域，具体是指一种开关电源自适应输出宽电压电路。
技术介绍
随着消费类电子产品的兴起，与之配套的电源适配器也越来越多，功率也越来越大，由于传统适配器的输入电解电容的体积非常大，故而在电路中设置的电解电容需要占用极大的空间，极大的增加了电源适配器的整体体积。而更加小巧的电源适配器更便于人们携带与使用，故而降低电源适配器的体积才是如今社会对电源适配器的要求。故而，如何使得电源适配器能够保持功率不变，且同时能够更好的降低电源适配器的体积，则是如今企业的重点研发方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述问题，提供一种开关电源自适应输出宽电压电路，能够将一个0.1μF的CBB电容作为初级滤波电容，同时能够使得电路实现与现有技术一样具有相同的输出功率，进而有效的降低了初级滤波CBB电容的设置体积，进一步降低了电路体积与电源适配器的整体体积，更好的贴合了社会对电源适配器的需求，也更好的促进了企业与行业的进步与发展。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种开关电源自适应输出宽电压电路，由变压器T1，PWM主控芯片U1，二极管桥式整流器DB1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，单向晶闸管U3，光耦合器U2B端，光耦合器U2A端，串接在二极管桥式整流器DB1的正输出端和负输出端之间的电容C1，一端与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接、另一端经电阻R4后与PWM主控芯片U1的HV管脚相连接的电阻R1，一端与PWM主控芯片U1的S1管脚相连接、另一端与MOS管Q1的G极相连接的电阻R2，一端与PWM主控芯片U1的S2管脚相连接、另一端与MOS管Q2的G极相连接的电阻R3，一端与PWM主控芯片U1的S3管脚相连接、另一端与MOS管Q3的G极相连接的电阻R5，一端与PWM主控芯片U1的CS管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻R7，串接在PWM主控芯片U1的CS管脚和GND管脚之间的电容C4，一端与PWM主控芯片U1的GND管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻RS1，与电阻RS1并联设置的电阻RS2和电阻RS3，A极与变压器T1的VCC绕组的5管脚相连接、K极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D2，A极与二极管D2的K极相连接、K极与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接的二极管D3，正极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接、负极与二极管桥式整流器DB1的负输出端相连接的极性电容CE2，串接在光耦合器U2B端的4管脚和3管脚之间的电容C3，A极与变压器T1的次级输出绕组的12管脚相连接、K极经电阻R6后与光耦合器的U2A端的1管脚相连接的二极管D1，串接在光耦合器的U2A端的1管脚和2管脚之间的电阻R9，串接在单向晶闸管U3的R极和K极之间的电容C2，串接在单向晶闸管U3的R极和A极之间的电阻R10，一端与单向晶闸管U3的R极相连接、另一端与二极管D1的K极相连接的电阻R8，以及正极与二极管D1的K极相连接、负极与变压器T1的次级输出绕组的7管脚相连接的极性电容CE1组成。作为优选，所述二极管桥式整流器DB1的两个输入端分别与AC电源的L端和N端相连接；所述极性电容CE1的正极作为宽电压输出端且输出3.3-20V宽电压，极性电容CE1的负极和变压器T1的次级输出绕组的7管脚相连接且同时接SGND；所述单向晶闸管U3的R极上接有PD小板的FBO管脚。作为优选，所述PWM主控芯片U1的GND管脚与二极管桥式整流器DB1的负输出端相连接，PWM主控芯片U1的GND管脚与变压器T1的VCC绕组的6管脚相连接。作为优选，所述变压器T1的初级N1绕组的1管脚与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接，变压器T1初级N1绕组的2管脚与MOS管Q1的D管脚相连接，变压器T1的初级N2绕组的3管脚与MOS管Q2的D管脚相连接，变压器T1的初级N3绕组的4管脚与MOS管Q3的D管脚相连接，变压器T1的次级输出绕组的7管脚与单向晶闸管U3的A极相连接。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术将一个0.1μF的CBB电容作为初级滤波电容，同时能够使得电路实现与现有技术一样具有相同的输出功率，进而有效的降低了初级滤波CBB电容的设置体积，进一步降低了电路体积与电源适配器的整体体积，更好的贴合了社会对电源适配器的需求，也更好的促进了企业与行业的进步与发展。附图说明图1为本专利技术的电路结构图。图2为本专利技术开机时AC电源输入电压经过二极管桥式整流器DB1整流和电容C1滤波后得到的电压波形图。图3为本专利技术由CE3提供能量给次级输出绕组时的电压波形图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，一种开关电源自适应输出宽电压电路，由变压器T1，PWM主控芯片U1，二极管桥式整流器DB1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，单向晶闸管U3，光耦合器U2B端，光耦合器U2A端，串接在二极管桥式整流器DB1的正输出端和负输出端之间的电容C1，一端与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接、另一端经电阻R4后与PWM主控芯片U1的HV管脚相连接的电阻R1，一端与PWM主控芯片U1的S1管脚相连接、另一端与MOS管Q1的G极相连接的电阻R2，一端与PWM主控芯片U1的S2管脚相连接、另一端与MOS管Q2的G极相连接的电阻R3，一端与PWM主控芯片U1的S3管脚相连接、另一端与MOS管Q3的G极相连接的电阻R5，一端与PWM主控芯片U1的CS管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻R7，串接在PWM主控芯片U1的CS管脚和GND管脚之间的电容C4，一端与PWM主控芯片U1的GND管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻RS1，与电阻RS1并联设置的电阻RS2和电阻RS3，A极与变压器T1的VCC绕组的5管脚相连接、K极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D2，A极与二极管D2的K极相连接、K极与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接的二极管D3，正极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接、负极与二极管桥式整流器DB1的负输出端相连接的极性电容CE2，串接在光耦合器U2B端的4管脚和3管脚之间的电容C3，A极与变压器T1的次级输出绕组的12管脚相连接、K极经电阻R6后与光耦合器的U2A端的1管脚相连接的二极管D1，串接在光耦合器的U2A端的1管脚和2管脚之间的电阻R9，串接在单向晶闸管U3的R极和K极之间的电容C2，串接在单向晶闸管U3的R极和A极之间的电阻R10，一端与单向晶闸管U3的R极相连接、另一端与二极管D1的K极相连接的电阻R8，以及正极与二极管D1的K极相连接、负极与变压器T1的次级输出绕组的7管脚相连接的极性电容CE1组成。所述二极管桥式整流器DB1的两个输入端分别与AC电源的L端和N端相连接；所述极性电容CE1的正极作为宽电压输出端且输出3.3-本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种开关电源自适应输出宽电压电路，其特征在于：由变压器T1，PWM主控芯片U1，二极管桥式整流器DB1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，单向晶闸管U3，光耦合器U2B端，光耦合器U2A端，串接在二极管桥式整流器DB1的正输出端和负输出端之间的电容C1，一端与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接、另一端经电阻R4后与PWM主控芯片U1的HV管脚相连接的电阻R1，一端与PWM主控芯片U1的S1管脚相连接、另一端与MOS管Q1的G极相连接的电阻R2，一端与PWM主控芯片U1的S2管脚相连接、另一端与MOS管Q2的G极相连接的电阻R3，一端与PWM主控芯片U1的S3管脚相连接、另一端与MOS管Q3的G极相连接的电阻R5，一端与PWM主控芯片U1的CS管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻R7，串接在PWM主控芯片U1的CS管脚和GND管脚之间的电容C4，一端与PWM主控芯片U1的GND管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻RS1，与电阻RS1并联设置的电阻RS2和电阻RS3，A极与变压器T1的VCC绕组的5管脚相连接、K极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D2，A极与二极管D2的K极相连接、K极与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接的二极管D3，正极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接、负极与二极管桥式整流器DB1的负输出端相连接的极性电容CE2，串接在光耦合器U2B端的4管脚和3管脚之间的电容C3，A极与变压器T1的次级输出绕组的12管脚相连接、K极经电阻R6后与光耦合器的U2A端的1管脚相连接的二极管D1，串接在光耦合器的U2A端的1管脚和2管脚之间的电阻R9，串接在单向晶闸管U3的R极和K极之间的电容C2，串接在单向晶闸管U3的R极和A极之间的电阻R10，一端与单向晶闸管U3的R极相连接、另一端与二极管D1的K极相连接的电阻R8，以及正极与二极管D1的K极相连接、负极与变压器T1的次级输出绕组的7管脚相连接的极性电容CE1组成。/n...
【技术特征摘要】
1.一种开关电源自适应输出宽电压电路，其特征在于：由变压器T1，PWM主控芯片U1，二极管桥式整流器DB1，MOS管Q1，MOS管Q2，MOS管Q3，单向晶闸管U3，光耦合器U2B端，光耦合器U2A端，串接在二极管桥式整流器DB1的正输出端和负输出端之间的电容C1，一端与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接、另一端经电阻R4后与PWM主控芯片U1的HV管脚相连接的电阻R1，一端与PWM主控芯片U1的S1管脚相连接、另一端与MOS管Q1的G极相连接的电阻R2，一端与PWM主控芯片U1的S2管脚相连接、另一端与MOS管Q2的G极相连接的电阻R3，一端与PWM主控芯片U1的S3管脚相连接、另一端与MOS管Q3的G极相连接的电阻R5，一端与PWM主控芯片U1的CS管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻R7，串接在PWM主控芯片U1的CS管脚和GND管脚之间的电容C4，一端与PWM主控芯片U1的GND管脚相连接、另一端与MOS管Q1的S极相连接的电阻RS1，与电阻RS1并联设置的电阻RS2和电阻RS3，A极与变压器T1的VCC绕组的5管脚相连接、K极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D2，A极与二极管D2的K极相连接、K极与二极管桥式整流器DB1的正输出端相连接的二极管D3，正极与PWM主控芯片U1的VCC管脚相连接、负极与二极管桥式整流器DB1的负输出端相连接的极性电容CE2，串接在光耦合器U2B端的4管脚和3管脚之间的电容C3，A极与变压器T1的次级输出绕组的12管脚相连接、K极经电阻R6后与光耦合器的U2A端的1管脚相连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞继浩，何远健，贾红叶，
申请(专利权)人：安徽省东科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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