一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块及其制备方法，采用母排式的双面结构，包括上下两块DBC基板，每个DBC基板中包含两层铜层，其中一层铜层上设置有Vienna整流拓扑电路，Vienna整流拓扑电路的输入交流端包括AC

【技术实现步骤摘要】
一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块及其制备方法
本专利技术属于功率模块
，具体涉及一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块及其制备方法。
技术介绍
随着经济的发展，环境问题和能源危机日益凸显，亟需清洁能源的开发和使用。因此以电动汽车为代表的新能源汽车具有广阔的应用发展前景。电动汽车的充电桩以及者车载充电器是电动汽车在未来实现大规模推广应用的关键基础设备。充电桩以及车载充电器设计中通常采用AC/DC加DC/DC两级拓扑，其中在AC/DC前级中Vienna整流拓扑是目前应用较多的一种拓扑结构。Vienna整流拓扑是一种三电平整流拓扑，但是与一般半桥三电平拓扑相比较，Vienna整流拓扑需要的开关器件数量更少，每个桥臂上只需要一个开关管结合几个二极管便可以实现因此可以极大的减小充电桩以及车载充电器的成本。这也促使Vienna整流拓扑成为一种在充电桩以及车载充电器的前级整流部分被广泛应用的拓扑。碳化硅的材料特性使得碳化硅器件具有耐压高、通态内阻小、耐温高、开关速度快等优点。碳化硅功率半导体器件的诸多优点使其在充电桩以及车载充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块，其特征在于，采用母排式的双面结构，包括上下两块DBC基板，每个DBC基板中包含两层铜层，其中一层铜层上设置有Vienna整流拓扑电路，Vienna整流拓扑电路的输入交流端包括AC

【技术特征摘要】
1.一种Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块，其特征在于，采用母排式的双面结构，包括上下两块DBC基板，每个DBC基板中包含两层铜层，其中一层铜层上设置有Vienna整流拓扑电路，Vienna整流拓扑电路的输入交流端包括AC1和AC2，直流侧中点包括O1和O2；下层DBC基板上设置键合线，实现驱动部分的开尔文连接；通过双面结构碳化硅功率模块中的两个换流路径彼此解耦实现换流回路路径的最小化。


2.根据权利要求1所述的Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块，其特征在于，Vienna整流拓扑电路包括碳化硅MOSFET管Q1，碳化硅MOSFET管Q1的栅极连接驱动栅极G，漏极分三路，分别与二极管D1的正极，二极管D2的负极和二极管D3的负极连接，二极管D1的负极连接DC+，二极管D2的正极连接交流输入端口AC1，二极管D3的正极连接直流侧中点O1；碳化硅MOSFET管Q1的源极分四路，一路连接驱动源极K，剩余三路分别连接二极管D4的正极，二极管D5的正极和二极管D6的负极，二极管D4的负极交流输入端口AC2，二极管D5的负极连接直流侧中点O2，二极管D6的正极连接DC-。


3.根据权利要求2所述的Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块，其特征在于，上层DBC基板中换流路径经过二极管D1和二极管D6，二极管D1和二极管D6通过纳米银烧结的方式焊接在上层DBC基板上。


4.根据权利要求2所述的Vienna整流用双面结构碳化硅功率模块，其特征在于，下层DBC基板中换流路径经过二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5以及碳化硅MOSFET管Q1，二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5以及碳化硅MOSFET管Q1通过纳米银烧结的方式焊接在下层DBC基板上。


5.一种制备权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王来利，赵成，李锡光，杨奉涛，齐志远，王见鹏，陈阳，
申请(专利权)人：西安交通大学，广东天泽恒益科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61