【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
晶体管器件作为半导体集成电路中的主要器件，被广泛应用于存储器、逻辑电路中等。具体参考图1所示，晶体管一般包括形成在衬底10表面上的栅极结构20和形成在衬底10中且位于栅极结构20侧边的源漏区30，其中，所述源漏区30通常还需要通过接触插塞50实现电性引出，即所述接触插塞50的底部延伸至衬底10以和所述源漏区30电性连接。现有技术中，为了降低接触插塞50和源漏区30之间的接触电阻，一般还会在源漏区30的接触面上形成金属硅化物层40，进而使得接触插塞50能够通过所述金属硅化物层40与所述源漏区30电性连接。然而，现有的半导体结构中，常常会发生金属硅化物层40中的金属扩散至其侧边的栅极结构20，从而会对半导体结构造成影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构，以解决金属硅化物层中的金属容易扩散至栅极结构的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构，包括：
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n栅极结构，形成在所述衬底上，并且位于所述栅极结构侧边的至少部分衬底以远离所述栅极结构的方向呈台阶状依次内陷，以构成台阶部；/n源漏区，形成在所述栅极结构侧边的衬底中，并且所述源漏区中对应于所述台阶部的顶表面以远离所述栅极结构的方向呈梯度降低；/n金属硅化物层，形成在所述源漏区位于最低台阶的表面上，并扩展至所述源漏区中；以及，/n接触插塞，形成在所述栅极结构的侧边，并且所述接触插塞的底部延伸至所述金属硅化物层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
栅极结构，形成在所述衬底上，并且位于所述栅极结构侧边的至少部分衬底以远离所述栅极结构的方向呈台阶状依次内陷，以构成台阶部；
源漏区，形成在所述栅极结构侧边的衬底中，并且所述源漏区中对应于所述台阶部的顶表面以远离所述栅极结构的方向呈梯度降低；
金属硅化物层，形成在所述源漏区位于最低台阶的表面上，并扩展至所述源漏区中；以及，
接触插塞，形成在所述栅极结构的侧边，并且所述接触插塞的底部延伸至所述金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述台阶部具有N级台阶，N为大于等于2的正整数，其中所述N级台阶中的第1级台阶的台面低于栅极结构正下方的衬底表面，以及第1级台阶至第N级台阶的台面往远离栅极结构的方向高度依次降低。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括至少N-1层隔离侧墙，所述至少N-1层隔离侧墙分别位于所述台阶部的第1级台阶至第N-1级台阶的台面上，其中部分台阶上的隔离侧墙远离栅极结构的侧壁和其下方的台阶的边界对齐。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述台阶部的包括第一台阶和第二台阶，所述第二台阶的台面低于所述第一台阶的台面；以及，所述半导体结构还包括第一隔离侧墙和第二隔离侧墙，所述第一隔离侧墙和所述第二隔离侧墙依次覆盖所述栅极结构的侧壁；
其中，所述第一隔离侧墙位于第一台阶的台面上，并且所述第一隔离侧墙远离所述栅极结构的侧壁和所述第一台阶的边界对齐，所述第二隔离侧墙形成在第二台阶的台面上，并且所述第二隔离侧墙远离所述栅极结构的侧壁和所述第二台阶的边界对齐。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏区包括第一掺杂区和第二掺杂区，其中所述第一掺杂区从所述栅极结构的下方扩展至所述第二隔离侧墙的下方，所述第二掺杂区连接所述第一掺杂区并从所述第二隔离侧墙的下方往远离所述栅极结构的方向扩展。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述台阶部还具有第三台阶和第四台阶，所述第三台阶的台面低于所述第二台阶的台面，所述第四台阶的台面低于所述第三台阶的台面；
以及，所述第三台阶上形成有至少一层隔离侧墙，所述接触插塞位于所述至少一层隔离侧墙远离栅极结构的一侧，并且所述接触插塞的部分侧壁和所述至少一层隔离侧墙中的最外层隔离侧墙的侧壁邻接，所述接触插塞的底部延伸至所述第四台阶。
技术研发人员：颜逸飞，朱家仪，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。