一种窄腐蚀沟道芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种窄腐蚀沟道芯片，包括：衬底，所述衬底包括P型硅和N型硅，所述N型硅固定安装于P型硅上端表面；耐腐蚀层，所述耐腐蚀层包括一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层；其中，所述一号耐腐蚀层涂覆于N型硅之间的P型硅上端表面，所述二号耐腐蚀层涂覆于N型硅上端表面；本实用新型专利技术通过设有的耐腐蚀层，由于一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层均为二氧化硅，当采用硅湿法腐蚀工艺时，其基本的腐蚀剂是氢氟酸(HF)，它有腐蚀二氧化硅而不伤及硅的优点，故可腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，从而能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务，具有非常好的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种窄腐蚀沟道芯片
本技术涉及沟道芯片
，具体为一种窄腐蚀沟道芯片。
技术介绍
随着全球经济的复苏，国际电子行业市场的逐步回暖，各类电子器材的市场需求量逐步增大，而窄沟道芯片是电子器材中不可缺少的重要配件之一，该产品广泛应用于航天、军工、通讯、医疗、交通等领域等领域，市场前景广阔。在集成电路的制造过程中，腐蚀工艺占有极其重要的地位，制造工艺中的光刻工艺是把需要的图形复制到硅片表面，但这样的图形只是光刻胶的图形，而光刻胶并不能担负起在硅片上留下最终图形的任务，这只能通过其后的腐蚀工艺来完成，腐蚀使用适当的腐蚀液或腐蚀气体将无光刻胶膜覆盖的衬底材料腐蚀掉，而有光刻胶覆盖的区域保存下来。因此所用的腐蚀液或腐蚀气体既能腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，只有这样才能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务，一般都是采用湿法腐蚀进行加工。但是，目前市场上多数的窄沟道芯片功能性都比较单一，在采用湿法腐蚀进行腐蚀时，硅片上的材料容易被刻蚀去掉，在刻蚀工程中所犯的错误将难以纠正，导致腐蚀错误的硅片就只能报废，给硅片制造公司带来损失。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种窄腐蚀沟道芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种窄腐蚀沟道芯片，包括：衬底，所述衬底包括P型硅和N型硅，所述N型硅固定安装于P型硅上端表面；耐腐蚀层，所述耐腐蚀层包括一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层；其中，所述一号耐腐蚀层涂覆于N型硅之间的P型硅上端表面，所述二号耐腐蚀层涂覆于N型硅上端表面。优选的，还包括：栅极；其中，所述栅极设置于一号耐腐蚀层上端表面。优选的，所述P型硅上端表面开设有沟道。优选的，所述P型硅上端两侧的N型硅上分别引出电极，所述P型硅上也引出电极。优选的，所述一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层均为二氧化硅。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、本技术通过设有的耐腐蚀层，由于一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层均为二氧化硅，当采用硅湿法腐蚀工艺时，其基本的腐蚀剂是氢氟酸(HF)，它有腐蚀二氧化硅而不伤及硅的优点，故可腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，从而能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务，具有非常好的实用性。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术的剖面结构示意图。图中：10-衬底；11-P型硅；12-N型硅；13-沟道；20-耐腐蚀层；21-一号耐腐蚀层；22-二号耐腐蚀层；30-栅极。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，本技术提供一种技术方案：一种窄腐蚀沟道芯片，包括：衬底1和耐腐蚀层20。其中，所述衬底1包括P型硅11和N型硅12，所述N型硅12固定安装于P型硅11上端表面。进一步地，在P型硅11半导体基材表面设计有岛状N型硅12区域，输入电子的N型硅12区域叫“源”，排出电子的N型硅12区域叫“漏”。其中，所述耐腐蚀层20包括一号耐腐蚀层21和二号耐腐蚀层22。其中，所述一号耐腐蚀层21涂覆于N型硅12之间的P型硅11上端表面，所述二号耐腐蚀层22涂覆于N型硅12上端表面。进一步地，当采用硅湿法腐蚀工艺时，其基本的腐蚀剂是氢氟酸(HF)，它有腐蚀二氧化硅而不伤及硅的优点，故可腐蚀掉裸露的衬底表面材料，由于衬底10上端由一号耐腐蚀层21和二号耐腐蚀层22进行保护，故能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，从而能把所需的图形准确地刻蚀出来，而没有被耐腐蚀层20保护的材料，可被腐蚀剂腐蚀掉。其中，还包括：栅极30。其中，所述栅极30设置于一号耐腐蚀层21上端表面。其中，所述P型硅11上端表面开设有沟道13。进一步地，沟道13是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层，如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。其中，所述P型硅11上端两侧的N型硅12上分别引出电极，所述P型硅11上也引出电极。进一步地，分别在“源”和“漏”上分别引出电极，即“源极”和“漏极。其中，所述一号耐腐蚀层21和二号耐腐蚀层22均为二氧化硅。工作原理：在使用时，由于一号耐腐蚀层21和二号耐腐蚀层22均为二氧化硅，当采用硅湿法腐蚀工艺时，其基本的腐蚀剂是氢氟酸(HF)，它有腐蚀二氧化硅而不伤及硅的优点，故可腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，从而能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种窄腐蚀沟道芯片，其特征在于，包括：/n衬底(1)，所述衬底(1)包括P型硅(11)和N型硅(12)，所述N型硅(12)固定安装于P型硅(11)上端表面；/n耐腐蚀层(20)，所述耐腐蚀层(20)包括一号耐腐蚀层(21)和二号耐腐蚀层(22)；/n其中，所述一号耐腐蚀层(21)涂覆于N型硅(12)之间的P型硅(11)上端表面，所述二号耐腐蚀层(22)涂覆于N型硅(12)上端表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种窄腐蚀沟道芯片，其特征在于，包括：
衬底(1)，所述衬底(1)包括P型硅(11)和N型硅(12)，所述N型硅(12)固定安装于P型硅(11)上端表面；
耐腐蚀层(20)，所述耐腐蚀层(20)包括一号耐腐蚀层(21)和二号耐腐蚀层(22)；
其中，所述一号耐腐蚀层(21)涂覆于N型硅(12)之间的P型硅(11)上端表面，所述二号耐腐蚀层(22)涂覆于N型硅(12)上端表面。


2.根据权利要求1所述的一种窄腐蚀沟道芯片，其特征在于，还包括：
栅极(30...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹孙根，
申请(专利权)人：安徽钜芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34