一种薄膜晶体管及液晶显示面板、设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管及液晶显示面板、设备，其中，所述薄膜晶体管包括栅极线层(2)，所述栅极线层(2)包括栅金属电极层(21)、第一抗氧化层(22)和第一阻隔层(23)，其中，所述第一抗氧化层(22)和所述第一阻隔层(23)分别设置于所述栅金属电极层(21)上下表面的其中一边。本实用新型专利技术提供的薄膜晶体管，通过阻隔层和抗氧化层，阻隔了金属离子的扩散，并且防止了金属裸露氧化腐蚀的问题，提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及液晶显示面板、设备
本技术属于液晶显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及液晶显示面板、设备。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等优点而被广泛应用，其主要是利用液晶的双折射特性，通过向薄膜晶体管阵列基板及彩膜基板施加电压控制液晶的转动，使背光模组发出的光线经过下偏光片偏光后产生的线偏振光随着液晶发生旋转，从上偏光片射出以实现显示，上偏光片及下偏光片的偏光轴垂直，两者加上液晶显示面板起到光开关(或光阀)的作用。薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)是液晶显示器的一种，其使用薄膜晶体管技术改善影象品质，具有功耗低，画面品质优异以及生产良率较高等优点，被广泛应用在电视、平面显示器及投影机上。在TFT-LCD制作中，薄膜晶体管的设计制作非常关键。其中，Cu正逐步取代Al作为电极材料，Cu制程已成为高端面板的主流技术。在进行电极制程时，Cu容易发生腐蚀和扩散，这会降低产品良率。目前主流生产工艺通常使用厚度在300A以上的Mo作为电极的扩散阻隔层。然而，由于Mo为柱状晶体结构，对Cu等金属离子的阻隔能力较差，金属离子会进入半导体层或准绝缘层，使得半导体层特性变差；而Mo本身在高温环境下的抗氧化能力也较差，会导致一系列线路腐蚀问题。目前，通常采取的将Mo加厚以阻隔扩散和抗氧化的方式又会增加制造成本和技术难度，同时，由于Mo的蚀刻较Cu快，容易形成倒角，且膜厚加厚会导致漏光不良，影响显示器的显示效果。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种薄膜晶体管及液晶显示面板、设备。本技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种薄膜晶体管，包括栅极线层，所述栅极线层包括栅金属电极层、第一抗氧化层和第一阻隔层，其中，所述第一抗氧化层和所述第一阻隔层分别设置于所述栅金属电极层上下表面的其中一边。在本技术的一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括数据线层，所述数据线层包括源、漏金属电极层、第二抗氧化层和第二阻隔层；其中，所述第二抗氧化层和所述第二阻隔层分别设置于所述源、漏金属电极层上下表面的其中一边。在本技术的一个实施例中，所述第一抗氧化层、所述第一阻隔层、所述第二抗氧化层以及所述第二阻隔层至少有一层采用Mo合金材料。在本技术的一个实施例中，所述Mo合金材料为MoXAlYTiZ，其中，X＝1～3，Y＝1～3，Z＝1～3。在本技术的一个实施例中，所述第一抗氧化层、所述第一阻隔层、所述第二抗氧化层以及所述第二阻隔层的厚度均为80A～600A。在本技术的一个实施例中，所述第一抗氧化层、所述第一阻隔层、所述第二抗氧化层以及所述第二阻隔层的厚度均为100A～200A。本技术的另一个实施例还提供了一种液晶显示面板，包括：相对设置的滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板，所述滤光片基板与所述薄膜晶体管阵列基板之间填充有液晶层，其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括若干上述薄膜晶体管。本技术的又一个实施例还提供了一种液晶显示设备，包括背光模组和上述实施例所述的液晶显示面板。本技术的有益效果：1、本技术提供的薄膜晶体管，通过在金属电极制程中增加阻隔层和抗氧化层，阻隔了金属离子的扩散，改善了制程中(TFT半导体)的Ioff(漏电流)问题，并且防止了金属(Cu)裸露氧化腐蚀的问题，提高了器件性能；2、本技术提供的薄膜晶体管通过将抗氧化层和阻隔层的材料设置成与Mo阻抗相当的Mo合金，在不增加膜厚的情况下，实现抗氧化和阻隔扩散的目的，降低了制造成本，并且减小了技术难度。以下将结合附图及实施例对本技术做进一步详细说明。附图说明图1是本技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2是本技术实施例提供的GateLine层结构示意图；图3是本技术实施例提供的传统的金属电极层结构示意图；图4是本技术实施例提供的改进型金属电极层结构示意图；图5是本技术实施例提供的高温退火后MO阻隔层对Cu离子的阻隔效果示意图；图6是本技术实施例提供的扩散阻隔示意图；图7是本技术实施例提供的Mo系合金和Mo抗氧化能力对比图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术做进一步详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。但本技术的实施方式不限于此。实施例一薄膜晶体管(TFT)是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层，主要应用在液晶显示器上，是液晶显示面板中的重要部件，其对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。其中，金属电极层包括栅极金属电极层和源、漏极金属电极层，其是薄膜晶体管(TFT)中的重要组成部分，其直接影响薄膜晶体管(TFT)的性能。本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种薄膜晶体管，以解决现有薄膜晶体管金属电极材料Cu制程中的Cu离子扩散和氧化问题。请参见图1，图1是本技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，包括：玻璃基板层1、GateLine(栅极线)层2、绝缘层3、半导体层4、欧姆接触层5、DataLine(数据线)层6以及保护层7；其中，所述GateLine层2生长在所述玻璃基板层1的表面上；所述绝缘层3生长在所述玻璃基板层1表面上，且覆盖于所述GateLine层2；所述半导体层4，生长在所述绝缘层3上；所述欧姆接触层5包括彼此间隔的两部分，分别生长在所述半导体层4表面两端；所述DataLine层6包括源、漏金属电极层61，分别结合于所述欧姆接触层5；所述保护层7生长在所述DataLine层6上，且覆盖于所述DataLine层6；进一步的，所述GateLine层2包括栅金属电极层21、第一抗氧化层22和第一阻隔层23；其中，所述第一抗氧化层22和所述第一阻隔层23分别设置于所述栅金属电极层21上下表面的其中一边。在本实施例中，将第一抗氧化层22设置在所述栅金属电极层21的上表面，将第一阻隔层23设置在所述栅金属电极层21的下表面。请参见图2，图2是本技术实施例提供的GateLine层结构示意图。具体的，所述第一抗氧化层22设于所述栅金属电极层21和所述绝缘层3之间，所述第一阻隔层23设于所述栅金属电极层21和所述玻璃基板层1之间；目前，在TFT-LCD制作中，大多金属电极采用Cu来制作，Cu制程已成为高端面板的主流技术。为了对铜离子实现阻隔，通常在金属电极的下表面制作一层阻隔层。请参见图3，图3是本使用新型实施例提供的传统的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极线层(2)，所述栅极线层(2)包括栅金属电极层(21)、第一抗氧化层(22)和第一阻隔层(23)，其中，所述第一抗氧化层(22)和所述第一阻隔层(23)分别设置于所述栅金属电极层(21)上下表面的其中一边。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极线层(2)，所述栅极线层(2)包括栅金属电极层(21)、第一抗氧化层(22)和第一阻隔层(23)，其中，所述第一抗氧化层(22)和所述第一阻隔层(23)分别设置于所述栅金属电极层(21)上下表面的其中一边。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括数据线层(6)，所述数据线层(6)包括源、漏金属电极层(61)、第二抗氧化层(62)和第二阻隔层(63)；其中，所述第二抗氧化层(62)和所述第二阻隔层(63)分别设置于所述源、漏金属电极层(61)上下表面的其中一边。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一抗氧化层(22)、所述第一阻隔层(23)、所述第二抗氧化层(62)以及所述第二阻隔层(63)至少有一层采用Mo合金材料。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐康，
申请(专利权)人：咸阳彩虹光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61