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本实用新型公开了一种窄腐蚀沟道芯片,包括:衬底,所述衬底包括P型硅和N型硅,所述N型硅固定安装于P型硅上端表面;耐腐蚀层,所述耐腐蚀层包括一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层;其中,所述一号耐腐蚀层涂覆于N型硅之间的P型硅上端表面,所述二号耐腐蚀层涂...该专利属于安徽钜芯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽钜芯半导体科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种窄腐蚀沟道芯片,包括:衬底,所述衬底包括P型硅和N型硅,所述N型硅固定安装于P型硅上端表面;耐腐蚀层,所述耐腐蚀层包括一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层;其中,所述一号耐腐蚀层涂覆于N型硅之间的P型硅上端表面,所述二号耐腐蚀层涂...