【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术是关于半导体制造技术，特别是有关于具有超结结构的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置包含基底以及设置于基底上方的电路组件，并且已经广泛地用于各种电子产品，例如个人电脑、行动电话、数字相机及其他电子设备。半导体装置的演进正持续影响及改善人类的生活方式。由于金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)具有开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、高频特性优良和较大安全操作区间(SafeOperatingArea)等优点，随着制造的技术越来越成熟，应用范围也越来越广。随后更发展出具有超结(superjunction)结构的金属氧化物半导体场效晶体管，例如垂直扩散金属氧化物半导体(VerticallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，VDMOS)装置，其改变了传统金属氧化物半导体场效晶体管的耐压和耗尽区的物理限制，达到降低导通电阻(on-resistance...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n一电荷吸收结构，设置于一基底上方；/n一绝缘层，设置于该电荷吸收结构上方；/n一半导体层，设置于该绝缘层上方；/n多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，设置于该半导体层中，其中所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区沿着一第一方向延伸且沿着一第二方向交错排列，其中该第二方向与该第一方向不同，且所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区具有不同的导电类型；/n一源极和一漏极，分别设置于交错排列的所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区的两侧且沿着该第二方向延伸；以及/n一栅极，设置于交错排列的所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区上且沿着该第二方向延伸。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一电荷吸收结构，设置于一基底上方；
一绝缘层，设置于该电荷吸收结构上方；
一半导体层，设置于该绝缘层上方；
多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，设置于该半导体层中，其中所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区沿着一第一方向延伸且沿着一第二方向交错排列，其中该第二方向与该第一方向不同，且所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区具有不同的导电类型；
一源极和一漏极，分别设置于交错排列的所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区的两侧且沿着该第二方向延伸；以及
一栅极，设置于交错排列的所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区上且沿着该第二方向延伸。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电荷吸收结构包括多晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电荷吸收结构的厚度在100纳米至1000纳米的范围。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一缓冲层，包覆整个该基底。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该缓冲层包括氧化物、氮化物或氧化物和氮化物的组合。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该电荷吸收结构包覆整个该基底，且该缓冲层包覆该电荷吸收结构。
7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该电荷吸收结构包覆整个该基底，且该缓冲层位于该基底和该电荷吸收结构之间。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，更包括一额外的缓冲层，包覆该电荷吸收结构。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对额外的电荷吸收结构，穿过该绝缘层以接触该电荷吸收结构。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该对额外的电荷吸收结构的宽度各自独立地在0.5微米至2微米的范围。
11.一种半导体装置的制造方法，包括：
在一基底上形成一电荷吸收结构；
在该电荷吸收结构上方形成一绝缘层以及位于该绝缘层上方的一半导体层；
在该半导体层上方形成具有多个开口的一遮罩层；
经由所述多个开...
【专利技术属性】
技术研发人员：张睿钧，苏泊沅，廖健男，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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