温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种半导体装置及其制造方法，其包含电荷吸收结构，设置于基底上方；绝缘层，设置于电荷吸收结构上方；半导体层，设置于绝缘层上方；多个第一掺杂区和多个第二掺杂区，设置于半导体层中，其中这些第一掺杂区与这些第二掺杂区沿着第一方向延伸且沿着...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。