一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明专利技术提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本公开内容涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着技术的不断进步，特别是石墨烯二维材料的开发并广泛应用，大大推动了新型二维材料发展。新型二维材料最主要的特性是电子在其上传输的迁移率高；另外，相对于传统的块体材料，新型的二维材料由于其优越的光，电及热等特性被广泛就用于半导体器件上。基于这些特性，目前已有大量的新型二维材料先后被制备成薄膜晶体管，如石墨烯薄膜晶体管，MoS2薄膜晶体管，黑磷薄膜晶体管等。然而，目前这些晶体管都存在着各种问题，如存在较大负的阈值电压，亚阈值摆幅较大等。这些问题将极大地影响薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
本公开内容的目的至少部分在于，提供一种性能稳定且优越的半导体器件及其制备方法。第一方面，提供了一种半导体器件，包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。可选的，所述铁板钛矿为Fe2TiO5，所述钛氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n绝缘衬底；/n由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；/n其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
绝缘衬底；
由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；
其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铁板钛矿为Fe2TiO5，所述钛氧化物为TiO2。


3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源层由下至上依次为所述铁板钛矿的材料层和所述钛氧化物的材料层。


4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源层的厚度为100nm-1000nm。


5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述铁板钛矿的材料层的厚度等于所述钛氧化物的材料层的厚度。


6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述栅极为金属栅极，厚度为30nm-100nm；
所述栅介质层为SiO、Al2O3或HfO2，厚度为500nm-1000nm；
所述源漏电极为Mo或者Ti/Au，厚度为100nm～1μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢年端，李泠，姜文峰，耿玓，王嘉玮，李蒙蒙，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11