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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：绝缘衬底；由下至上依次设置于所述绝缘衬底上的栅极、栅介质层、有源层和源漏电极；其中，所述有源层的材料为铁板钛矿与钛氧化物形成的异质结构材料。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中半导体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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