硅--金属双层结构薄膜热电堆制造技术

本发明专利技术涉及一种硅－金属双层结构薄膜热电堆。主要由硅片衬底、衬底一面上的Ｊ形或Ｌ形多晶硅或金属薄膜条、隔离绝缘层、隔离层上面的Ｌ形或Ｊ形金属或多晶硅薄膜条、测量结点和串连参考结点、输出端和衬底另一面的空穴腔构成。本发明专利技术采用分层立体设计，不但拓宽了热电堆中布置元件的空间，使微小型化薄膜热电堆尺寸更小，串联的热电偶元件数量更多，而且有效地提高了输出量和性能，是一种设计简练、实用的薄膜热电堆。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种组成热电偶对的二种材料多晶硅和金属薄膜条分层隔离设计，采用微电子机械工艺技术研制的双层立体结构薄膜热电堆，属传感元件为热电偶的器件。探测器是辐射测温的关键部件。辐射测温探测器各种各样，有硅光电池、钽酸锂热电探测器、辐射热敏电阻、锗光电二极管和薄膜热电堆等等。其中，薄膜热电堆探测器，配置单片微机处理信息，可显示瞬时值、最大值、最小值、平均值、差值、环境温度补偿、发射率设定，应用前景非常广阔。通常，热电堆由几对或十几对或几十对热电偶串联组成。随着微电子半导体工艺技术的发展，微小型化的薄膜热电堆问世。薄膜热电堆芯片是基于微电子工艺技术而设计研制的温度传感器。国际上，德国、荷兰、美国和日本等国都在研制和开发薄膜热电堆。美国红外萨罗逊(Infrared Solutions)公司用热电堆阵列研制的100型线扫描已用于时速高达80英里行进火车的刹车故障确定。其它国家也已形成产品。日本传感技术编辑部编纂的“传感器件手册”第71节公开了一种利用半导体平面工艺技术设计制造的矩形布线薄膜热电堆。荷兰设计的薄膜热电堆更独具匠心，为了在小型化热电堆有限的平面内制造出最长的热电偶对，薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅－－金属薄膜热电堆，包括单晶硅片衬底、硅片衬底一面上的单层或多层绝缘过渡层、绝缘过渡层上的组成若干对热电偶元件的金属薄膜条和多晶硅薄膜条、金属薄膜条和多晶硅薄膜条二端的欧姆接触测量结点和串联参考结点、外引线输出端脚和单晶硅片衬底另一面的测量区空穴腔，其特征在于有设置在单层或多层绝缘隔离层二边，上下分别隔离叠置，组成热电偶元件的Ｌ形或Ｊ形金属薄膜条和Ｊ形或Ｌ形多晶硅薄膜条。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈德新，卢建国，张保安，戈肖鸿，杨艺榕，董荣康，
申请(专利权)人：中国科学院上海冶金研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]