半导体装置、及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其具备：支承体，其具有安装区域；半导体芯片，其经由规定距离配置于安装区域上；凸块，其配置于支承体与半导体芯片之间；壁部，其以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于支承体与半导体芯片之间；及底部填充树脂层，其配置于支承体与半导体芯片之间；底部填充树脂层覆盖壁部的外侧的侧面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、及半导体装置的制造方法
本专利技术关于一种半导体装置、及半导体装置的制造方法。
技术介绍
作为在第一半导体芯片的安装区域安装有第二半导体芯片的半导体装置，已知在通过凸块接合的第一半导体芯片与第二半导体芯片之间配置有底部填充树脂层的装置。制造此种半导体装置时，有时为了在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间确实地配置底部填充树脂层，使用真空填充法(例如，参考专利文献1)。真空填充法中，在真空环境中，以沿第二半导体芯片的外缘的方式在第一半导体芯片的安装区域以环状配置底部填充树脂剂，在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间形成密闭空间。其后，通过向大气压环境释放，向对应于该密闭空间的区域填充底部填充树脂剂，通过使底部填充树脂剂固化，在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间形成底部填充树脂层。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平8-264587号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]然而，制造如上述的半导体装置时，在为了确实地配置底部填充树脂层而使用真空填充法的情形时，有阻碍装置尺寸的小型化的担忧。其理由为由于为了以沿第二半导体芯片的外缘的方式在第一半导体芯片的安装区域以环状配置底部填充树脂剂，需沿第二半导体芯片的外缘的所有部分扩宽第一半导体芯片的安装区域。本专利技术的目的在于提供一种谋求可靠性的提高及小型化的半导体装置、以及此种半导体装置的制造方法。[解决问题的技术手段]本专利技术的一侧面的半导体装置具备：支承体，其具有安装区域；半导体芯片，其经由规定距离配置于安装区域上；凸块，其配置于支承体与半导体芯片之间；壁部，其以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于支承体与半导体芯片之间；及底部填充树脂层，其配置于支承体与半导体芯片之间。底部填充树脂层覆盖壁部的外侧的侧面。该半导体装置中，例如于制造时使用真空填充法的情形时，能够通过以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置的壁部、及以沿半导体芯片的外缘中除该一部分以外的其他部分的方式配置的底部填充树脂剂，在支承体与半导体芯片之间形成密闭空间。由此，无需沿半导体芯片的外缘的一部分扩宽支承体的安装区域。因此，该半导体装置中，可实现底部填充树脂层的确实的配置、及装置尺寸的小型化。进而，该半导体装置中，由于底部填充树脂层覆盖壁部的外侧的侧面，故而可实现壁部的劣化的抑制、及支承体与半导体芯片的接合强度的提高。通过以上，根据该半导体装置，可谋求可靠性的提高及小型化。本专利技术的一侧面的半导体装置中，底部填充树脂层可覆盖壁部的外侧的侧面的整体。根据该构成，可更加确实地实现壁部的劣化的抑制、及支承体与半导体芯片的接合强度的提高。本专利技术的一侧面的半导体装置中，壁部的材料可与凸块的材料相同。根据该构成，可抑制由凸块与壁部之间的热膨胀系数的差所导致的破损等。另外，凸块及壁部的形成较容易。本专利技术的一侧面的半导体装置中，在自支承体与半导体芯片相对的方向观察的情形时，壁部的外侧的侧面可较半导体芯片的外缘的一部分更位于内侧。根据该构成，由于以壁部的外侧的侧面为底面的槽以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式形成，故而底部填充树脂层中覆盖壁部的外侧的侧面的部分稳定，同时有助于小型化的该部分的突出量更小。本专利技术的一侧面的半导体装置中，底部填充树脂层包括：第一填角部，其以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式在该一部分的外侧配置于安装区域；及第二填角部，其以沿半导体芯片的外缘中除一部分以外的其他部分的方式在该其他部分的外侧配置于安装区域。第一填角部的宽度可小于第二填角部的宽度。根据该构成，可维持装置尺寸的小型化，并实现支承体与半导体芯片的接合平衡及接合强度的提高。本专利技术的一侧面的半导体装置中，第一填角部及第二填角部可到达半导体芯片的侧面。根据该构成，可更加确实地实现支承体与半导体芯片的接合平衡及接合强度的提高。本专利技术的一侧面的半导体装置中，支承体进而具有与安装区域相邻的受光区域，半导体芯片的外缘的一部分可为半导体芯片的外缘中以沿受光区域的方式延伸的部分。根据该构成，半导体芯片与受光区域可接近配置。本专利技术的一侧面的半导体装置进而在安装区域具备与半导体芯片相邻的另外的半导体芯片，半导体芯片的外缘的一部分可为半导体芯片的外缘中以沿另外的半导体芯片的方式延伸的部分。根据该构成，半导体芯片与另外的半导体芯片可接近配置。本专利技术的一侧面的半导体装置中，支承体进而具有与安装区域相邻的端子区域，半导体芯片的外缘的一部分可为半导体芯片的外缘中以沿端子区域的方式延伸的部分。根据该构成，半导体芯片与端子区域可接近配置。本专利技术的一侧面的半导体装置的制造方法具备：第一工序，其在支承体所具有的安装区域上，经由规定距离配置半导体芯片，通过配置于支承体与半导体芯片之间的凸块、及以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于支承体与半导体芯片之间的壁部，接合支承体与半导体芯片；第二工序，其在第一气压的环境中，以沿半导体芯片的外缘中除一部分以外的其他部分的方式在其他部分的外侧将底部填充树脂剂配置于安装区域，通过壁部及底部填充树脂剂，在支承体与半导体芯片之间形成密闭空间；及第三工序，其通过配置于高于上述第一气压的第二气压的环境，向与密闭空间对应的区域填充底部填充树脂剂，通过使底部填充树脂剂固化，在支承体与半导体芯片之间配置底部填充树脂层。该半导体装置的制造方法中，通过以沿半导体芯片的外缘的一部分的方式配置的壁部、及以沿半导体芯片的外缘中除该一部分以外的其他部分的方式配置的底部填充树脂剂，在支承体与半导体芯片之间形成密闭空间。由此，无需沿半导体芯片的外缘的一部分扩宽支承体的安装区域。因此，根据该半导体装置的制造方法，可获得实现可靠性的提高、及装置尺寸的小型化的半导体装置。[专利技术的效果]根据本专利技术，能够提供谋求了可靠性的提高及小型化的半导体装置、以及此种半导体装置的制造方法。附图说明图1为一实施方式的半导体装置的俯视图。图2为沿图1所示的II-II线的半导体装置的剖视图。图3的(a)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的俯视图。图3的(b)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的剖视图。图4的(a)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的俯视图。图4的(b)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的剖视图。图5的(a)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的俯视图。图5的(b)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的剖视图。图6的(a)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的俯视图。图6的(b)为表示图1所示的半导体装置的制造方法的一工序的剖视图。图7的(a)及(b)为其他实施方式的半导体装置的一部分的剖视图。图8为其他实施方式的半导体装置的俯视图。图9为沿图8所示的IX-IX线的半导体装置的剖视图。图10的(a)、(b)及(c)为其他实施方式的半导体装置的俯视图。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，/n具备：支承体，其具有安装区域；/n半导体芯片，其经由规定距离配置于所述安装区域上；/n凸块，其配置于所述支承体与所述半导体芯片之间；/n壁部，其以沿所述半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于所述支承体与所述半导体芯片之间；及/n底部填充树脂层，其配置于所述支承体与所述半导体芯片之间，/n所述底部填充树脂层覆盖所述壁部的外侧的侧面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180125 JP 2018-0107091.一种半导体装置，其中，
具备：支承体，其具有安装区域；
半导体芯片，其经由规定距离配置于所述安装区域上；
凸块，其配置于所述支承体与所述半导体芯片之间；
壁部，其以沿所述半导体芯片的外缘的一部分的方式配置于所述支承体与所述半导体芯片之间；及
底部填充树脂层，其配置于所述支承体与所述半导体芯片之间，
所述底部填充树脂层覆盖所述壁部的外侧的侧面。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述底部填充树脂层覆盖所述壁部的所述外侧的侧面的整体。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述壁部的材料与所述凸块的材料相同。


4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
在自所述支承体与所述半导体芯片相对的方向观察的情况下，所述壁部的所述外侧的侧面较所述半导体芯片的所述外缘的所述一部分更位于内侧。


5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述底部填充树脂层包括：
第一填角部，其以沿所述半导体芯片的所述外缘的所述一部分的方式在该一部分的外侧配置于所述安装区域；及
第二填角部，其以沿所述半导体芯片的所述外缘中除所述一部分以外的其他部分的方式在该其他部分的外侧配置于所述安装区域，
所述第一填角部的宽度小于所述第二填角部的宽度。


6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第一填角部及所述第二填角部到达所述半导体芯片的侧面。

【专利技术属性】
技术研发人员：高木慎一郎，米田康人，村松雅治，井上直，山本宙和，中田慎一，小山卓雄，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP