接合体的制造方法、临时固定部件及层叠体技术

本发明专利技术提供一种抑制导电性部件彼此的位置偏离并且抑制导电性部件彼此接合的阻碍的接合体的制造方法、用于制造接合体的临时固定部件及层叠体。接合体的制造方法包括：临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个导电部件彼此临时固定；去除工序，去除临时固定部件；及接合工序，接合至少两个导电部件。临时固定部件用于接合体的制造方法。层叠体是在具有导电性的至少两个导电部件之间设置临时固定部件而层叠的层叠体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体的制造方法、临时固定部件及层叠体
本专利技术涉及一种作为连接对象接合至少两个导电性部件的接合体的制造方法、用于制造接合体的临时固定部件及层叠至少两个导电性部件的层叠体，尤其涉及一种接合体的制造方法、临时固定部件及层叠体。
技术介绍
在设置于绝缘性基材上的多个贯穿孔内填充金属等导电性物质而形成的结构体是近年来在纳米技术中也受到关注的领域的一，例如期待作为各向异性导电性部件的用途。各向异性导电性部件插入于半导体元件等电子组件与电路基板之间，并仅通过加压便可获得电子组件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子组件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛地使用。尤其，半导体元件等电子组件的小型化显著。以往的引线接合等直接连接配线基板的方式、倒装芯片接合及热压接合等中，无法充分保证电子组件的电连接，因此作为电连接部件各向异性导电性部件受到关注。例如，专利文献1中记载有一种各向异性导电性部件，所述各向异性导电性部件具备：多个导电通路，沿绝缘性基材的厚度方向贯穿，以彼此绝缘的状态设置且由导电性部件构成；粘合层，设置在绝缘性基材的表面，各导电通路具有从绝缘性基材的表面突出的突出部分，各导电通路的突出部分的端部从粘合层的表面露出或突出。在专利文献1中，设为也可以应用设置于各向异性导电性部件的绝缘性基材的表面的粘合层来临时固定于晶片上之后使用晶片结合器加热压接各向异性导电性部件来进行正式接合。以往技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/006660号公报<br>上述专利文献1中，如上所述，应用设置于各向异性导电性部件的绝缘性基材的表面的粘合层来临时固定在晶片上之后进行正式接合的情况下，各向异性导电性部件的接合中存在改良的余地。例如，若粘合层残留于连接对象的电极与各向异性导电性部件之间，则会阻碍金属彼此的接合，由此电阻变大。如上所述，用于临时固定的粘合层的残留成为导电电阻增加的原因。并且，接合中存在粘合层的情况下，粘合层根据正式接合的接合条件而流动，从而有可能临时固定状态偏离而产生位置偏离。
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题本专利技术的目的在于提供一种抑制导电部件彼此的位置偏离并且抑制导电部件彼此接合的阻碍的接合体的制造方法、用于制造接合体的临时固定部件及层叠体。用于解决技术课题的手段为了实现上述目的，本专利技术提供一种接合体的制造方法，所述接合体的制造方法包括：临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个导电部件彼此临时固定；去除工序，去除临时固定部件；及接合工序，接合至少两个导电部件。优选同时实施去除工序及接合工序。优选去除工序包含临时固定部件的气化工序及将临时固定部件置换成气体或填充剂的置换工序中的至少一个工序。临时固定部件优选在温度23℃下为液体，更优选液体的沸点为50℃以上且250℃以下。导电部件优选具有电极的部件或各向异性导电性部件。本专利技术提供一种用于接合体的制造方法的临时固定部件。本专利技术提供一种在至少两个具有导电性的导电部件之间设置有本专利技术的临时固定部件而层叠的层叠体。专利技术效果根据本专利技术，能够得到抑制导电部件彼此的位置偏离并且抑制导电部件彼此接合的阻碍的接合体的制造方法、用于制造接合体的临时固定部件及层叠体。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的第1例的示意图。图2是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的第2例的示意图。图3是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的半导体元件的端子的结构的一例的示意性剖视图。图4是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。图5是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。图6是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。图7是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的半导体元件的端子的结构的另一例的示意性剖视图。图8是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的第3例的示意图。图9是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的第4例的示意图。图10是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。图11是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。图12是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。图13是放大表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。图14是表示本专利技术的实施方式的接合体中所使用的各向异性导电性部件的一例的示意性俯视图。图15是表示本专利技术的实施方式的接合体中所使用的各向异性导电性部件的一例的示意性剖视图。图16是表示本专利技术的实施方式的接合体中所使用的半导体元件的对准标记的一例的示意性立体图。图17是表示本专利技术的实施方式的接合体中所使用的第一半导体晶片的对准标记的一例的示意图。图18是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第3例的一工序的示意图。图19是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第3例的一工序的示意图。图20是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第3例的一工序的示意图。图21是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第3例的一工序的示意图。图22是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第4例的一工序的示意图。图23是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第4例的一工序的示意图。图24是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第4例的一工序的示意图。图25是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第4例的一工序的示意图。图26是表示本专利技术的实施方式的接合体中所使用的半导体元件的对准标记的另一例的示意性立体图。图27是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的一工序的示意图。图28是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的一工序的示意图。图29是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的一工序的示意图。图30是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的一工序的示意图。图31是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的第1变形例的一工序的示意图。图32是表示本专利技术的实施方式的接合体的一例的层叠器件的制造方法的第5例的第2变形例的一工序的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接合体的制造方法，其包括：/n临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个所述导电部件彼此临时固定；/n去除工序，去除所述临时固定部件；及/n接合工序，接合至少两个所述导电部件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180223 JP 2018-030979;20180423 JP 2018-0821931.一种接合体的制造方法，其包括：
临时固定工序，通过在至少两个具有导电性的导电部件之间设置临时固定部件而使至少两个所述导电部件彼此临时固定；
去除工序，去除所述临时固定部件；及
接合工序，接合至少两个所述导电部件。


2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，
同时实施所述去除工序及所述接合工序。


3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，
所述去除工序包括所述临时固定部件的气化工序及将所述临时固定部件置换成气体或填充剂的置换工序中的至少一个工序...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋江俊之，山下广祐，堀田吉则，殿原浩二，黑冈俊次，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP