半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置1包括：基板10，其具有半导体芯片配置面12；半导体芯片20，其被配置于半导体芯片配置面12上，且具有形成于与半导体芯片配置面12相向的面是相反侧的面上的主电极24及形成于与主电极24分离的位置上的控制电极26；以及引线30，其具有至少一部分是经由焊锡40而与主电极24相接合的电极连接片32，其中，从平面上看，电极连接片32具有向半导体芯片20侧突出的凸部38，凸部38位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面37上的栅电极26侧的边缘部37与栅电极26之间、或位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面36上的栅电极26侧的边缘部37相接的位置上。根据本发明专利技术的半导体装置1，能够提供可靠性不易下降的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
以往，有一种经由焊锡而接合有半导体芯片与引线的半导体装置已被普遍知晓(例如，参照专利文献1)。如图8所示，专利文献1中记载的以往的半导体装置900包括：基板910，其具有半导体芯片配置面912；半导体芯片920，其被配置于半导体芯片配置面912上，且具有形成于与半导体芯片配置面912是相向的面上的集电极922、以及具有形成于与半导体芯片配置面912相向的面是相反侧的面上的发射极924(主电极)及形成于与发射极924分离的位置上的栅电极926(控制电极)；以及引线930，其具有电极连接片932，并且该电极连接片932经由焊锡940而与发射极924相接合。根据专利文献1中记载的以往的半导体装置900，其电极连接片932是经由焊锡940而与发射极924相接合，即，由于是仅经由焊锡940(不经由导线等中间构件)来直接连接半导体芯片920与引线930，因此，半导体装置900适于具有较大的电流容量且使用大电流的电子设备(例如电源)。此外，在专利文献1中记载的以往的半导体装置900中，为了形成焊锡而使用糊状的焊锡材料。【先行技术文献】【专利文献1】特开2010-123686号公报【专利文献2】特开2017-199809号公报然而，在专利文献1中记载的以往的半导体装置中，当在制造过程中进行回流后，有时会由于糊状的焊锡材料中的助焊剂急剧地蒸发而导致焊锡材料或助焊剂飞散，从而会使焊锡(焊球SB)或助焊剂粘附在栅电极926的表面上(参照图9)。而在这种情况下，在之后的导线接合工序中，栅电极926与导线970之间的接合强度就会下降，从而就有可能产生半导体装置的可靠性下降的问题。特别是在为了缓和作用于半导体芯片与引线之间的焊锡的应力(例如热应力)而必须要使该焊锡保持在一定厚度以上的情况下(例如，参照专利文献2)，由于从焊锡材料的侧面的上部(以半导体芯片为基准时的高度较高的部分)飞散的焊锡或助焊剂被送到一定距离以外的地方，因此上述问题会变得尤为显著。所以，本专利技术为了解决上述问题，目的是提供一种可靠性不易下降的半导体装置。此外，本专利技术的目的还提供一种半导体装置的制造方法，来用于制造所述半导体装置。
技术实现思路
【1】本专利技术的半导体装置，其特征在于，包括：基板，其具有半导体芯片配置面；半导体芯片，其被配置于所述半导体芯片配置面上，且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极；以及引线，其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片，其中，从平面上看，所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上。【2】在本专利技术的半导体装置中，最好是：所述凸部从平面上看被配置在所述半导体芯片所配置着的区域内。【3】在本专利技术的半导体装置中，最好是：所述凸部与所述半导体芯片不接触。【4】在本专利技术的半导体装置中，最好是：所述凸部按照在通过所述焊锡来接合所述主电极与所述电极连接片的接合工序中遮挡从所述焊锡的侧面飞散的焊球到达所述控制电极的配置结构，设置在所述电极连接片上。【5】在本专利技术的半导体装置中，最好是：在从截面观看时，所述引线在所述凸部的部分处向所述半导体芯片侧折弯。【6】在本专利技术的半导体装置中，最好是：在从所述电极连接片上的与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面观看时，在所述电极连接片上形成有与所述凸部相对应的凹部。【7】在本专利技术的半导体装置中，最好是：从平面上看，所述电极连接片被配置为覆盖所述焊锡整体。【8】本专利技术的半导体装置的制造方法用于制造上述【1】～【7】中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片配置工序，在具有半导体芯片配置面的基板的所述半导体芯片配置面上配置半导体芯片，使得主电极以及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极位于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上；组装体形成工序，将具有形成了向一个面突出的凸部的电极连接片的引线按照：使所述主电极与所述电极连接片成为夹着焊锡材料的相向状态，并且从平面上看，使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上，并且是使所述凸部成为向所述半导体芯片侧突出的状态来进行配置后形成组装体；以及接合工序，在将所述焊锡材料熔融后通过使其固化来将所述主电极与所述电极连接片经由焊锡进行接合。专利技术效果根据本专利技术的半导体装置，由于从平面上看，电极连接片具有向半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于电极连接片上的与焊锡接合的接合面上的栅电极侧的边缘部与栅电极之间、或位于电极连接片上的与焊锡接合的接合面上的栅电极侧的边缘部相接的位置上，因此，当在制造过程中通过接合工序来进行回流时，即使焊锡材料中的助焊剂急剧地蒸发而导致焊锡或助焊剂飞散，飞散的焊锡或助焊剂也会碰上凸部，从而焊锡或助焊剂就会由于该凸部而不易粘附在控制电极的表面上。所以，在之后的导线接合工序中，控制电极与导线之间的接合强度就会变得不易下降，从而可靠性也会变得不易下降。根据本专利技术的半导体装置，由于从平面上看，电极连接片具有向半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于电极连接片上的与焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与控制电极之间、或位于电极连接片上的与焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上，因此，即使是在因必须要使焊锡的厚度保持在一定厚度以上而导致从焊锡材料侧面上部飞散的焊锡或助焊剂容易被送到一定距离以外的地方时，从焊锡材料侧面上部飞散的焊锡或助焊剂中的大部分也将会碰上凸部。所以，由于焊锡或助焊剂会变得不易粘附在控制电极的表面上，因此，在之后的导线接合工序中，控制电极与导线之间的接合强度就会变得更不易下降，从而可靠性也会变得更不易下降。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，由于该制造方法包含：组装体形成工序，将具有形成了向一个面突出的凸部的电极连接片的引线按照：使主电极与电极连接片成为夹着焊锡材料的相向状态，并且从平面上看，使凸部是位于电极连接片上的与焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与控制电极之间、或使凸部是位于电极连接片上的与焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上，并且是使凸部成为向半导体芯片侧突出的状态来进行配置后形成组装体；以及接合工序，在将焊锡材料熔融后通过使其固化来将主电极与电极连接片经由焊锡进行接合，因此，即使在接合工序中，焊锡材料中的助焊剂急剧地蒸发而导致焊锡或助焊剂飞散，飞散的焊锡或助焊剂也会碰上凸部，从而焊锡或助焊剂就会由于该凸部而不易粘附在控制电极的表面上。所以，在之后的导线接合工序中，控制电极与导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n基板，其具有半导体芯片配置面；/n半导体芯片，其被配置于所述半导体芯片配置面上，且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极；以及/n引线，其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片，/n其中，从平面上看，所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基板，其具有半导体芯片配置面；
半导体芯片，其被配置于所述半导体芯片配置面上，且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极；以及
引线，其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片，
其中，从平面上看，所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述凸部从平面上看被配置在所述半导体芯片所配置着的区域内。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述凸部与所述半导体芯片不接触。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述凸部按照：在通过所述焊锡来接合所述主电极与所述电极连接片的接合工序中遮挡从所述焊锡的侧面飞散的焊球到达所述控制电极的配置结构，设置在所述电极连接片上。


5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在从截面观看时，所述引线在所述凸部的部分处向所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川政雄，桑野亮司，篠竹洋平，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP