半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其能够提高破坏耐受量，且恢复特性良好，恢复损失不易增大。本发明专利技术的半导体装置包括：半导体基体(110)、具有开口(122)的绝缘层(120)、以及表面电极(130)，其中，半导体基体(110)具有漂移区域(112)、p型杂质区域(113)以及周边杂质区域(114)，p型杂质区域(114)具有形成在与周边杂质区域114重叠的部分上的高浓度区域115，在半导体基体110内形成有再结合中心，半导体基体110的表面中的周边杂质区域114的内周端位于开口122的端部的内周侧，从周边杂质区域114的内周端到开口122的端部的长度为0.01μm以上且小于30μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、以往，已知一种半导体装置(二极管)，其包括经由绝缘层的开口与半导体基体连接的表面电极(例如，参照专利文献1)。

2、图7是以往的半导体装置900的截面图。图中符号917表示保护环。专利文献1中记载半导体装置(以下称为以往的半导体装置900)，如图7所示，包括：半导体基体910、绝缘层920、表面电极930、背面电极940以及表面保护膜950。绝缘层920形成在半导体基体910的表面上，并具有露出半导体基体910的表面的开口922。表面电极930在开口922处与半导体基体910连接。

3、半导体基体910包括：n+型低电阻半导体层911、n型漂移区域912、形成于漂移区域912的表层部的p-型p型杂质区域913、形成于漂移区域912的表层部中的p型杂质区域913的周缘部且杂质浓度高于p型杂质区域913的p型周边杂质区域914。

4、根据以往的半导体装置900，由于具有周边杂质区域914，因此能够降低p型杂质区域913的外周端部的杂质浓度的梯度，从而抑制p型杂质区域913在外周端部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.一种半导体装置，其特征在于,包括：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.一种半导体装置，其特征在于,包括：

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤梓，松崎欣史，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：