温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置，其能够提高破坏耐受量，且恢复特性良好，恢复损失不易增大。本发明的半导体装置包括：半导体基体(110)、具有开口(122)的绝缘层(120)、以及表面电极(130)，其中，半导体基体(110)具有漂移区域(112)、...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。