清洗方法、单晶硅的制造方法及清洗装置制造方法及图纸

一种清洗方法，其具备：第1去除工序，在制造添加了n型掺杂剂的单晶硅之后，使得已被赋予脉动的非活性气体流入排气配管中，由此剥离并去除堆积物；及第2去除工序，经由腔室，使得未被赋予脉动的空气流入排气配管中，用空气使在第1去除工序中未完全去除的堆积物燃烧，并且剥离并去除其燃烧物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洗方法、单晶硅的制造方法及清洗装置
本专利技术涉及一种清洗方法、单晶硅的制造方法及清洗装置。
技术介绍
在制造添加了n型掺杂剂（例如，锑、砷、红磷）的单晶硅的情况下，由于n型掺杂剂的沸点低于硅的熔点，因此导致熔液中的掺杂剂蒸发到腔室环境中，单晶硅的电阻率有可能变得高于所期望的值。为了抑制这种不良状况，在培育添加了n型掺杂剂的单晶硅时，通常会增大腔室的压力。然而，若增大腔室的压力，则排气配管的内部的环境中的蒸发物浓度变高，导致在其内壁堆积含有掺杂剂的蒸发物的堆积物。若排气配管的堆积物变多，则堆积物逆流到腔室内，有可能混入到硅熔液或单晶硅中而发生位错化。因此，对去除排气配管的堆积物的清洗方法进行了研究（例如，参考专利文献1）。专利文献1中所记载的清洗方法，首先，通过开放腔室，使空气流入排气配管中，使堆积物的表层燃烧。然后，在与腔室中的排气配管内连通的多个排气孔分别配置清洗用开闭阀，在打开清洗用开闭阀的状态下，驱动清洗用抽吸泵。由此未被赋予脉动的空气流入排气配管中而堆积物燃烧，其燃烧物剥离后被抽吸（以下称为第1工序）。接着，在已驱动清洗用抽吸泵的状态下，暂时关闭所有的清洗用开闭阀，由此将排气配管内设为负压，将任一个清洗用开闭阀打开再关闭，由此在排气配管中产生恢复为大气压的压力变动，被赋予脉动的空气流入排气配管中。由此残留在排气配管的堆积物燃烧，通过空气的脉动，更强的剥离力使燃烧物剥离后被抽吸（以下称为第2工序）。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5644861号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，与p型掺杂剂相比，n型掺杂剂在单晶硅制造中挥发性较高，因此堆积物有可能变厚。因此，即使进行了专利文献1的第1工序，整体来看，也只能燃烧较薄的表层，有可能导致残留很多未燃烧的堆积物。并且，由于堆积物较厚而且固接力较强，因此仅通过未被赋予脉动的第1工序，无法充分地剥离堆积物。而且，若在未燃烧的堆积物暴露的状态下进行第2工序，则在产生空气的脉动时，有可能因压力变动而未燃烧的堆积物和空气剧烈地反应而起火。本专利技术的目的在于提供一种清洗方法、单晶硅的制造方法及清洗装置，所述清洗方法能够抑制堆积在排气配管的含有掺杂剂的蒸发物的堆积物的起火，同时能够适当地去除堆积物。用于解决技术问题的方案本专利技术的清洗方法是在具备腔室以及将所述腔室内的气体排出的排气配管的单晶提拉系统中，去除堆积在所述排气配管中的含有掺杂剂的蒸发物的堆积物的清洗方法，该清洗方法的特征在于，具备：第1去除工序，在制造添加了n型掺杂剂的单晶硅之后，使已被赋予脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此剥离并去除所述堆积物；及第2去除工序，经由所述腔室，使未被赋予脉动的空气流入所述排气配管中，用所述空气使在所述第1去除工序中未完全去除的堆积物燃烧，并且剥离并去除其燃烧物。根据本专利技术，在第1去除工序中，由于使用已被赋予脉动的非活性气体剥离堆积物，因此与使用未被赋予脉动的非活性气体的情况相比，能够以较强的剥离力剥离并去除堆积物。并且，由于使用非活性气体作为已被赋予脉动的气体，并且堆积物不会和非活性气体反应，因此能够抑制堆积物的起火。而且，在第2去除工序中，由于使用未被赋予脉动的空气，因此不产生较大的压力变动，空气和未燃烧的堆积物也不会剧烈地反应，能够抑制起火。并且，通过实施第1去除工序而使堆积物的厚度变薄，因此，能够遍及堆积物的整个厚度方向使堆积物燃烧，并且即使使用未被赋予脉动且剥离力不强的空气，也能够剥离并去除所有残余的堆积物。因此，能够抑制堆积在排气配管的堆积物的起火，同时能够适当地去除堆积物。另外，在本专利技术中，“空气”为包围地球的气体的总体，是指以氮、氧、氢、氩、二氧化碳、臭氧、氖、氦、水蒸气等为成分的气体。在本专利技术的清洗方法中，优选在所述单晶提拉系统中设置在所述单晶硅的制造过程中调整所述腔室内的压力的真空泵以及抽吸所述排气配管的所述堆积物的送风机，所述第1去除工序中，在停止驱动所述真空泵且已驱动所述送风机的状态下，使已被赋予所述脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此使所述堆积物剥离并由所述送风机进行抽吸，所述第2去除工序中，用所述送风机，剥离并抽吸在未被赋予所述脉动的空气中所燃烧的所述燃烧物。根据本专利技术，在第1、第2去除工序中，除了通常的单晶提拉系统中设置的真空泵以外，还设置抽吸堆积物的送风机，由此能够用较强的剥离力去除堆积物。本专利技术的清洗方法中，优选在所述单晶提拉系统中设置在所述单晶硅的制造过程中调整所述腔室内的压力的真空泵，所述第1去除工序中，在已驱动所述真空泵的状态下，使已被赋予所述脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此剥离所述堆积物并由所述真空泵进行抽吸，所述第2去除工序中，用所述真空泵剥离并抽吸在未被赋予所述脉动的空气中所燃烧的所述燃烧物。根据本专利技术，在第1、第2去除工序中，由于使用通常的单晶提拉系统中设置的真空泵，因此无需在以往的单晶提拉系统中设置送风机，从而能够抑制结构的复杂化及成本的提高。在本专利技术的清洗方法中，优选所述腔室具有主腔室及拉晶室，所述第1去除工序中，从所述主腔室卸下所述拉晶室，在所述主腔室中的与所述排气配管内连通的排气孔配置排气孔开闭机构，用盖封闭所述主腔室中与所述拉晶室的连结开口部，用所述排气孔开闭机构关闭所述排气孔，并且将所述排气配管设为负压，经由设置于所述盖的供给管将所述非活性气体填充于所述主腔室，用所述排气孔开闭机构开闭所述排气孔，使在所述排气配管中产生恢复为所述主腔室的压力的压力变动，由此使已被赋予脉动的所述非活性气体流入所述排气配管中，所述第2去除工序中，用所述排气孔开闭机构打开所述排气孔并且从所述连结开口部移动所述盖，或者，打开设置于所述盖的阀，或者，使所述主腔室从底板浮起，由此使未被赋予脉动的空气流入所述排气配管中。根据本专利技术，用排气孔开闭机构关闭排气孔，由此划分主腔室和连结配管，然后将排气配管设为负压，同时将非活性气体填充于主腔室之后，采用只开闭排气孔这种简单方法能够使填充于主腔室中的非活性气体在被赋予脉动的状态下流入排气配管中。并且，采用只从连结开口部移动盖或者打开设置于盖的阀这种简单的方法能够使未被赋予脉动的空气流入排气配管中。本专利技术的清洗方法中，优选所述腔室具有主腔室及拉晶室，所述主腔室由能够分割的多个分割腔室构成，所述第1去除工序中，从所述主腔室卸下所述拉晶室，在所述主腔室中的与所述排气配管内连通的排气孔配置排气孔开闭机构，用盖封闭所述主腔室中与所述拉晶室的连结开口部，用所述排气孔开闭机构关闭所述排气孔，并且将所述排气配管设为负压，经由设置于所述盖的供给管将所述非活性气体填充于所述主腔室，用所述排气孔开闭机构开闭所述排气孔，使在所述排气配管中产生恢复为所述主腔室的压力的压力变动，由此使已被赋予脉动的所述非活性气体流入所述排气配管中，所述第2去除工序中，用所述排气孔开闭机构打开所述排气孔并且移动所述多个分割腔室中的任一个，从而在与其他分割腔室之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种清洗方法，其在具备腔室以及将所述腔室内的气体排出的排气配管的单晶提拉系统中，去除堆积在所述排气配管中的含有掺杂剂的蒸发物的堆积物，所述清洗方法的特征在于，具备：/n第1去除工序，在制造添加了n型掺杂剂的单晶硅之后，使得已被赋予脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此剥离并去除所述堆积物；及/n第2去除工序，经由所述腔室，使得未被赋予脉动的空气流入所述排气配管中，用所述空气使在所述第1去除工序中未完全去除的堆积物燃烧，并且剥离并去除其燃烧物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171220 JP 2017-2440981.一种清洗方法，其在具备腔室以及将所述腔室内的气体排出的排气配管的单晶提拉系统中，去除堆积在所述排气配管中的含有掺杂剂的蒸发物的堆积物，所述清洗方法的特征在于，具备：
第1去除工序，在制造添加了n型掺杂剂的单晶硅之后，使得已被赋予脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此剥离并去除所述堆积物；及
第2去除工序，经由所述腔室，使得未被赋予脉动的空气流入所述排气配管中，用所述空气使在所述第1去除工序中未完全去除的堆积物燃烧，并且剥离并去除其燃烧物。


2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，
在所述单晶提拉系统中设置在所述单晶硅的制造过程中调整所述腔室内的压力的真空泵以及抽吸所述排气配管的所述堆积物的送风机，
所述第1去除工序中，
在停止驱动所述真空泵且已驱动所述送风机的状态下，使得已被赋予所述脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此使得所述堆积物剥离并由所述送风机进行抽吸，
所述第2去除工序中，
用所述送风机，剥离并抽吸在未被赋予所述脉动的空气中所燃烧的所述燃烧物。


3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，
在所述单晶提拉系统中设置在所述单晶硅的制造过程中调整所述腔室内的压力的真空泵，
所述第1去除工序中，
在已驱动所述真空泵的状态下，使得已被赋予所述脉动的非活性气体流入所述排气配管中，由此使所述堆积物剥离并由所述真空泵进行抽吸，
所述第2去除工序中，
用所述真空泵，剥离并抽吸在未被赋予所述脉动的空气中所燃烧的所述燃烧物。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述腔室具有主腔室及拉晶室，
所述第1去除工序中，
将所述拉晶室从所述主腔室卸下，在所述主腔室中的与所述排气配管内连通的排气孔配置排气孔开闭机构，
用盖封闭所述主腔室中与所述拉晶室的连结开口部，
用所述排气孔开闭机构关闭所述排气孔，并且将所述排气配管设为负压，
经由设置于所述盖的供给管将所述非活性气体填充于所述主腔室，
用所述排气孔开闭机构开闭所述排气孔，使得所述排气配管中产生恢复为所述主腔室的压力的压力变动，由此使已被赋予脉动的所述非活性气体流入所述排气配管中，
所述第2去除工序中，
用所述排气孔开闭机构打开所述排气孔并且从所述连结开口部移动所述盖，或者，打开设置于所述盖的阀，由此使得未被赋予脉动的空气流入所述排气配管中。


5.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，
所述腔室具有主腔室及拉晶室，
所述主腔室由能够分割的多个分割腔室构成，
所述第1去除工序中，
将所述拉晶室从所述主腔室卸下，在所述主腔室中的与所述排气配管内连通的排气孔配置排气孔开闭机构，
用...

【专利技术属性】
技术研发人员：前川浩一，四井拓也，滨川学，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP