【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体集成电路制造工艺中，会采用一系列的工序，例如淀积、光刻、刻蚀和平坦化工艺等，从而形成半导体结构。其中，光刻和刻蚀是半导体制造过程中主要的图形化手段。光刻工艺通常是在一个基底上形成光敏材料层(例如：光刻胶层)，然后将掩膜板(mask)上的图形通过曝光转移至光敏材料层上，从而在所述光敏材料层内形成图形，以形成图形化的掩膜层，定义出待刻蚀区域；而刻蚀工艺通常是以所述掩膜层为掩膜，对待刻蚀层中的待刻蚀区域进行刻蚀，从而将所述掩膜层内的图形转移至待刻蚀层中，进而在所述待刻蚀层内形成所需的结构。随着超大集成电路的不断发展，半导体器件的关键尺寸(criticaldimension，CD)不断减小，光刻工艺对器件性能的影响越来越明显。因此，在关键尺寸越来越小的情况下，如何提高图形转移的精准度和稳定性成为业界的研究热点；而且，图形密集区(densearea)和图形稀疏区(isolatedarea)的图形关键尺寸差...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括图形密集区和图形稀疏区；/n在所述基底上形成多个分立的硬掩膜层，相邻所述硬掩膜层与所述基底围成开口，且所述图形稀疏区开口的宽度大于所述图形密集区开口的宽度；/n形成至少位于所述图形稀疏区的开口侧壁上的修整层，所述修整层与所述硬掩膜层构成掩膜结构层；/n以所述掩膜结构层为掩膜，刻蚀所述开口露出的部分厚度所述基底，形成凸出于剩余所述基底的多个目标图形层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括图形密集区和图形稀疏区；
在所述基底上形成多个分立的硬掩膜层，相邻所述硬掩膜层与所述基底围成开口，且所述图形稀疏区开口的宽度大于所述图形密集区开口的宽度；
形成至少位于所述图形稀疏区的开口侧壁上的修整层，所述修整层与所述硬掩膜层构成掩膜结构层；
以所述掩膜结构层为掩膜，刻蚀所述开口露出的部分厚度所述基底，形成凸出于剩余所述基底的多个目标图形层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述修整层的步骤包括：进行至少一次刻蚀前预处理，在所述图形稀疏区和图形密集区的开口侧壁上形成修整层；
所述刻蚀前预处理的步骤包括：进行等离子体预处理，在所述开口的底部和侧壁、以及所述硬掩膜层的顶部形成修整材料层；去除位于所述开口底部、以及所述硬掩膜层顶部的修整材料层，沿垂直于所述开口侧壁的方向上，所述图形稀疏区开口侧壁上的剩余修整材料层厚度大于所述图形密集区开口侧壁上的剩余修整材料层厚度。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述修整层的步骤包括：对所述图形稀疏区和图形密集区的开口侧壁露出的所述硬掩膜层进行氧化处理，在剩余所述硬掩膜层的侧壁上形成所述修整层，且沿垂直于所述开口侧壁的方向上，所述图形稀疏区修整层的厚度大于所述图形密集区修整层的厚度。
4.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述掩膜结构层为掩膜，刻蚀所述开口露出的部分厚度所述基底之前，还包括：去除所述图形密集区的修整层。
5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体预处理的参数包括：反应气体包括SiCl4、CH4、CH3F或CH2F2气体，SiCl4气体流量为5sccm至500sccm，或者，CH4气体流量为5sccm至500sccm，或者，CH3F气体流量为5sccm至500sccm，或者，CH2F2气体流量为5sccm至500sccm，源功率为100W至1000W，工艺压强为5mtorr至200mtorr。
6.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀工艺，去除位于所述开口底部、以及所述硬掩膜层顶部的修整材料层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺的参数包括：刻蚀气体包括CF4、CH3F和NF3，CF4气体流量为5sccm至500sccm，CH3F气体流量为5sccm至500sccm，NF3气体流量为5sccm至500sccm，源功率为100W至1000W，偏置功率为50W到500W，工艺压强为5mtorr至200mtorr。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，郑二虎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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