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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括图形密集区和图形稀疏区；在所述基底上形成多个分立的硬掩膜层，相邻所述硬掩膜层与所述基底围成开口，且所述图形稀疏区开口的宽度大于所述图形密集区开口的宽度；形成至少位于所述图形稀疏...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。