一种基于ALD沉积Al制造技术

本发明专利技术公开了一种基于ALD沉积Al

【技术实现步骤摘要】
一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法
本专利技术涉及半导体器件工艺制造技术，具体涉及一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法，本方法适用于解决Ⅲ-Ⅴ族合金半导体台面器件在湿法刻蚀后、台阶侧面容易富集导电物质而导致表面漏电的问题，从而降低器件暗电流密度、提高器件性能。
技术介绍
Ⅲ-Ⅴ族合金半导体(特别是InAs、InSb、InAsSb等)，因其具有的快响应速度，高载流子迁移速率和较低的室温俄歇复合系数等优良特性，且禁带宽度可以覆盖中波红外和长波红外两个大气窗口，因此在制备室温红外探测器方面有很大的优势[1-2]。目前在Ⅲ-Ⅴ族合金半导体台面器件制备中，湿法刻蚀方法因其操作简单、选择性好且对器件损伤小的优点而被经常采用。但普通的光刻胶掩膜在腐蚀液中长时间刻蚀或超声振动下，很容易发生脱胶现象，并且Ⅲ-Ⅴ族合金在刻蚀的过程中也会出现导电物质富集于台阶侧面的现象，导致器件表面漏电，性能下降。原子沉积技术(ALD)是通过将气相前驱体交替脉冲通入反应室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法[3]。采用A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于ALD沉积Al

【技术特征摘要】
1.一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法，其特征在于方法步骤如下：
第一步，使用原子沉积技术ALD在Ⅲ-Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积Al2O3薄膜，薄膜的厚度为100-200nm；
第二步，采用光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢浩，胡淑红，林虹宇，黄田田，陈鑫，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31