用于多核苷酸合成的加热的纳米孔制造技术

本文描述了用于制备高质量结构单元如寡核苷酸的装置。纳米级装置允许选择性控制反应条件。此外，本文描述的方法和装置允许快速构建高度精确核酸的大文库。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多核苷酸合成的加热的纳米孔交叉引用本申请要求2017年10月20日提交的第62/575,287号美国临时专利申请的权益，该美国临时申请通过引用整体并入本文。序列表本申请含有序列表，该序列表已经以ASCII格式电子提交，并且通过引用整体并入本文。创建于2018年10月16日的所述ASCII副本被命名为44854-744_601_SL.txt，大小为685个字节。
技术介绍
从头基因合成是基础生物学研究和生物技术应用的强大工具。尽管已知用于设计和以小规模合成相对较短片段的各种方法，但这些技术在预测性、可扩展性、自动化、速度、精确度和成本方面通常不尽人意。
技术实现思路
本文提供了用于多核苷酸合成的装置，其包含：包含表面的固体支持物；位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂是极性溶剂。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少30,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少50,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少100,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少200,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少1,000,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述一个或多个电极是加热一个或多个单独座位的可寻址电极。本文进一步提供了装置，其中所述固体支持物进一步包含冷却单元。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约10nm至约1000nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约100nm至约500nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约20nm至约300nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为100nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为200nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为500nm。本文进一步提供了装置，其中每个结构包括三维结构，其中所述三维结构是纳米孔、纳米线、纳米柱或纳米棒。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的密度为约0.5至约1.5g/mL。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂包含腈基团。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂为三甲基乙腈。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为5摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为10摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为15摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述装置用于多核苷酸合成，其中多核苷酸合成包括多个延伸步骤。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂在延伸步骤过程中不去除。本文进一步提供了使用本文所述的装置进行多核苷酸合成的方法。本文提供了用于多核苷酸合成的装置，其包含：包含表面的固体支持物；位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂的熔融温度不高于约18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少30,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少50,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少100,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少200,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少1,000,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述一个或多个电极是加热一个或多个单独座位的可寻址电极。本文进一步提供了装置，其中所述固体支持物进一步包含冷却单元。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约10nm至约1000nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约100nm至约500nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约20nm至约300nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为100nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为200nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为500nm。本文进一步提供了装置，其中每个结构包括三维结构，其中所述三维结构是纳米孔、纳米线、纳米柱或纳米棒。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的密度为约0.5至约1.5g/mL。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂为极性溶剂。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂包含腈基团。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂为三甲基乙腈。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为5摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为10摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂的熔融温度为15摄氏度至18摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述装置用于多核苷酸合成，其中多核苷酸合成包括多个延伸步骤。本文进一步提供了装置，其中所述溶剂在延伸步骤过程中不去除。本文进一步提供了使用本文所述的装置进行多核苷酸合成的方法。本文提供了用于多核苷酸合成的装置，其包含：包含表面的固体支持物；位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂的沸腾温度不高于约82摄氏度。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少30,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少50,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少100,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少200,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述表面包含至少1,000,000个用于核酸合成的座位。本文进一步提供了装置，其中所述一个或多个电极是加热一个或多个单独座位的可寻址电极。本文进一步提供了装置，其中所述固体支持物进一步包含冷却单元。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约10nm至约1000nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约100nm至约500nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约20nm至约300nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为100nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为200nm。本文进一步提供了装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为500nm。本文进一步提供了装置，其中每个结构包括三维结构，其中所述三维结构是纳米孔、纳米线、纳米柱或纳米棒。本文进一步提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于多核苷酸合成的装置，其包含：/na.包含表面的固体支持物；/nb.位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及/nc.分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂是极性溶剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171020 US 62/575,2871.一种用于多核苷酸合成的装置，其包含：
a.包含表面的固体支持物；
b.位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及
c.分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂是极性溶剂。


2.一种用于多核苷酸合成的装置，其包含：
a.包含表面的固体支持物；
b.位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及
c.分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂的熔融温度不高于约18摄氏度。


3.一种用于多核苷酸合成的装置，其包含：
a.包含表面的固体支持物；
b.位于所述表面上的用于多核苷酸延伸的多个结构，其中每个结构的宽度为约10nm至约1000nm，其中每个结构与加热单元接触，并且其中所述加热单元包含至少一个电极；以及
c.分布在整个所述表面上的溶剂，其中所述溶剂的沸腾温度不高于约82摄氏度。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述表面包含至少30,000个用于核酸合成的座位。


5.根据权利要求1所述的装置，其中所述表面包含至少50,000个用于核酸合成的座位。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述表面包含至少100,000个用于核酸合成的座位。


7.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述表面包含至少200,000个用于核酸合成的座位。


8.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述表面包含至少1,000,000个用于核酸合成的座位。


9.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述一个或多个电极是加热一个或多个单独座位的可寻址电极。


10.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述固体支持物进一步包含冷却单元。


11.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约10nm至约1000nm。


12.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约100nm至约500nm。


13.根据权利要求1所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离为约20nm至约300nm。


14.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为100nm。


15.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为200nm。


16.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中任何两个结构的中心之间的距离约为500nm。


17.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中每个结构包括三维结构，其中所述三维结构是纳米孔、纳米线、纳米柱或纳米棒。


18.根据权利要求2所述的装置，其中所述溶剂为极性溶剂。


19.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述溶剂包含腈基团。


20.根据权利要求1所述的装置，其中所述溶剂为三甲基乙腈。


21.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述溶剂的熔融温度为5摄氏度至18摄氏度。


22.根据权利要求1所述的装置，其中所述溶剂的熔融温度为10摄氏度至18摄氏度。


23.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述溶剂的熔融温度为15摄氏度至18摄氏度。


24.根据权利要求1所述的装置，其中所述溶剂的熔融温度为5摄氏度至30摄氏度。


25.根据权利要求3所述的装置，其中所述溶剂的沸腾温度为0摄氏度至82摄氏度。


26.根据权利要求3所述的装置，其中所述溶剂的沸腾温度为30摄氏度至82摄氏度。


27.根据权利要求3所述的装置，其中所述溶剂的沸腾温度为55摄氏度至82摄氏度。


28.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述溶剂的密度为0.5至1.5g/mL。


29.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述装置用于多核苷...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤金·P·马什，皮埃尔·F·尹德穆勒，比尔·詹姆士·佩克，
申请(专利权)人：特韦斯特生物科学公司，
类型：发明
国别省市：美国;US