沟槽型功率器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述制作方法中，基底的基准方向平行于第二晶向，在基底上的至少部分芯片区制作第一条形沟槽以及位于第一条形沟槽内的栅极结构，第一条形沟槽在基底上表面内沿平行于第一晶向的方向延伸。通过在不同于基准方向的晶向制作栅极结构，可以降低对基底规格的要求。在制作过程中，在每个曝光场覆盖范围内，可以设置至少一个芯片区内的第一条形沟槽在基底上表面内的延伸方向与另一个芯片区内的第一条形沟槽在基底上表面内的延伸方向的夹角为直角，有助于缓解应力集中，降低基底翘曲的风险。所述沟槽型功率器件由上述方法获得。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型功率器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，功率器件的尺寸逐步缩小，横向器件被纵向器件逐渐取代而成为了一个重要的发展方向。具有代表性的深沟槽功率器件有沟槽MOS晶体管以及绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。深沟槽功率器件的栅极设置于基底上外延层中的沟槽内，即形成沟槽栅结构，在器件导通时，在靠近栅极的外延层中形成导电沟道。现有工艺在制作深沟槽功率器件时，通常根据器件设计选择适宜规格的基底。以硅基底为例，为了获得较高的电子迁移率，一种器件设计是使芯片晶胞内的沟槽在基底上表面内的延伸方向平行于晶向<100>，相应的，选择上表面属于晶面（100）、基底中心到定位凹槽（notch）的方向是晶向<100>的基底，同时在制作沟槽时，用于定义沟槽的掩模版设置为沟槽图形与notch一致的方位。另外，由于应用上的需要，实际中还需要制作采用不同设计的器件，如另一种器件设计需要使芯片晶胞内的沟槽在基底上表面内的延伸方向平行于晶向<110&g本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底的边缘设置有定位凹槽，所述基底的中心与所述定位凹槽的连线为基准方向，所述基底上表面内围绕中心周期性分布有属于不同晶向族的第一晶向和第二晶向，所述基准方向平行于所述第二晶向，所述基底包括多个芯片区；以及，/n在至少部分所述芯片区的基底内形成第一条形沟槽以及位于所述第一条形沟槽内的栅极结构，其中，所述第一条形沟槽在所述基底上表面内沿平行于所述第一晶向的方向延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底的边缘设置有定位凹槽，所述基底的中心与所述定位凹槽的连线为基准方向，所述基底上表面内围绕中心周期性分布有属于不同晶向族的第一晶向和第二晶向，所述基准方向平行于所述第二晶向，所述基底包括多个芯片区；以及，
在至少部分所述芯片区的基底内形成第一条形沟槽以及位于所述第一条形沟槽内的栅极结构，其中，所述第一条形沟槽在所述基底上表面内沿平行于所述第一晶向的方向延伸。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：切割所述基底以分离各个芯片区，获得多个芯片。


3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述芯片为沟槽型MOSFET或者沟槽型IGBT。


4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底的上表面为（100）晶面，所述第一晶向和所述第二晶向分别为<110>晶向或<100>晶向。


5.如权利要求1至4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一条形沟槽在所述基底上表面内沿平行于所述第一晶向的同一方向延伸，从而形成直沟槽；或者，所述第一条形沟槽在所述基底上表面内沿平行于所述第一晶向的不同方向弯折地延伸，从而形成弯曲沟槽。


6.如权利要求1至4任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王珏，陈政，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33