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本发明涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述制作方法中，基底的基准方向平行于第二晶向，在基底上的至少部分芯片区制作第一条形沟槽以及位于第一条形沟槽内的栅极结构，第一条形沟槽在基底上表面内沿平行于第一晶向的方向延伸。通过在不同于基准方向的晶...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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