功率器件的制作方法技术

本申请公开了一种功率器件的制作方法，涉及半导体制造领域，该功率器件的制作方法包括在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；形成正面金属层；对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；在所述衬底的背面形成集电区；在所述衬底的背面覆膜；利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；去除贴附所述衬底背面的膜；在所述衬底的背面形成金属层；解决了利用化学镀工艺增加正面金属厚度和硬度，容易造成晶圆碎片的问题；达到了改善化学镀后金属脱落情况，优化IGBT制作工艺与化学镀工艺的结合效果的效果。

【技术实现步骤摘要】
功率器件的制作方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种功率器件的制作方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)器件是新能源电力电子产品中的核心器件，随着近年来更加广泛的推广，应用产品不仅包括白色家电、工业变频、焊机等传统产品，还包括新能源汽车等高端产品。目前IGBT正朝向高压大电流的方向发展，IGBT的芯片工艺和封装都面临着全新的挑战。对于大电流IGBT芯片、模块而言，实现整体模块的散热已经成为研究重点。在对IGBT芯片进行封装时，引线键合使用的焊接工艺已经从传统的铝线焊接发展为铜片焊接，这对IGBT正面金属的厚度和硬度的要求更高。然而，采用化镀工艺增加IGBT正面金属的厚度和硬度时，容易造成晶圆碎片。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种功率器件的制作方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种功率器件的制作方法，该方法包括：在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；/n形成正面金属层；/n对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；/n在所述衬底的背面形成集电区；/n在所述衬底的背面覆膜；/n利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；/n去除贴附所述衬底背面的膜；/n在所述衬底的背面形成金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；
形成正面金属层；
对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；
在所述衬底的背面形成集电区；
在所述衬底的背面覆膜；
利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属；
去除贴附所述衬底背面的膜；
在所述衬底的背面形成金属层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，贴附在所述衬底背面的膜为耐高温和耐强酸强碱材料。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用化学镀工艺在所述衬底的正面形成目标金属，包括：
利用化学镀工艺在所述正面金属层上镀上所述目标金属。


4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述目标金属包括两层，第一层目标金属为镍，第二层目标金属为金。

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，邢军军，黄璇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31