IGBT器件的制备方法及IGBT器件技术

本申请公开了一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深槽型栅极，衬底的上表面形成有层间介质，层间介质上形成有顶层金属层，深槽型栅极的顶端与层间介质连接；对衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，形成截止缓冲层，截止缓冲层的厚度大于10微米；在衬底的下表面上形成底层金属层。本申请通过对IGBT器件的衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，形成截止缓冲层，该截止缓冲层的厚度大于10微米，提高了截至缓冲层的厚度，从而提高了电场的截止深度，进而提高了器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件的制备方法及IGBT器件
本申请涉及半导体
，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)器件的制备方法及IGBT器件。
技术介绍
IGBT器件是由双极性晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)器件和金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，MOSFET)器件组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其具有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(gianttransistor，GTR)器件的低导通压降的优点。作为新能源电力电子产品中的核心器件，IGBT器件近年来由传统产品领域(例如白色家电、工业变频、焊机等领域)向新型产品领域(例如新能源汽车领域)转变。参考图1，其示出了相关技术中提供的IGBT器件的剖面示意图，如图1所示，基底110的下方形成有底层金属层120，基底110的上方形成有层间介质130，基底110中形成有沟槽型栅极140和场截止层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底中形成有深槽型栅极，所述衬底的上表面形成有层间介质，所述层间介质上形成有顶层金属层，所述深槽型栅极的顶端与所述层间介质连接；/n对所述衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，形成截止缓冲层，所述截止缓冲层的厚度大于10微米；/n在所述衬底的下表面上形成底层金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底中形成有深槽型栅极，所述衬底的上表面形成有层间介质，所述层间介质上形成有顶层金属层，所述深槽型栅极的顶端与所述层间介质连接；
对所述衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，形成截止缓冲层，所述截止缓冲层的厚度大于10微米；
在所述衬底的下表面上形成底层金属层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，包括：
对所述衬底的下表面进行硼离子注入后，进行第一次退火处理；
对所述衬底的下表面进行至少两次氢元素注入后，进行第二次退火处理。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行第二次退火处理的温度为200摄氏度至500摄氏度。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述进行第二次退火处理，包括：
通过扩散退火工艺进行所述第二次退火处理。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行第一次退火处理，包括：
通过激光退火工艺进行所述第一次退火处理。


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【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，黄璇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31