【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及具有在异质结双极晶体管的正上形成了凸块的结构的半导体装置。
技术介绍
作为构成移动终端机等功率放大器模块的晶体管，使用异质结双极晶体管(HBT：HeterojunctionBipolarTransistor)。作为HBT，提出了采用通过在发射极层的正上配置凸块，来减小热阻的结构。但是，在该结构中，在对HBT进行通电时，产生起因于发射极层等构成HBT的半导体层的热膨胀率与凸块的热膨胀率之差的热应力。由于该热应力，产生HBT的电流放大率在短时间降低这样的问题。为了解决该问题，在专利文献1提出了在俯视时从发射极层偏离的位置配置凸块的结构的HBT。该HBT具有与发射极电连接的发射极布线、具有使发射极布线露出的开口的钝化膜、以及在钝化膜上形成为填埋该开口，并经由发射极布线与发射极层连接的凸块。通过采用该结构，根据专利文献1所公开的HBT，能够抑制热阻并缓和热应力。专利文献1：国际公开第2015/104967号在专利文献1所公开的HBT中，在俯视时从发射极层...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n异质结双极晶体管，其具备发射极层和集电极层；/n凸块，其形成在上述异质结双极晶体管上；以及/n应力缓和层，其配置在上述异质结双极晶体管的上述发射极层或上述集电极层与上述凸块之间，并由包含W的高熔点金属、包含W的高熔点金属的合金、或者包含W的高熔点金属的化合物形成，具有100nm以上的厚度。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170801 JP 2017-1494481.一种半导体装置，其特征在于，具备：
异质结双极晶体管，其具备发射极层和集电极层；
凸块，其形成在上述异质结双极晶体管上；以及
应力缓和层，其配置在上述异质结双极晶体管的上述发射极层或上述集电极层与上述凸块之间，并由包含W的高熔点金属、包含W的高熔点金属的合金、或者包含W的高熔点金属的化合物形成，具有100nm以上的厚度。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
异质结双极晶体管，其具备发射极层和集电极层；
凸块，其形成在上述异质结双极晶体管上；以及
应力缓和层，其配置在上述异质结双极晶体管的上述发射极层或上述集电极层与上述凸块之间，并由包含Ti、Mo、Ta、Nb、Cr中的任意一种的高熔点金属、这些高熔点金属的合金、或者这些高熔点金属的化合物形成，具有300nm以上的厚度。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
上述异质结双极晶体管还具备基极层、和与上述发射极层连接的发射极电极，
上述半导体装置还具备：
发射极布线，其与上述发射极电极电连接，形成在覆盖上述异质结双极晶体管的位置；以及
绝缘层，其形成在上述发射极布线上，具备使上述发射极层的正上的区域露出的开口，
上述应力缓和层包含形成在上述绝缘层上且经由上述开口与上述发射极布线连接的层，
上述凸块具备形成在上述应力缓和层上且热膨胀率比上述应力缓和层大的金属层、和形成在上述金属层上的焊料层。
4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
上述异质结双极晶体管还具备基极层、和与上述发射极层连接的发射极电极，
上述应力缓和层包含上述发射极电极的至少一部分。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
上述异质结双极晶体管具备基极层、与上述发射极层连接的发射极电极、以及形成在上述发射极电极上且将上述发射极电极与外部的电路连接的发射极布线，
上述应力缓和层包含上述发射极布线的至少一部分。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
上述发射极布线还具备将上述发射极电极与外部的电路连接的第一发射极布线、和与上述第一发射极布线连接的第二发射极布线，
上述应力缓和层的俯视时上述发射极层上的位置形成在上述第一发射极布线与上述第二发射极布线之间的位置。
7.根据权利要求5或者6所述的半导体装置，其特征在于，
上述发射极布线与上述发射极电极一体形成，上述发射极布线兼用作上述发射极电极。
8.根据权利要求3～7中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
上述凸块、上述应力缓和层、以及上述发射极层形成在俯视时重合的位置，
上...
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