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半导体装置(100)由HBT、与HBT的发射极电极(6)连接，并覆盖HBT的发射极布线(14)、在俯视时在HBT上具备开口(13)的钝化膜(15)、经由开口(13)与发射极布线(14)连接，并由高熔点金属形成为厚度300nm以上的UBM层(...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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