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本申请公开了一种IGBT器件的制备方法及IGBT器件，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有深槽型栅极，衬底的上表面形成有层间介质，层间介质上形成有顶层金属层，深槽型栅极的顶端与层间介质连接；对衬底的下表面依次进行硼离子注入和氢元素注入，形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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