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本申请公开了一种功率器件的制作方法，涉及半导体制造领域，该功率器件的制作方法包括在衬底上形成功率器件的单元结构，所述功率器件为IGBT；形成正面金属层；对所述衬底的背面进行TAIKO减薄；在所述衬底的背面形成集电区；在所述衬底的背面覆膜；利...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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