一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，包括包括底板、固定孔、衬底结构的光电子半导体器件、外壳、承载膜、引脚、散热板和固定槽；所述底板固定设置在外壳下端面；所述外壳固定设置在底板上端；所述散热板固定设置在固定槽中，设置在外壳两侧；所述引脚共设置有三个，设置在外壳侧壁中；所述衬底结构的光电子半导体器件固定设置在底板上，设置在外壳中；本实用新型专利技术装置设计合理，通过底板进行固定，光电子半导体器件的受力不会施加在引脚上，提高引脚使用寿命和引脚连接的稳定性，同时散热性好。

【技术实现步骤摘要】
一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件
本技术涉及光电子半导体器件
，特别涉及一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件。
技术介绍
光电子半导体器件指利用半导体光-电子(或电-光子)转换效应制成的各种功能器件，它不同于半导体光器件(如光波导开关、光调制器、光偏转器等)，光器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。后者只是着眼于光能量的接收和转换(如光敏电阻、光电池等)。早期的光电器件只限于被动式的应用，60年代作为相干光载波源的半导体激光器的问世，则使它进入主动式应用阶段，光电子器件组合应用的功能在某些方面(如光通信、光信息处理等)正在扩展电子学难以执行的功能；然而现有的具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件在使用过程中存在着一些不足之处，一般多采用引脚进行固定，引脚受力过大时易造成损坏，且影响到引脚连接的稳定性，其次缺少散热结构，导致其长期使用温度过高，影响其使用寿命。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，可以有效解决
技术介绍
中引脚受力过大时易造成损坏，缺少散热结构，导致其长期使用温度过高，影响其使用寿命的问题。为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，包括底板、固定孔、衬底结构的光电子半导体器件、外壳、承载膜、引脚、散热板和固定槽；所述底板固定设置在外壳下端面；所述外壳固定设置在底板上端；所述散热板固定设置在固定槽中，设置在外壳两侧；所述引脚共设置有三个，设置在外壳侧壁中；所述衬底结构的光电子半导体器件固定设置在底板上，设置在外壳中，包括绝缘层、隔离部、背栅区、半导体层、介质层、栅介质层、接触插塞、背栅插塞、隔离结构、绝缘体和衬底；所述衬底固定设置在底板上；所述绝缘层设置在衬底上端；所述隔离部分布设置在绝缘层上端；所述背栅区设置在隔离部之间，背栅区采用P型掺杂；所述绝缘体设置在隔离部和背栅区上端；所述半导体层设置在绝缘体上，半导体层对应背栅区的部分上形成有半导体结构；所述隔离结构设置在绝缘体上端，且设置在半导体层一侧；所述介质层形成在半导体层上，从而实现半导体结构之间的相互隔离，以及半导体结构与后续形成在半导体结构上方的金属互连层的相互隔离，材料包括氧化硅、氮化硅和硼磷硅玻璃等绝缘材料；所述栅介质层设置在介质层上端；所述背栅插塞贯穿介质层、隔离结构和绝缘体与背栅区连接电性连接；所述接触插塞贯穿介质层与半导体层电性连接。优选的，所述底板采用电工板材质，底板上设置有四个固定孔。优选的，所述外壳两侧壁中设置有固定槽。优选的，所述承载膜固定设置在外壳内壁上，包括PET基材层和压敏胶层；所述压敏胶层设置有两层，一层设置在外壳内壁上，另一层设置在PET基材层上；所述PET基材层内侧面设置在两层压敏胶层之间。优选的，所述散热板采用铝材质。优选的，所述引脚处于同一水平线上，相邻两引脚之间的间距相等，引脚与衬底结构的光电子半导体器件电性连接。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：将组装好的衬底结构的光电子半导体器件固定设置在底板上，外壳固定设置在底板上端，且设置在衬底结构的光电子半导体器件外侧，通过固定孔采用螺栓能够实现将底板固定设置在制定位置，引脚与衬底结构的光电子半导体器件电性连接，使用衬底结构的光电子半导体器件时外壳内部产生热量，散热板能够将产生的热量导出；本技术装置设计合理，通过底板进行固定，光电子半导体器件的受力不会施加在引脚上，提高引脚使用寿命和引脚连接的稳定性，同时散热性好。附图说明图1为本技术一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件的结构示意图；图2为本技术一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件中A处的放大图；图3为本技术一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件的俯视图；图4为本技术一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件中外壳与底板连接的结构示意图；图5为本技术一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件中衬底结构的光电子半导体器件的结构示意图；图中：1、底板；2、固定孔；3、衬底结构的光电子半导体器件；4、外壳；5、承载膜；6、PET基材层；7、压敏胶层；8、引脚；9、散热板；10、固定槽；11、绝缘层；12、隔离部；13、背栅区；14、半导体层；15、介质层；16、栅介质层；17、接触插塞；18、背栅插塞；19、隔离结构；20、绝缘体；21、衬底。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。如图1-5所示，一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，包括底板1、固定孔2、衬底结构的光电子半导体器件3、外壳4、承载膜5、引脚8、散热板9和固定槽10；所述底板1固定设置在外壳4下端面，底板1采用电工板材质，底板1上设置有四个固定孔2，通过固定孔2采用螺栓能够实现将底板1固定设置在制定位置；所述外壳4固定设置在底板1上端，外壳4两侧壁中设置有固定槽10；所述承载膜5固定设置在外壳4内壁上，包括PET基材层6和压敏胶层7；所述压敏胶层7设置有两层，一层设置在外壳4内壁上，另一层设置在PET基材层6上；所述PET基材层6内侧面设置在两层压敏胶层7之间；所述散热板9固定设置在固定槽10中，设置在外壳4两侧，散热板9采用铝材质；所述引脚8共设置有三个，设置在外壳4侧壁中，引脚8处于同一水平线上，相邻两引脚8之间的间距相等，引脚8与衬底结构的光电子半导体器件3电性连接；所述衬底结构的光电子半导体器件3固定设置在底板1上，设置在外壳4中，包括绝缘层11、隔离部12、背栅区13、半导体层14、介质层15、栅介质层16、接触插塞17、背栅插塞18、隔离结构19、绝缘体20和衬底21；所述衬底21固定设置在底板1上；所述绝缘层11设置在衬底21上端；所述隔离部12分布设置在绝缘层11上端；所述背栅区13设置在隔离部12之间，背栅区13采用P型掺杂；所述绝缘体20设置在隔离部12和背栅区13上端；所述半导体层14设置在绝缘体20上，半导体层14对应背栅区的部分上形成有半导体结构；所述隔离结构19设置在绝缘体20上端，且设置在半导体层14一侧；所述介质层15形成在半导体层14上，从而实现半导体结构之间的相互隔离，以及半导体结构与后续形成在半导体结构上方的金属互连层的相互隔离，材料包括氧化硅、氮化硅和硼磷硅玻璃等绝缘材料；所述栅介质层16设置在介质层15上端；所述背栅插塞18贯穿介质层15、隔离结构19和绝缘体20与背栅区13连接电性连接；所述接触插塞17贯穿介质层15与半导体层14电性连接。需要说明的是，本技术为一种承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，使用时，将组装好的衬底结构的光电子半导体器件3固定设置在底板1上，外壳4固定设置在底板1上端，且设置在衬底结构的光电子半导体器件3外侧，通过固定孔2采用螺栓能够实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，包括底板(1)、固定孔(2)、衬底结构的光电子半导体器件(3)、外壳(4)、承载膜(5)、引脚(8)、散热板(9)和固定槽(10)；其特征在于：所述底板(1)固定设置在外壳(4)下端面；所述外壳(4)固定设置在底板(1)上端；所述散热板(9)固定设置在固定槽(10)中，设置在外壳(4)两侧；所述引脚(8)共设置有三个，设置在外壳(4)侧壁中；所述衬底结构的光电子半导体器件(3)固定设置在底板(1)上，设置在外壳(4)中，包括绝缘层(11)、隔离部(12)、背栅区(13)、半导体层(14)、介质层(15)、栅介质层(16)、接触插塞(17)、背栅插塞(18)、隔离结构(19)、绝缘体(20)和衬底(21)；所述衬底(21)固定设置在底板(1)上；所述绝缘层(11)设置在衬底(21)上端；所述隔离部(12)分布设置在绝缘层(11)上端；所述背栅区(13)设置在隔离部(12)之间，背栅区(13)采用P型掺杂；所述绝缘体(20)设置在隔离部(12)和背栅区(13)上端；所述半导体层(14)设置在绝缘体(20)上，半导体层(14)对应背栅区的部分上形成有半导体结构；所述隔离结构(19)设置在绝缘体(20)上端，且设置在半导体层(14)一侧；所述介质层(15)形成在半导体层(14)上，从而实现半导体结构之间的相互隔离，以及半导体结构与后续形成在半导体结构上方的金属互连层的相互隔离；所述栅介质层(16)设置在介质层(15)上端；所述背栅插塞(18)贯穿介质层(15)、隔离结构(19)和绝缘体(20)与背栅区(13)连接电性连接；所述接触插塞(17)贯穿介质层(15)与半导体层(14)电性连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件，包括底板(1)、固定孔(2)、衬底结构的光电子半导体器件(3)、外壳(4)、承载膜(5)、引脚(8)、散热板(9)和固定槽(10)；其特征在于：所述底板(1)固定设置在外壳(4)下端面；所述外壳(4)固定设置在底板(1)上端；所述散热板(9)固定设置在固定槽(10)中，设置在外壳(4)两侧；所述引脚(8)共设置有三个，设置在外壳(4)侧壁中；所述衬底结构的光电子半导体器件(3)固定设置在底板(1)上，设置在外壳(4)中，包括绝缘层(11)、隔离部(12)、背栅区(13)、半导体层(14)、介质层(15)、栅介质层(16)、接触插塞(17)、背栅插塞(18)、隔离结构(19)、绝缘体(20)和衬底(21)；所述衬底(21)固定设置在底板(1)上；所述绝缘层(11)设置在衬底(21)上端；所述隔离部(12)分布设置在绝缘层(11)上端；所述背栅区(13)设置在隔离部(12)之间，背栅区(13)采用P型掺杂；所述绝缘体(20)设置在隔离部(12)和背栅区(13)上端；所述半导体层(14)设置在绝缘体(20)上，半导体层(14)对应背栅区的部分上形成有半导体结构；所述隔离结构(19)设置在绝缘体(20)上端，且设置在半导体层(14)一侧；所述介质层(15)形成在半导体层(14)上，从而实现半导体结构之间的相互隔离，以及半导体结构与后续形成在半导体结构上方的金属互连层的相互...

【专利技术属性】
技术研发人员：周家枝，
申请(专利权)人：沈阳中凯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21