光传感器装置及其制造方法制造方法及图纸

将光半导体元件（4）固定在基部（3）的凹部（3b），将光半导体元件（4）的焊盘部和基部（3）的引线部（6）电连接。在基部（3）的外侧区域的突出部（3a）的上表面设置有：具有切口部（13a、13b）的金属化层（9）、接合层（10）、具有切口部（12a、12b）的金属化层（8）、以及盖部（2）。提供一种能够通过使用金属化层（8、9）和接合层（10）来将盖部与基部（3）气密地接合的光传感器装置。

【技术实现步骤摘要】
光传感器装置及其制造方法
本专利技术涉及光传感器装置及其制造方法。
技术介绍
紫外线有包含在太阳光中的紫外线、从准分子灯或LED等紫外线发光源发出的紫外线等，其对人体的影响为人们所担心。另一方面，作为树脂固化或照明用激发光源使用等以产业设备用途为代表的利用正在增加，也是令人关注的波段。关于包含在太阳光中的紫外线或从发光源发出的紫外线，通过活用使用比较廉价且可靠性高的半导体元件和组装工艺的紫外线传感器，能够容易地检测波长或输出等特性。在专利文献1中记载了容纳于气密密封的封装中的紫外线传感器，该封装将由石英玻璃或蓝宝石构成的窗部件安装在金属制的圆筒状盖，在壳体部分的内部搭载传感器芯片。不过，在该紫外线传感器中，虽然能够检测从传感器芯片的正上方方向入射的光，但是存在其受光角度窄、容易在受限范围的光检测上止步而受光范围窄的问题。在专利文献2中记载了光半导体装置，该光半导体装置通过取消妨碍入射的光的金属制的圆筒状盖，并采用使透明盖体接近传感器芯片的构造，从而能够进行入射光的广角受光。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2009-200222号公报；【专利文献2】日本特开2006-41143号公报。
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】然而，在专利文献2记载的专利技术中，由于是用环氧类粘接剂将容纳光半导体元件的密封体与透明盖体粘接的结构，因此粘接剂会因长时间的紫外线照射而劣化，密封体与透明盖体剥离，损害可靠性。本专利技术是鉴于上述课题而完成的，目的在于提供容纳于气密性高的中空封装中的可靠性高的光传感器装置。【解决课题的手段】为了达到上述目的，在本专利技术中使用以下手段。设有光传感器装置，其特征在于具备：承载光半导体元件的基部；与所述基部重叠设置，并将所述光半导体元件密封在中空部中的盖部；设置在所述盖部的与所述基部相对的表面的第1金属化层；设置在所述基部的与所述盖部相对的表面的第2金属化层；将所述第一金属化层与所述第二金属化层接合的接合层，在所述第一金属化层设置有多个第一切口部。另外，使用光传感器装置的制造方法，其特征在于具备：准备基部及与所述基部重叠设置的盖部的工序；在所述盖部的与所述基部相对的表面设置第1金属化层的工序；在所述基部的与所述盖部相对的表面设置第2金属化层的工序；在所述基部承载所述光半导体元件的工序；在所述第一金属化层涂布接合材料的工序；对所述涂布的接合材料进行预烧结的工序；将所述盖部和所述基部隔着所述第一金属化层、所述第二金属化层和所述预烧结的接合材料进行重合的工序；以比所述进行预烧结的工序高的温度在施加重量的同时进行主烧结，将所述盖部与所述基部接合的工序。【专利技术的效果】通过使用上述手段，能够提供容纳于气密性高的中空封装中的可靠性高的光传感器装置。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的截面图。图2是本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的盖部的平面图及截面图。图3是本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的基部的平面图及截面图。图4是示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图5是接着图4的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图6是接着图5的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图7是接着图6的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图8是接着图7的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图9是接着图8的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。图10是接着图9的示出本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的制造工序的图。具体实施方式参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，本专利技术不限于下述实施方式，在不脱离本专利技术的主旨的范围内能够进行各种变更这一点无需赘述。图1是本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的截面图。将光半导体元件4隔着小片接合（diebond）层15固定在基部3的凹部3b的底面，将光半导体元件4的表面的焊盘部与设置在基部3的表面的引线部6经由导线5电连接。另外，基部3的外侧区域的整个周围成为向上方突出的形状的突出部3a。在突出部3a的上表面设置有金属化层9，在金属化层9的上表面设置有接合层10，在接合层10的上表面设置有金属化层8，并且在金属化层8的上表面设置有盖部2。通过使用不会因紫外线而劣化的金属制的金属化层8、9和接合层10，能够将盖部2与基部3气密地接合。而且，其内部、即容纳有光半导体元件4的区域成为中空部7。接着，对光传感器装置1的各部分的材质进行说明。盖部2由石英玻璃、硼硅酸玻璃或蓝宝石等透明的板材构成，能够使波长为200nm以下的紫外线以高透过率透过。基部3是氧化铝或氮化铝等陶瓷材料，是热传导率良好的材质。金属化层8、9是Ni膜和Au膜的层叠膜，是盖部2、基部3的突出部3a与Ni膜相接、Au膜与接合层10相接的结构。接合层10是焊料或金锡材料等，能够利用SnAgCu、SnAg、SnCu、SnNi、AuSn等。如以上那样，盖部2、基部3、金属化层8、9和接合层10使用不会因紫外线而劣化的材料。但是，通过专利技术人的研究能得到如下见解：在该结构中，盖部2与金属化层8的接合部最弱，这里容易被施加应力，容易产生在该部分剥离这样的不良。因此，在本专利技术中，进行了图2及图3所示的研究。图2是本专利技术的第一实施方式涉及的光传感器装置的盖部的平面图及截面图。在盖部2的整个周围设置有宽度d1的金属化层8，金属化层8被形成在内周缘8a与外周缘8b之间的区域。外周缘8b位于比盖部2的端部靠内侧的位置。而且，从内周缘8a朝向外侧形成有楔形的切口部12a，从外周缘8b朝向内侧形成有楔形的切口部12b。将切口部12a和切口部12b在相对于金属化层8的宽度方向的中心对称的位置上相互相对地形成，成为各自的前端相对的同时保持前端间距离d5而分离的结构。在此，只要切口部12a和12b的长度之和为宽度d1的1/10以上即可。金属化层8由直线部8c和曲线部8d构成，但在曲线部8d不形成切口部12a、12b，而仅在直线部8c上沿金属化层8的长度方向以相等间隔d3形成。另外，未图示，但是在将接合层10设置在金属化层8上的情况下，接合层10在金属化层8上润湿扩展，因此在平面视图上接合层10与金属化层8成为大致相同的形状。在没有切口部12a、12b的情况下，有可能产生大的应力集中在金属化层8的一个部位而在该部分盖部2与金属化层8剥离这样的不良，但是通过形成切口部12a、12b，由盖部2与基部3的接合引起的应力被分散到由切口部12a、12b划分的区域，不会集中在一个部位。由此，能够防止盖部2与金属化层8剥离这样的不良。在图2中图示了楔形的切口部12a、1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光传感器装置，其特征在于具备：/n承载光半导体元件的基部；/n与所述基部重叠设置，并将所述光半导体元件密封在中空部中的盖部；/n设置在所述盖部的与所述基部相对的表面的第1金属化层；/n设置在所述基部的与所述盖部相对的表面的第2金属化层；/n将所述第一金属化层与所述第二金属化层接合的接合层，/n在所述第一金属化层上设置有多个第一切口部。/n

【技术特征摘要】
20190212 JP 2019-0222561.一种光传感器装置，其特征在于具备：
承载光半导体元件的基部；
与所述基部重叠设置，并将所述光半导体元件密封在中空部中的盖部；
设置在所述盖部的与所述基部相对的表面的第1金属化层；
设置在所述基部的与所述盖部相对的表面的第2金属化层；
将所述第一金属化层与所述第二金属化层接合的接合层，
在所述第一金属化层上设置有多个第一切口部。


2.根据权利要求1所述的光传感器装置，其特征在于，所述第一切口部设置在所述第一金属化层的内周缘及外周缘。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的光传感器装置，其特征在于，所述第一切口部仅配置在第一金属化层的直线部。


4.根据权利要求1或权利要求2所述的光传感器装置，其特征在于，在所述第二金属化层设置有多个第二切口部。


5.根据权利要求1或权利要求2所述的光传感器装置，其特征在于，所述第一金属化层的宽度等于或小于所述第二金属化层的宽度。


6.根据权利要求1或权利要求2所述的光传感器装置，其特征在于，所述接合层不超过所述第一金属化层的内周缘及外周...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚越功二，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP