一种防止回流焊虚焊的光敏二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，包括封装体以及所述封装体内封装的芯片，所述封装体的侧面穿设有与所述芯片连接的支架引脚；所述支架引脚包括连接部、支撑部和焊接部；所述连接部的一端伸入至所述封装体内与芯片连接，所述连接部的另一端与所述支撑部的一端连接并在连接处形成第一折角，所述支撑部的另一端与所述焊接部的一端连接并在连接处形成第二折角，所述焊接部的另一端沿远离所述支撑部的方向延伸，所述焊接部所在平面位于所述封装体底面所在平面的下方。支架引脚的焊接部设置在封装体底面的下方，使焊接部避免封装体底面的影响，进而焊接部可与锡充分接触，保证二极管与电路板的接触良好。

【技术实现步骤摘要】
一种防止回流焊虚焊的光敏二极管
本技术涉及电子器件领域，特别涉及一种防止回流焊虚焊的光敏二极管。
技术介绍
随着科学技术的发展，贴片二极管的应用越来越广泛，现有技术中贴片二极管的支架引脚底面与封装体的底面平齐，在焊接时容易导致贴片端与锡接触不充分，使贴片二极管与电路板接触不良，导致电路板的性能变差或发生故障。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，以解决在焊接时容易导致贴片端与锡接触不充分，使贴片二极管与电路板接触不良，导致电路板的性能变差或发生故障的问题。根据本技术的实施例，提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，包括封装体以及所述封装体内封装的芯片，所述封装体的侧面穿设有与所述芯片连接的支架引脚；所述支架引脚包括连接部、支撑部和焊接部；所述连接部的一端伸入至所述封装体内与芯片连接，所述连接部的另一端与所述支撑部的一端连接并在连接处形成第一折角，所述支撑部的另一端与所述焊接部的一端连接并在连接处形成第二折角，所述焊接部的另一端沿远离所述支撑部的方向延伸，所述焊接部所在平面位于所述封装体底面所在平面的下方。具体地，所述焊接部所在平面与所述封装体底面所在平面之间的垂直距离为0.1mm。具体地，所述第一折角和第二折角为圆弧状弯曲，所述圆弧状弯曲的曲率半径为0.25mm。具体地，所述焊接部所在平面与封装体底面所在平面平行。具体地，所述封装体相对的两侧分别设有拔模角，所述封装体上位于所述连接部下方的相对两侧的拔模角为10°；所述封装体上位于所述连接部上方的相对两侧的拔模角为8°。本技术实施例提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，支架引脚的焊接部设置在封装体底面的下方，使焊接部避免封装体底面的影响，进而焊接部可与锡充分接触，保证二极管与电路板的接触良好。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的侧视图；图2为本技术一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的俯视图图3为本技术另一实施例提供的一种防止回流焊虚焊的光敏二极管的侧视图。其中，1-支架引脚，11-连接部，12-第一折角，13-支撑部，14-焊接部，15-第二折角，2-封装体，3-芯片，4-金线。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1和图2所示，根据本技术的实施例，提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，包括封装体2以及封装体2内封装的芯片3，封装体2的侧面穿设有与芯片3连接的支架引脚1；支架引脚1包括连接部11、支撑部13和焊接部14；连接部11的一端伸入至封装体2内与芯片3连接，连接部11的另一端与支撑部13的一端连接并在连接处形成第一折角12，支撑部13的另一端与焊接部14的一端连接并在连接处形成第二折角15，焊接部14的另一端沿远离支撑部13的方向延伸，焊接部14所在平面位于封装体2底面所在平面的下方。其中，焊接部14所在平面与封装体2底面所在平面平行，焊接部14所在平面与封装体2底面所在平面之间的垂直距离为0.1mm，两平面之间的垂直距离不宜过大，以免距离较大时，使封装体2距离电路板较远而造成电路板的整体体积增大，从而影响电路板的安装。第一折角12和第二折角15为圆弧状弯曲，圆弧状弯曲的曲率半径为0.25mm。支架引脚1采用铁镍合合金制造而成，一支架引脚1的连接部11通过银胶与芯片3粘接，另一支架引脚1通过金线4与芯片3电极连接，封装体2外部使用环氧树脂进行封装。本技术实施例提供了一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，支架引脚1的焊接部14设置在封装体2底面的下方，使焊接部14避免封装体2底面的影响，进而焊接部14可与锡充分接触，保证二极管与电路板的接触良好。在另一实施例中，如图3所示，封装体2相对的两侧分别设有拔模角，封装体2上位于连接部11下方的相对两侧的拔模角为10°；封装体2上位于连接部11上方的相对两侧的拔模角为8°。拔模角可方便封装体2出模。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的技术后，将容易想到本技术的其它实施方案。本申请旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本
中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由下面的权利要求指出。应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，其特征在于，包括封装体(2)以及所述封装体(2)内封装的芯片(3)，所述封装体(2)的侧面穿设有与所述芯片(3)连接的支架引脚(1)；/n所述支架引脚(1)包括连接部(11)、支撑部(13)和焊接部(14)；所述连接部(11)的一端伸入至所述封装体(2)内与芯片(3)连接，所述连接部(11)的另一端与所述支撑部(13)的一端连接并在连接处形成第一折角(12)，所述支撑部(13)的另一端与所述焊接部(14)的一端连接并在连接处形成第二折角(15)，所述焊接部(14)的另一端沿远离所述支撑部(13)的方向延伸，所述焊接部(14)所在平面位于所述封装体(2)底面所在平面的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止回流焊虚焊的光敏二极管，其特征在于，包括封装体(2)以及所述封装体(2)内封装的芯片(3)，所述封装体(2)的侧面穿设有与所述芯片(3)连接的支架引脚(1)；
所述支架引脚(1)包括连接部(11)、支撑部(13)和焊接部(14)；所述连接部(11)的一端伸入至所述封装体(2)内与芯片(3)连接，所述连接部(11)的另一端与所述支撑部(13)的一端连接并在连接处形成第一折角(12)，所述支撑部(13)的另一端与所述焊接部(14)的一端连接并在连接处形成第二折角(15)，所述焊接部(14)的另一端沿远离所述支撑部(13)的方向延伸，所述焊接部(14)所在平面位于所述封装体(2)底面所在平面的下方。


2.根据权利要求1所述的防止回流焊虚焊的光敏二极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘承双，
申请(专利权)人：沈阳中光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21