传感器变送模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种传感器变送模块，包括：ＺＭＤ３１０５０芯片、与所述ＺＭＤ３１０５０芯片连接的电源调整电路、压力传感器激励和采集电路、温度传感器激励和采集电路，以及输出电路。实施本实用新型专利技术的传感器变送模块，通过采用合适的外围电路，解决智能产品性能和质量的问题。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多功能应用模块，更具体地说，涉及一种传感器变送模块。技术背景近年来，随着电子和传感器技术的发展，各种智能变送器已得到广泛应用。 智能变送器接口模块是其的重要组成部分。智能变送器接口模块能够对传感器 进行非线形、温度零位和温度灵敏度进行补偿，可以输出数字信号或标准的模拟信号。ZMD31050芯片是一款高精度桥式传感器信号处理电路，以它为核心的组成 智能变送器可以对传感器进行非线形、温度零位和温度灵敏度进行补偿，并可 将测量信号以数字信号或标准的模拟信号输出。但是该芯片对外围电路要求严 格，兼容性差，导致了采用ZMD31050生产的智能变送器性能不高，有的甚至无 法正常使用的局面，使这款高性能的传感器接口芯片并没有真正的发挥出它的 优势和作用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种 传感器变送模块。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种传感器变送模 块，包括ZMD31050芯片，其特征在于，还包括与所述ZMD31050芯片连接的电源调整电路、压力传感器激励和采集电路、温度传感器激励和采集电路， 以及输出电路。在本技术所述的传感器变送模块中，还包括连接在电源和地之间的二 级防雷电路。在本技术所述的传感器变送模块中，所述二级防雷电路包括陶瓷放 电管、TVS双向管和自恢复保险丝；所述陶瓷放电管连接在电源和地之间，所 述自恢复保险丝的一端与电源连接、另一端与所述TVS双向管的一端连接，所 述TVS双向管的另一端连接到地。在本技术所述的传感器变送模块中，所述压力传感器激励和采集电路 的激励模式是电源激励、恒压源激励或恒流源激励。在本技术所述的传感器变送模块中，所述温度传感器激励和采集电路的测温模式是片外温度二极管、片内温度二极管、片外PTC或桥电阻。本技术的有益效果是，通过采用合适的外围电路，解决智能产品性能 和质量的问题。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图1是本技术传感器变送模块的原理框图；图2是所示的传感器变送模块第一实施例的电路原理图；图3是所示的传感器变送模块第二实施例的电路原理图；具体实施方式如图1所示的传感器变送模块中，包括ZMD31050芯片1、与ZMD31050芯片1连接的电源调整电路2、压力传感器激励和采集电路3、温度传感器激励和采集电路4和输出电路5。电源调整电路2通过ZMD31050芯片l输出的Vgate 信号控制BSS169输出3 5.5V可调的电源，为模块模拟电路供电。为了防止电 源控制失败，用一个6.8V齐纳二极管进行保护。压力传感器激励及采集输入电 路2中，压力传感器激励可以采用电源激励、恒压源激励、恒流源激励等方式， 其输出信号滤波后供ZMD31050采集。温度传感器激励及采集输入电路3中，测 温方式有片外温度二极管、片内温度二极管、片外PTC、桥电阻等几种模式， 每种方式对应相应得激励和采集电路。输出电路5中，模拟输出有4 20mA、 0 5V、 P丽，数字输出由12C、 SPI、 ZACwire、 1/0报警状态输出。由ZMD31050芯片和外围电路构成传感器变送模块，适用于大多数的桥式 传感器(调节信号范围l一275mV/V);能对传感器的偏移、灵敏度、温漂和 非线性进行数字补偿；多种输出方式供选择电压0 5V、电流4 20mA、 P丽、 I2C;桥式传感器的激励源可选用比例电压、恒压模式或恒流模式；输出分辨 率最多可达15位；使用温度-40° C到+85° C;综合输出精度±0.5%FSO (-40。Cto 85°C)。如图2所示的第一实施例为不防雷型的传感器变送模块。通讯方式12C， SPI， ZACwire。供电方式2. 7V 5. 5V或7 40V。当用2. 7 5. 5V供电时不 焊接三极管Tl，而将1号线(T1的1， 3管脚)短接。当使用7 40V供电时，需焊 接三极管Tl。输出方式4 20mA、 0 5V、 P丽、12C、 SPI、 ZACwire (oneiire-interface) 、 alarm输出。4 20mA输出:需焊接T2， R2， R3， Rl (或 短接)，及将5号线短接。0 5V输出不焊T2，R2，R3，R1，而将3号线，4号线， 7号线(电容C7)短接。I2C输出:SDA， SCL。 SPI输出101-SPI data out, 102-SPI chip select,SCL—SPI clock,SDA—SPI data IN 。 ZACwire : OUT—one wireinterface I/O。 ALARM: 101-ALARM1， 102-ALARM2。 P丽101-PWM1 Output, OUT-P丽2 Output。桥电路激励方式电源激励、恒压源激励、恒流源激励。当 采用恒流激励时元件RD_T应为高精度电阻。当采用恒压源激励时应将6号线短 接。当采用电源激励时，供电采用2. 7 5. 5V，且将6号线短接。测温方式 片外温度二极管、片内温度二极管、片外PTC、桥电阻等几种模式。当使用片 外温度二极管测温时元件RD—T应为温度二极管。当采用恒流激励时，测温只能 采用桥电阻，RD—T为高精度电阻，阻值需要根据传感器桥的阻值和温度系数进 行计算。如图3所示的第二实施例为防雷型的传感器变送模块。在电源和地加了二 级防雷电路，第一级防雷为陶瓷放电管BA151N，第二级为TVS管，在电源线上 两级之间，采用自恢复保险丝PTC进行耦合。防雷释放电流都是对大地的，要 求传感器要能可靠接地。权利要求1. 一种传感器变送模块，包括ZMD3 1050芯片，其特征在于，还包括与所述ZMD3 1050芯片连接的电源调整电路、压力传感器激励和采集电路、温度传感器激励和采集电路，以及输出电路。2、 根据权利要求1所述的传感器变送模块，其特征在于，还包括连接在电 源和地之间的二级防雷电路。3、 根据权利要求2所述的传感器变送模块，其特征在于，所述二级防雷电 路包括陶瓷放电管、TVS双向管和自恢复保险丝；所述陶瓷放电管连接在电 源和地之间，所述自恢复保险丝的一端与电源连接、另一端与所述TVS双向管 的一端连接，所述TVS双向管的另一端连接到地。4、 根据权利要求1 3任意所述的传感器变送模块，其特征在于，所述压 力传感器激励和采集电路的激励模式是电源激励、恒压源激励或恒流源激励。5、 根据权利要求1 3任意所述的传感器变送模块，其特征在于，所述温 度传感器激励和采集电路的测温模式是片外温度二极管、片内温度二极管、片 外PTC或桥电阻。专利摘要本技术涉及一种传感器变送模块，包括ZMD31050芯片、与所述ZMD31050芯片连接的电源调整电路、压力传感器激励和采集电路、温度传感器激励和采集电路，以及输出电路。实施本技术的传感器变送模块，通过采用合适的外围电路，解决智能产品性能和质量的问题。文档编号G01D5/12GK201094024SQ20072012167公开日2008年7月30日 申请日期2007年7月18日 优先权日2007年7月18日专利技术者方敏生 申请人:深圳市华胄科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器变送模块，包括：ＺＭＤ３１０５０芯片，其特征在于，还包括与所述ＺＭＤ３１０５０芯片连接的电源调整电路、压力传感器激励和采集电路、温度传感器激励和采集电路，以及输出电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方敏生，
申请(专利权)人：深圳市华胄科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]