使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法技术

本发明专利技术公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。本发明专利技术采用传统正胶，在光刻机中使用正胶正常曝光的能量和曝光时间进行整面泛曝光，再进行镀膜。正胶经过泛曝光之后，光刻胶交联被改变，粘附性降低，分子间发生断链反应，使胶的表面出现针孔，从而使得金属薄膜与正胶的表面黏附性变差，用蓝膜可以直接撕掉底部有胶的金属层，克服了正胶显影后角度为直角或者接近直角金属不易抬离的缺点。

【技术实现步骤摘要】
使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法
本专利技术涉及一种使用正胶做掩膜剥离金属薄膜的方法，属于半导体芯片加工领域。
技术介绍
利用剥离技术制作微细金属的图形，在微米、亚微米范围内是一种非常有价值的技术。剥离技术的基本顺序是首先在洁净的基片表面涂上一层或多层负光刻胶，进行前烘、曝光、后烘、显影等不同工艺处理后，在基片表面得到倒梯形光刻胶侧剖面几何图形，然后通过蒸发或者溅射的方法，在基片表面沉积金属层，最后剥离掉光刻胶及其上的金属，而与基片紧密接触的金属层保留下来。剥离技术一般分为负胶剥离、图形反转剥离。金属图形线条的粗细受到光刻分辨率的限制，为了充分发挥剥离工艺的能力，必须精确的控制掩膜图形的尺寸。通常正胶具有灵敏度高，膨胀变形小，形成图形稳定性好的优点。但是由于正胶曝光显影后形成类似直角形状，不易被抬离。负胶剥离由于其所实现的图形一般为倒梯形，金属薄膜与光刻胶容易形成剥离所需的断面，所以比较容易实现剥离。但负胶本身也存在着明显的缺点，即膨胀率高，稳定性差，分辨率低，且成本极高，而且在显影前多一次曝光后烘烤工序。CN108本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：在基片上涂上一层正胶，经前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光处理后，在正胶表面镀金属，然后剥离剥离，剥离时在整面已镀金属的基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除，最后将基片置于有机溶液中浸泡，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。/n

【技术特征摘要】
1.一种使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：在基片上涂上一层正胶，经前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光处理后，在正胶表面镀金属，然后剥离剥离，剥离时在整面已镀金属的基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除，最后将基片置于有机溶液中浸泡，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，谢自力，潘巍巍，黄愉，彭伟，
申请(专利权)人：南京南大光电工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32