树脂掩膜剥离用清洗剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种树脂掩膜去除性优异且排水处理负担小的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明专利技术在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有无机碱(成分A)、下述通式(I)所示的表面活性剂(成分B)及水(成分C)，成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下。R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂掩膜剥离用清洗剂组合物
本专利技术涉及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的树脂掩膜的清洗方法及电子部件的制造方法。
技术介绍
近年来，对于个人电脑或各种电子装置而言，低耗电化、处理速度的高速化、小型化正在发展，搭载于它们的封装基板等的配线逐年向微细化发展。迄今为止，这种微细配线及支柱或凸块之类的连接端子的形成主要使用金属掩膜法，但由于通用性较低或难以应对配线等的微细化，因而正在向其他新方法转变。作为新方法之一，已知有使用干膜抗蚀层作为厚膜树脂掩膜来代替金属掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、去除，此时使用碱性剥离用清洗剂。作为这种剥离用清洗剂，例如，专利文献1中公开有一种抗蚀剂用剥离剂组合物，其含有(A)具有1～4个氮原子的胺化合物、(B)分子量为301～5000的非离子性表面活性剂、以及(C)水。专利文献2中公开有一种半导体装置用清洗液，其含有还原剂及表面活性剂，且pH值为10～14。专利文献3中公开有一种光致抗蚀剂剂用剥离液，其含有(A)表面活性剂1质量％以上且30质量％以下、(B)防蚀剂0.05质量％以上且10质量％以下、(C)水5质量％以上且60质量％以下、以及(D)水溶性有机溶剂30质量％以上且95质量％以下。专利文献4中公开有一种抗蚀剂去除用稀释剂组合物，其特征在于：其用于去除涂布在基板上的抗蚀剂膜的边缘部或基板的后表面上形成的无用的膜成分的抗蚀剂，防止装备的腐蚀，其含有：a)无机碱化合物0.1至5重量％、b)有机胺0.1至5重量％、c)有机溶剂0.1至30重量％、d)以1：5至25的重量比含有阴离子系表面活性剂及非离子系表面活性剂的表面活性剂0.01至5重量％、以及e)水60至99重量％。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-311867号公报专利文献2：日本特开2009-260249号公报专利文献3：日本特开2008-58624号公报专利文献4：日本特表2005-509693号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题当在印刷基板等形成微细配线时，为了不仅降低树脂掩膜的残存，且也降低用于微细配线或凸块形成的焊料或镀覆液等所含有的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求较高的清洗性。树脂掩膜是使用通过光或电子束等使在显影液中的溶解性等物性发生变化的抗蚀剂而形成的物质。并且，就与光或电子束的反应方法而言，抗蚀剂大体分为负型与正型。负型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性降低的特性，含有负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀剂层”)在曝光及显影处理后，曝光部被用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有若曝光则对显影液的溶解性增大的特性，含有正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀剂层”)在曝光及显影处理后曝光部分被去除，未曝光部被用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，可形成金属配线、金属支柱或焊料凸块等电路基板的微细连接部分。但是，树脂掩膜的特性会因形成这些连接部分时所使用的镀覆处理或加热处理等而发生变化，在下一工序的清洗工序中不易去除树脂掩膜。尤其是负型抗蚀剂由于具有通过与光或电子束反应而固化的特性，故使用负型抗蚀剂所形成的树脂掩膜会因形成连接部时所使用的镀覆处理或加热处理等而必要以上地进行固化，在清洗工序时无法完全去除，或由于去除所花费的时间非常长而导致对基板或金属表面造成损伤。如上所述，经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜不易剥离，因而对清洗剂组合物要求较高的树脂掩膜去除性。另一方面，在各种领域中，电子化正在发展，印刷基板等的生产量正在增加。进而，为了所利用的机器或装置的小型化、处理速度的高速化、消耗电力的降低，而存在配线微细化、多层化、剥离、清洗工序增加、清洗剂组合物的使用量也增加的倾向。由于伴随着该清洗剂组合物的使用量的增加，清洗剂组合物或冲洗水等废液的排水处理负担或者因废液流入所造成的湖沼的富营养化也增大，故强烈要求排水处理负担小，不含有成为湖沼的富营养化的原因的氮及磷，且可效率良好地去除树脂掩膜的清洗剂组合物。但是，在上述专利文献所记载的方法中，难以兼具较高的树脂掩膜去除性与较低的排水处理负担。因此，本专利技术提供一种树脂掩膜去除性优异且排水处理负担较小的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的树脂掩膜的去除方法及基板的制造方法。用于解决课题的手段本专利技术在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有无机碱(成分A)、下述通式(I)所示的表面活性剂(成分B)及水(成分C)，成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下。R1-O-(EO)n(PO)m-H(I)其中，式(I)中，R1表示选自碳数8以上且14以下的直链或支链的烷基及碳数8以上且14以下的直链或支链的烯基中的至少1种，EO表示亚乙氧基，n是EO的平均加成摩尔数并且为5以上且12以下的数，PO表示亚丙氧基，m是PO的平均加成摩尔数并且为0以上且4以下的数。本专利技术在其他方案中涉及一种树脂掩膜的去除方法，其包括利用本专利技术的清洗剂组合物将附着有树脂掩膜的被清洗物进行清洗的工序。本专利技术在其他方案中涉及一种电子部件的制造方法，其包括利用本专利技术的清洗剂组合物将附着有树脂掩膜的被清洗物进行清洗的工序。本专利技术在其他方案中涉及一种本专利技术的清洗剂组合物的用途，其用于制造电子部件。本专利技术在其他方案中涉及一种套件，其用于本专利技术的去除方法及本专利技术的电子部件的制造方法中的任一者，构成本专利技术的清洗剂组合物的成分A～C之中，以互不混合的状态包含含有成分A的第一液与含有成分B的第二液，第一液及第二液中的至少一者还含有成分C。专利技术的效果根据本专利技术，在一个方案中可提供一种树脂掩膜去除性优异且排水处理负担较小的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。具体实施方式本专利技术基于以下见解：通过使用含有无机碱(成分A)、规定的表面活性剂(成分B)及水(成分C)的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，从而即便排水处理负担较低，也能够效率良好地去除树脂掩膜、尤其是经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜。本专利技术进而基于以下见解：通过使清洗剂组合物中不含有含氮化合物及含磷化合物，能够抑制湖沼等的富营养化。即，本专利技术在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物(以下，也称为“本专利技术的清洗剂组合物”)，其含有无机碱(成分A)、上述通式(I)所示的表面活性剂(成分B)及水(成分C)，成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下。根据本专利技术，可提供一种树脂掩膜去除性优异且排水处理负担较小的清洗剂组合物。因此，本专利技术的清洗剂组合物即便排水处理负担较低，也能够效率良好地去除树脂掩膜、尤其是经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜。并且，通过使用本专利技术的清洗剂组合物，能够以较高的产率获得高品质的电子部件。进而，通过使用本专利技术的清洗剂组合物，能够效率良好地制造具有微细配线图案的电子部件。虽然本专利技术的清洗剂组合物的效果的详细作用机理尚有不明确的部分，但作如下推断。通常，树脂掩膜的剥离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有无机碱即成分A、下述通式(I)所示的表面活性剂即成分B及水即成分C，/n成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下；/nR

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 JP 2017-2363681.一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有无机碱即成分A、下述通式(I)所示的表面活性剂即成分B及水即成分C，
成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下；
R1-O-(EO)n(PO)m-H(I)
其中，式(I)中，R1表示选自碳数8以上且14以下的直链或支链的烷基及碳数8以上且14以下的直链或支链的烯基中的至少1种，EO表示亚乙氧基，n是EO的平均加成摩尔数并且为5以上且12以下的数，PO表示亚丙氧基，m是PO的平均加成摩尔数并且为0以上且4以下的数。


2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物的使用时的成分A的含量为0.1质量％以上且15质量％以下，
清洗剂组合物的使用时的成分B的含量为0.0001质量％以上且10质量％以下。


3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物的使用时的成分C的含量为84质量％以上且99.5质量％以下。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗剂组合物，其中，清洗剂组合物的使用时的有...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保元气，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP