光刻胶剥离液及剥离装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光刻胶剥离液及剥离装置；所述光刻胶剥离液包括化合物A，通过采用化合物A，所述光刻胶剥离液能溶解基板上的光刻胶同时并保障其能被水洗除去；所述剥离装置包括依次对基板进行一次剥离、二次剥离及水洗的剥离单元、过渡单元及水洗单元，其中所述过渡单元的内设置有用于二次剥离过程的本发明专利技术所述的光刻胶剥离液；本发明专利技术所述剥离装置能实现对基板的剥离和水洗的双重功效。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶剥离液及剥离装置
本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种光刻胶剥离液及剥离装置。
技术介绍
目前，光刻胶(photoresist，PR)主要采用对特定光刻胶有溶解能力的光刻胶剥离液进行剥离。一般而言，一基板上95％以上的光刻胶能够在剥离腔室中被除去，但仍有少量的光刻胶以溶解态的形式吸附在所述基板表面或以蒸汽的形式弥散在腔室中。上述吸附在所述基板表面或以蒸汽的形式弥散在腔室中的光刻胶在后续的水洗过程中会快速被稀释，进而析出回粘到所述基板表面，最终会影响TFT器件的品质。因此，亟需提供一种光刻胶剥离液及剥离装置，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述问题，提供一种光刻胶剥离液及剥离装置。所述光刻胶剥离液包括化合物A，利用所述化合物A的疏水基和亲水基的特性，能实现溶解所述基板上残留的光刻胶并保障所述光刻胶剥离液能被水洗除去的目的；所述剥离装置通过设置采用本专利技术所述光刻胶剥离液的过渡单元以及排气装置，能实现剥离水洗的双重效果并能防止药液遇冷回流到基板上。为了实现上述目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶剥离液，其特征在于，所述光刻胶剥离药液包括分子量在1000以下的化合物A，所述化合物A的分子结构包括至少一疏水基以及至少一与所述疏水基连接的亲水基；其中，所述亲水基为中性或弱碱性基团，所述疏水基为取代或未取代的直链或支链烷基、环烷基或芳香基。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶剥离液，其特征在于，所述光刻胶剥离药液包括分子量在1000以下的化合物A，所述化合物A的分子结构包括至少一疏水基以及至少一与所述疏水基连接的亲水基；其中，所述亲水基为中性或弱碱性基团，所述疏水基为取代或未取代的直链或支链烷基、环烷基或芳香基。


2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于，所述疏水基选自8-20个碳原子的直链或支链烷烃、8-16个碳原子的环状烷基或8-16个碳原子的苯基中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于，所述亲水基选自氨基、酰胺基、羟基、醚氧基、磺酸基或羧基中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的光刻胶剥离药剂，其特征在于，所述光刻胶剥离液呈中性或弱碱性。


5.一种剥离装置，用于去除基板上的光刻胶，所述剥离装置包括剥离单元和水洗单元，所述基板依次进入所述剥离单元和所述水洗单元中进行一次剥离过程和水洗过程，其特征在于，在所述剥离单元和所述水洗单元之间设置一过渡单元，所述过渡单元为对所述基板进行二次剥离过程的场所，并且所述过渡单元内设置有用于二次剥离过程的第二剥离液，所述第二剥离液为权利要求1-4中任一项所述的光刻胶剥离液。


6.根据权利要求5所述的剥离装置，其特征在于，所述剥离单元和/或所述过渡单元包括一排气装置，所述排气装置包括：
一排气罩，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：任学超，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44