【技术实现步骤摘要】
光刻润湿液及其应用
本专利技术涉及光刻润湿液及其应用。
技术介绍
光刻工艺在半导体芯片制造中起着至关重要的作用,主要包括光刻胶旋涂,曝光,显影和清洗等步骤。14nm之前的光刻工艺,显影后直接用超纯水做旋干处理后即可进入下道工序。但随着技术节点和集成度的快速提高,图案的极限细微化不仅对光刻胶的性能提出更高的要求,同时对显影后光阻图案的要求也变得更为苛刻。尤其是14纳米及以下工艺节点,随着线宽的极度缩小和深宽比的增大,很容易因光阻的倒塌而造成缺陷,此外,曝光后的线边粗糙度LER(lineedgeroughness)和线端粗糙度LWR(linewidthroughness)也需要更为精准的控制,以避免良品率恶化。
技术实现思路
为了进一步降低光阻倒塌率和改善图案粗糙度,以形成更为精细和完整的光阻图案,达到工艺要求的技术指标,提升良品率和可靠性,本专利技术提供一种光刻润湿液,其含有水、有机碱和活性剂;所述有机碱为胍类有机碱或哌嗪类有机碱;所述活性剂为EO/PO嵌段共聚物与水溶性聚合物的组合物。优选的,所述 ...
【技术保护点】
1.光刻润湿液,其特征在于,其含有水、有机碱和活性剂;/n所述有机碱为胍类有机碱或哌嗪类有机碱;/n所述活性剂为EO/PO嵌段共聚物与水溶性聚合物的组合物。/n
【技术特征摘要】
1.光刻润湿液,其特征在于,其含有水、有机碱和活性剂;
所述有机碱为胍类有机碱或哌嗪类有机碱;
所述活性剂为EO/PO嵌段共聚物与水溶性聚合物的组合物。
2.根据权利要求1所述的光刻润湿液,其特征在于,所述胍类有机碱选自单胍及其衍生物,化学结构式如下:
其中,R1、R2、R3各自独立地为H、烃基或杂环取代基;
或者,所述胍类有机碱选自双胍及其衍生物,化学结构式如下:
其中,Ra、Rb、Rc、Rd各自独立地为H、烃基、芳香基团或杂环取代基。
3.根据权利要求1所述的光刻润湿液,其特征在于,所述哌嗪类有机碱选自哌嗪及其衍生物,化学结构式如下:
其中,Rs1、Rs2各自独立地为H、甲基、乙基、氨基、羟甲基或羟乙基。
4.根据权利要求1所述的光刻润湿液,其特征在于,所述EO/PO嵌段共聚物的通式如下:
RO-[-(EO)m(PO)n-]-H
其中,R为碳原子数5-20的烃链,m为EO的重复单元数,n为PO的重复单元数...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋伟红,余伟,
申请(专利权)人:常州时创新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。