光刻胶剥离剂组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶剥离剂组合物，其包含：至少一种胆碱化合物；至少一种极性非质子溶剂；以及水。按组合物的总重量计，胆碱化合物的重量百分比为2.5‑50重量％，优选为5‑50重量％，更优选为7‑30重量％，并且最优选为9‑18重量％。该光刻胶剥离剂组合物表现出优异的光刻胶清洁性能和对基板的低蚀刻作用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻胶剥离剂组合物
本专利技术涉及一种光刻胶剥离剂组合物。根据本专利技术的光刻胶剥离剂组合物包含至少一种胆碱化合物；至少一种极性非质子溶剂；以及水；按组合物的总重量计，胆碱化合物的重量百分比为2.5-50重量％，优选为5-50重量％，更优选为7-30重量％，并且最优选为9-18重量％。根据本专利技术的光刻胶剥离剂组合物表现出优异的光刻胶清洁性能和对基板的低蚀刻作用。
技术介绍
液晶显示器(LCD)已被广泛用于各种电子设备，例如移动电话、电视、数码相机、膝上型电脑和笔记本电脑的显示屏。传统的液晶显示器(LCD)面板包括层压在前玻璃面板与后玻璃面板之间的液晶层。在后玻璃面板上形成薄膜晶体管阵列基板(TFT阵列基板)，以驱动液晶的旋转并控制每个像素的显示，而滤色(CF)层沉积在前玻璃上，形成每个像素的颜色。另外，可以任选地在CF层上方沉积外涂层(OC)层，为CF层带来平坦度。近年来，研发出了一种新的LCD面板。CF层集成到TFT阵列基板中。这种新型LCD面板具备许多优点，例如，提高的对比度、增大的孔径比、减少的对齐误差和漏光。新型LCD面板中的CF层含有与彩色颜料结合的光刻胶材料。不过，CF层中的颜料有时没有适当地分布，使得CF层的颜色变得不均匀。因此，这会让包括TFT阵列基板的LCD面板变得不适用，而且还会导致不希望的成本和浪费。此外，新的趋势是将OC层也集成到TFT阵列基板中。OC层覆盖CF层并含有可以与CF层中的光刻胶材料相同或不同的光刻胶材料。如果CF层中存在有任何缺陷，则需要将OC层与CF层一起剥离。已经研发出了用于从TFT阵列基板上去除光刻胶材料的多种光刻胶清洁剂。相比起传统的清洁剂，TFT阵列基板的光刻胶清洁剂的要求更高。例如，为了使TFT阵列基板可再加工，光刻胶清洁剂必须能够有效地从TFT阵列基板上去除光刻胶材料，同时还不会损坏布置在CF层下方的TFT阵列基板中的金属电极。此外，大多数可获得的光刻胶清洁剂针对的是正性光刻胶材料。正性光刻胶材料通常以微弱的程度粘附到基板。它更容易溶解并且更容易在丙酮或碱性溶液中去除。另一方面，负性光刻胶材料在固化时进行交联反应，因而在固化后在基板上形成了比正性光刻胶材料强得多的聚合物。因此，与正性光刻胶材料相比，负性光刻胶材料更难以去除。市场上的许多光刻胶清洁剂都是基于四甲基氢氧化铵(TMAH)。含有TMAH的清洁剂的清洁性能不够好。更重要的是，TMAH是有毒的，并对环境和一直暴露于其的工人的健康不利。因此，需要研发出一种具有出色的光刻胶清洁性能、针对TFT阵列基板中的金属电极(例如铜)的低蚀刻以及对健康低毒性的光刻胶清洁剂。
技术实现思路
本专利技术涉及一种光刻胶剥离剂组合物，包含：(a)至少一种胆碱化合物；(b)至少一种极性非质子溶剂；以及(c)水；按组合物的总重量计，胆碱化合物的重量百分比为2.5-50重量％，优选为5-50重量％，更优选为7-30重量％，并且最优选为9-18重量％。该光刻胶剥离剂组合物具有高的光刻胶清洁效率并且具有对TFT阵列基板中的金属电极的低蚀刻。本专利技术还涉及一种制备光刻胶剥离剂组合物的方法，包括将光刻胶剥离剂组合物的各组分混合的步骤。本专利技术还涉及一种使用光刻胶剥离剂组合物去除覆盖在基板上的光刻胶材料而获得的基板。本专利技术还涉及一种光刻胶剥离剂组合物的光刻胶清洁性能评估方法，包括以下步骤：(a)加热光刻胶剥离剂组合物；(b)将被光刻胶材料覆盖的基板浸泡在加热的光刻胶剥离剂组合物中；(c)用水漂洗基板；并且(d)观察基板表面的光刻胶材料的去除。本专利技术还涉及一种光刻胶剥离剂组合物的金属蚀刻评估方法，包括以下步骤：(a)测量金属基板的厚度(ω)和初始电阻率(Rs(pre))；(a)加热光刻胶剥离剂组合物；(c)将金属基板浸泡在加热的光刻胶剥离剂组合物中并记录浸泡时间(t)；(d)测量金属基板的后电阻率(Rs(post))；并且(e)根据以下式计算金属蚀刻速率(ER)：ER＝Rs(pre)ω(1/Rs(pre)-1/Rs(post))/t。本专利技术还涉及一种光刻胶剥离剂组合物的稳定性测试，包括以下步骤：(a)加热光刻胶剥离剂组合物；(b)将被光刻胶材料覆盖的基板浸泡在加热的光刻胶剥离剂组合物中；(c)用水漂洗基板；(d)观察基板表面的光刻胶材料的去除；并且(e)按照预定时间间隔，对被光刻胶材料覆盖的新基板重复步骤(b)、(c)和(d)。附图说明图1示出了在显微镜下以75倍的放大倍数观察到的，在由实施例1中光刻胶剥离剂组合物清洁之后的TFT阵列基板的表面；图2示出了在显微镜下以75倍的放大倍数观察到的，在由实施例4中光刻胶剥离剂组合物清洁之后的TFT阵列基板的表面；图3示出了在显微镜下以75倍的放大倍数观察到的，在由实施例10中光刻胶剥离剂组合物清洁之后的TFT阵列基板的表面；图4示出了在显微镜下以75倍的放大倍数观察到的，在由实施例14中光刻胶剥离剂组合物清洁之后的TFT阵列基板的表面；以及图5示出了在显微镜下以75倍的放大倍数观察到的，在由实施例17中光刻胶剥离剂组合物清洁之后的TFT阵列基板的表面。具体实施方式在以下段落中将更详细地描述本专利技术。如此描述的每个方面可以与任何其他一个或多个方面组合，除非有明确的相反教导。特别地，任何指明为优选或有利的特征可以与指明为优选或有利的任何其他一个或多个特征组合。在本专利技术的上下文中，除非上下文另有指示，否则将根据以下定义来解释所使用的术语。如本文所用，单数形式“一个”和“该”包括单数和复数指代物，除非上下文另有明确指出。如本文所用，术语“包含(comprising)”、“包含(comprises)”和“包含(comprisedof)”与“包括(including)”、“包括(includes)”或“含有(containing)”、“含有(contains)”同义，并且是包括性的或开放式的，没有排除另外的未叙述成员、要素或工艺步骤。数值端点的叙述包括相应范围内的所有数字和分数，以及所列举的端点。本说明书中引用的所有参考文献的全部内容均通过引用的方式并入本文。除非另有定义，否则用于公开本专利技术的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的含义。通过进一步的指导，包括术语定义是为了更好地理解本专利技术的教导。在本公开的上下文中，应利用多个术语。根据本专利技术的术语“质子溶剂”是指含有与氧或氮连接的氢从而能够形成氢键或供给质子的溶剂。根据本专利技术的术语“极性非质子溶剂”是指不含酸性氢并且不充当氢键供体的极性溶剂。胆碱化合物本专利技术的胆碱化合物是指以氢氧化物或盐形式的胆碱化合物或胆碱衍生物化合物。胆碱化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光刻胶剥离剂组合物，包含：/n(a)至少一种胆碱化合物；/n(b)至少一种极性非质子溶剂；以及/n(c)水；/n其中按所述组合物的总重量计，所述胆碱化合物的量为2.5-50重量％。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.光刻胶剥离剂组合物，包含：
(a)至少一种胆碱化合物；
(b)至少一种极性非质子溶剂；以及
(c)水；
其中按所述组合物的总重量计，所述胆碱化合物的量为2.5-50重量％。


2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述胆碱化合物选自氢氧化胆碱、胆碱碳酸氢盐、氯化胆碱、酒石酸氢胆碱、柠檬酸二氢胆碱、硫酸胆碱及其任意组合。


3.根据权利要求1或2所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述胆碱化合物具有连接到中心氮的一个羟乙基。


4.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中按所述组合物的总重量计，所述胆碱化合物的量为5-50重量％，优选为7-30重量％，更优选为9-18重量％。


5.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中按所述组合物的总重量计，所述水的量大于或等于11重量％，优选大于或等于13重量％，并且更优选为13重量％至87.5重量％。


6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中按所述组合物的总重量计，所述极性非质子溶剂的量为10-90重量％，优选为15-85重量％，并且更优选为15-75重量％。


7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述极性非质子溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、碳酸丙烯酯及其任何组合。


8.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其还包含至少一种碱性物质。


9.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述碱性物质为弱碱性物质，优选地，当溶于25℃的水中时，其pKa值为2至12，并且更优选pKa值为7至11。


10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻胶剥离剂组合物，其中所述碱性物质选自碳酸氢钠、碳酸氢钾、碳酸钠、碳酸钾、碳酸钙、碳酸镁、氢氧化钙、氢氧化镁、氨基吡啶、丁胺、氨基磺胺、二乙醇胺、二甲胺、二甲基咪唑、麻黄碱、乙醇胺、乙基吗啉、甘氨酰甘氨酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王腾芳，王勇军，
申请(专利权)人：汉高股份有限及两合公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE