System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 用于具有优异高温性能的3D TSV封装用非导电膜的树脂组合物制造技术_技高网

用于具有优异高温性能的3D TSV封装用非导电膜的树脂组合物制造技术

技术编号:41298544 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-13 14:46
本发明专利技术涉及用于形成膜的组合物和所述膜在三维硅通孔(3D TSV)封装中的用途。在某些方面中,本发明专利技术涉及包含一种或多种树脂、一种或多种具有潜在热活性的咪唑化合物、一种或多种无机填料和一种或多种添加剂的组合物;由所公开的组合物制备的B阶段膜;和在所公开的组合物固化之后获得的固化膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的方面涉及用于形成膜的组合物和所述膜在三维硅通孔(3dtsv)封装中的用途。在某些方面中,本专利技术涉及包含一种或多种树脂、一种或多种具有潜在热活性的咪唑化合物、一种或多种无机填料和一种或多种添加剂的组合物;由所公开的组合物制备的b阶段膜;和在所公开的组合物固化之后获得的固化膜。在某些方面中,在所公开的组合物固化之后获得的固化膜具有特定物理性质和/或物理性质的组合。在某些方面中,本专利技术涉及由所公开的组合物制备的底部填充膜,例如晶圆级底部填充膜(wauf)。所公开的膜的实施方案适用于例如热压键合工艺中。


技术介绍

1、在寻求下一代高效能3dtsv封装时,材料行业面临着提高膜材料(例如,底部填充膜材料)的高温性能的需要。该目标的实现可带来这样的益处,例如较高热稳定性和因此在汽车、计算、网络化和电信行业的应用中的较高可靠性。可与膜材料提高的高温性能相关的特征包括相对高的tg(玻璃化转变温度)、相对低的cte(热膨胀系数)和在例如250℃下相对高的模量。

2、在热压键合工艺中,在使用由包含含马来酰亚胺树脂的某些传统树脂组合物制备的膜中已遇到问题。例如,在一些情况下,由包含含马来酰亚胺树脂的某些传统树脂组合物制备的b阶段膜可具有小于100℃至150℃的dsc起始温度。当此类b阶段膜用于键合头接触温度变成100℃至150℃(例如,在键合头接触温度为130℃至210℃的过程中发生)的热压键合工艺时,焊点处可出现材料截留问题。在其他情况下,由包含含马来酰亚胺树脂的传统树脂组合物制备的b阶段膜的dsc起始温度可大于焊料(例如无铅焊料)的熔融温度,例如大于例如217℃的dsc起始温度。当此类b阶段膜用于热压键合工艺时,在一些情况下,可出现焊料挤出问题。在一些情况下,在由包含一种或多种含马来酰亚胺树脂的传统树脂组合物制备的b阶段膜从dsc起始温度到dsc峰值温度的δt为例如大于20℃,例如约40℃时,也可出现焊料挤出问题。


技术实现思路

1、至少鉴于上文所论述的考虑因素,对包含一种或多种树脂、一种或多种无机填料和一种或多种添加剂的组合物;由所述组合物制备的b阶段膜;和在所述组合物固化之后获得的固化膜存在兴趣,其中所述组合物包含一种或多种具有潜在热活性的咪唑化合物。如本文所用,具有潜在热活性的咪唑化合物是指一种咪唑化合物,当其以0.20g的量与1.0g的nc-3000-l环氧树脂(nippon kayaku)组合时得到一种组合物,该组合物当在tainstruments热分析仪dsc q20上在n2中,以10℃/分钟的斜升速率从室温到300℃测量时,表现出至少145℃的dsc起始温度和至少150℃的dsc峰值温度。例如,在一些实施方案中,具有潜在热活性的咪唑化合物在如刚刚所描述进行分析时表现出至少145℃、至少150℃、至少155℃、至少160℃、至少165℃、至少170℃、至少175℃或至少180℃的dsc起始温度。例如,在一些实施方案中,具有潜在热活性的咪唑化合物在如刚刚所描述进行分析时表现出145℃至180℃,例如145℃至175℃、145℃至170℃、145℃至160℃、150℃至180℃、150℃至175℃、150℃至170℃、150℃至160℃、155℃至175℃、155℃至170℃或155℃至165℃的dsc起始温度。在一些实施方案中,具有潜在热活性的咪唑化合物在如刚刚所描述分析时表现出至少150℃、至少155℃、至少160℃、至少165℃、至少170℃、至少175℃或至少185℃的dsc峰值温度。例如,在一些实施方案中,具有潜在热活性的咪唑化合物在如刚刚所描述进行分析时表现出150℃至185℃,例如150℃至180℃、150℃至175℃、150℃至170℃、150℃至165℃、150℃至160℃、160℃至180℃、165℃至175℃或160℃至170℃的dsc峰值温度。

2、为避免疑问,应理解,如刚刚所描述制备和测量的组合物(即,包含0.20g的具有潜在热活性的咪唑化合物和1.0g的nc-3000-l环氧树脂(nippon kayaku)的组合物)所表现出的dsc起始温度和/或dsc峰值温度可与通过包含具有潜在热活性的相同咪唑化合物但具有其他组分例如一种或多种树脂、一种或多种无机填料和/或一种或多种添加剂的组合物所表现出的dsc起始温度和/或dsc峰值温度相同或不同。

3、在一些实施方案中,具有潜在热活性的咪唑化合物包含至少两个吸电子基团。

4、相比之下,不构成具有潜在热活性的咪唑化合物的咪唑化合物包括如下那些咪唑化合物:当以0.20g的量与1.0g的nc-3000-l环氧树脂(nippon kayaku)组合时得到一种组合物,该组合物当在tainstruments热分析仪dsc q20上在n2中,以10℃/分钟的斜升速率从室温到300℃测量时,表现出小于145℃的dsc起始温度和小于150℃的dsc峰值温度。

5、作为非限制性说明,如上文描述分析四种咪唑化合物。具体地,进行四个独立实验。在每个实验中,将0.20g的咪唑化合物a、咪唑化合物b、咪唑化合物c和咪唑化合物d之一与1.0g的nc-3000-l环氧树脂(nippon kayaku)组合,且将所得组合物在tainstruments热分析仪dsc q20上在n2中,以10℃/分钟的斜升速率从室温到300℃测量。测量dsc起始温度和dsc峰值温度。结果列表于下文。咪唑化合物a为4-甲基-2-苯基-1h-咪唑-5-甲醇。咪唑化合物b为2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑。咪唑化合物c为2-苯基咪唑。咪唑化合物d为2-乙基-4-甲基-1h-咪唑-1-丙腈。

6、

7、1测试条件:将0.20g的每种咪唑化合物与1.0g的nc-3000-l环氧树脂(nipponkayaku)组合,并使用tainstruments热分析仪dsc q20在n2中以10℃/分钟的斜升速率从室温到300℃分析所得组合物中的每一种。

8、在本专利技术的上下文中,咪唑化合物a和咪唑化合物b为具有潜在热活性的示例性咪唑化合物,而咪唑化合物c和咪唑化合物d不被视为具有潜在热活性的咪唑化合物。如上文所示,当如上文所描述分析时,包含咪唑化合物a或咪唑化合物b的组合物各自表现出至少145℃的dsc起始温度和至少150℃的dsc峰值温度,而包含咪唑化合物c或咪唑化合物d的组合物各自表现出小于145℃的dsc起始温度和小于150℃的dsc峰值温度。

9、所公开的组合物的实施方案解决上文所论述的问题。例如,由所公开的组合物制备的底部填充膜的实施方案适用于热压键合工艺,例如用于3dtsv堆叠应用的热压键合工艺。另外,由所公开的组合物制备的底部填充膜的实施方案表现出良好的芯片角覆盖率(die corner coverage)、间隙填充和电互连接点形成中的一个或多个。

10、在一些实施方案中,本专利技术的方面涉及:

11、1.一种组合物,其包含:

12、一种或多种树脂,其选自以下组中:含马来本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合物,所述组合物包含:

2.根据权利要求1所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有以下物理性质:

3.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述具有潜在活性的咪唑化合物为包含至少两个吸电子基团的咪唑化合物。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物为包含2位上的吸电子基团的经取代的咪唑化合物,并且包含4位上的取代基、5位上的取代基和/或1位的氮上的取代基。

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个吸电子基团,所述吸电子基团独立地选自减小咪唑环上的电子密度和/或减弱咪唑化合物的反应性的有机基团。

6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个吸电子基团,所述吸电子基团独立地选自以下组中:取代或未取代的芳基;氰基(-CN);卤素(-X);-CHO;-COOH;-NR1R2,其中R1和R2中的每一个独立地选自氢原子或取代或未取代的烷基;被一个或多个独立地选自以下的基团取代的烷基:氰基(-CN)、卤素(-X)、-CHO、-COOH和-NR1R2,其中R1和R2中的每一个独立地选自氢原子或取代或未取代的烷基;以及含氧基团。

7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个独立地选自羟甲基和苯基的吸电子基团。

8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物由下式表示:

9.根据权利要求8所述的组合物,其中R2选自C1-6烷基和C6芳基。

10.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述含马来酰亚胺树脂是由下式表示的化合物:

11.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述(甲基)丙烯酸酯树脂由下式表示

12.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述环氧树脂是由下式表示的化合物:

13.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有以下物理性质:

14.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有以下物理性质:

15.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有小于20℃或小于15℃的从DSC起始温度到DSC峰值温度的ΔT。

16.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有小于10℃或小于5℃的从DSC起始温度到DSC峰值温度的ΔT。

17.一种制备固化膜的方法,所述方法包括:

18.一种制备固化膜的方法,所述方法包括:

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述一种或多种具有潜在热活性的咪唑化合物为一种或多种包含至少两个吸电子基团的咪唑化合物。

20.根据权利要求18所述的方法,其中所述一种或多种咪唑化合物由下式表示

21.根据权利要求18至20中任一项所述的方法,其中R2选自C1-6烷基和C6芳基。

22.根据权利要求18至21中任一项所述的方法,其中所述含马来酰亚胺树脂是由下式表示的化合物:

23.根据权利要求18至22中任一项所述的方法,其中所述(甲基)丙烯酸酯树脂由下式表示:

24.根据权利要求18至23中任一项所述的方法,其中所述环氧树脂是由下式表示的化合物:

25.一种固化膜,其是根据权利要求18至24中任一项所述的方法制备的。

26.一种膜,其是根据权利要求18至24中任一项所述的方法制备的,其中所述膜具有以下物理性质:

27.一种膜,其是根据权利要求18至24中任一项所述的方法制备的,其中所述膜具有以下物理性质:

28.根据权利要求25至27中任一项所述的膜,其中所述膜是底部填充膜。

29.根据权利要求25至28中任一项所述的膜,其中所述膜是晶圆级底部填充膜(WAUF)。

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种组合物,所述组合物包含:

2.根据权利要求1所述的组合物,其中在所述组合物形成膜之后,所述膜具有以下物理性质:

3.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述具有潜在活性的咪唑化合物为包含至少两个吸电子基团的咪唑化合物。

4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物为包含2位上的吸电子基团的经取代的咪唑化合物,并且包含4位上的取代基、5位上的取代基和/或1位的氮上的取代基。

5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个吸电子基团,所述吸电子基团独立地选自减小咪唑环上的电子密度和/或减弱咪唑化合物的反应性的有机基团。

6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个吸电子基团,所述吸电子基团独立地选自以下组中:取代或未取代的芳基;氰基(-cn);卤素(-x);-cho;-cooh;-nr1r2,其中r1和r2中的每一个独立地选自氢原子或取代或未取代的烷基;被一个或多个独立地选自以下的基团取代的烷基:氰基(-cn)、卤素(-x)、-cho、-cooh和-nr1r2,其中r1和r2中的每一个独立地选自氢原子或取代或未取代的烷基;以及含氧基团。

7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物包含至少两个独立地选自羟甲基和苯基的吸电子基团。

8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述咪唑化合物由下式表示:

9.根据权利要求8所述的组合物,其中r2选自c1-6烷基和c6芳基。

10.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述含马来酰亚胺树脂是由下式表示的化合物:

11.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述(甲基)丙烯酸酯树脂由下式表示

12.根据前述权利要求中任一项所述的组合物,其中所述环氧树脂是由下式表示的化合物:

13.根据前述权利要求中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:白洁卓绮茁J·S·张K·C·沈
申请(专利权)人:汉高股份有限及两合公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1