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本发明公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻...
该专利属于南京南大光电工程研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京南大光电工程研究院有限公司授权不得商用。

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