一种SE电池制备处理方法技术

本申请公开了一种SE电池制备处理方法，包括：利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片进行激光扩散处理；利用激光机台在硅片上形成与激光机台的身份信息对应的激光标识；对硅片进行刻蚀，利用丝网印刷网版对硅片进行丝网印刷，得到SE电池；对SE电池进行测试，若根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则根据异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台及异常硅片。本申请公开的上述技术方案，在通过对SE电池进行测试的测试结果和SE电池得到激光处理区域发生偏移的异常SE电池时，可以根据异常SE电池中的激光标识快速地确定出异常激光机台及异常硅片，从而便于工作人员快速地对异常激光机台进行处理。

【技术实现步骤摘要】
一种SE电池制备处理方法
本申请涉及SE电池制备
，更具体地说，涉及一种SE电池制备处理方法。
技术介绍
SE(SelectiveEmitter，选择性发射极)电池是在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度的掺杂(即对应激光处理区域)，在电极以外的区域进行低浓度的掺杂(即对应非激光处理区域)，这种选择性掺杂结构既降低了硅片和电极的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高了电池的转换效率。目前，在实现SE电池量产制备时，多是利用激光机台在扩散后的硅片上进行激光处理，然后，再进行刻蚀、丝网印刷等工艺，其中，激光处理区域的长度与金属栅线的长度保持一致，而两者在宽度上的重合度一般需要大于金属栅线宽度的50％，以便于得到偏移量比较小、良品率比较好的SE电池。但是，随着激光机台使用次数的增加或受其他因素的影响等，激光机台会出现激光振镜发生偏移、激光机台所发射的能量降低等现象，而这些现象均会导致激光处理区域发生变形、偏移等，最终会导致SE电池的良品率降低。综上所述，如何快速地确定出异常激光机台及激光扩散处理后制成中异常硅片，以便于快速地对异常激光机台进行处理，并便于对异常硅片进行返工，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的是提供一种SE电池制备处理方法，用于快速地确定出异常激光机台及激光扩散处理后制成中异常硅片，以便于快速地对异常激光机台进行处理，并便于对异常硅片进行返工。为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：一种SE电池制备处理方法，包括：利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理；利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的身份信息对应的激光标识；对所述硅片进行刻蚀，并利用丝网印刷网版对所述硅片进行丝网印刷，以得到SE电池；对所述SE电池进行EL测试和/或效率测试，若根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则根据所述异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台，并根据所述异常SE电池中的激光标识确定激光扩散处理后制成中异常硅片。优选的，利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，包括：利用所述激光机台对所述硅片表面用于制备主栅的位置及用于制备细栅的位置进行激光扩散处理。优选的，利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，包括：利用所述激光机台对所述硅片表面用于制备细栅的位置进行激光扩散处理。优选的，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的身份信息对应的激光标识，包括：利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识。优选的，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识，包括：根据所述激光机台的序号及所述激光头的标号对对应的目标细栅进行延长处理，以得到与所述激光机台的序号及所述激光头的标号对应且与所述目标细栅相连的细栅延长线。优选的，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识，包括：利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光数字标识。优选的，在利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识时，还包括：利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的工作时间对应的激光时间标识，其中，所述工作时间分为白天工作时间和晚上工作时间。优选的，在利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识时，还包括：利用所述激光机台在所述硅片上形成与操纵所述激光机台的工作人员的身份信息对应的激光识别标识。优选的，根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，包括：根据所述测试结果确定发生偏移的异常SE电池，并通过显微镜确定发生偏移的异常SE电池是否为由激光扩散处理发生偏移引起的，若是，则得到由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池；相应地，根据所述异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台及激光扩散处理后制成中异常硅片，包括：通过显微镜根据所述异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台，并通过显微镜确定激光扩散处理后制成中异常硅片。优选的，在利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，以得到激光处理区域之前，还包括：预先获取所述丝网印刷网版在使用寿命达到使用寿命上限时其网版图形的外扩尺寸最大值；其中，所述丝网印刷网版为用于在所述硅片的正面进行印刷的正面网版；对所述激光机台在所述硅片上进行激光扩散处理的初定激光中心线向外偏移所述外扩尺寸最大值的一半，以得到偏移激光中心线；相应地，利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，包括：利用所述激光机台沿所述偏移激光中心线对所述硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理。本申请提供了一种SE电池制备处理方法，包括：利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理；利用激光机台在硅片上形成与激光机台的身份信息对应的激光标识；对硅片进行刻蚀，并利用丝网印刷网版对硅片进行丝网印刷，以得到SE电池；对SE电池进行EL测试和/或效率测试，若根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则根据异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台，并根据异常SE电池中的激光标识确定激光扩散处理后制成中异常硅片。本申请公开的上述技术方案，在利用激光机台对硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理以得到激光处理区域的同时，可以利用激光机台在硅片上形成与激光机台的身份信息对应的激光标识，并在得到SE电池之后，若通过对SE电池进行EL测试和/或效率测试的测试结果和SE电池得到确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则可以根据异常SE电池中的激光标识快速、高效地确定出与之对应的激光机台的身份信息，并便于根据所确定出的身份信息确定异常激光机台，从而便于工作人员可以快速地对异常激光机台进行处理，以使得异常激光机台可以恢复正常使用或停止该异常激光机台的使用，且可以根据异常SE电池中的激光标识确定激光扩散处理后制成中异常硅片，以便于对激光扩散处理后制成中异常硅片进行返工，从而便于提高最终所制备出的SE电池的良品率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SE电池制备处理方法，其特征在于，包括：/n利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理；/n利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的身份信息对应的激光标识；/n对所述硅片进行刻蚀，并利用丝网印刷网版对所述硅片进行丝网印刷，以得到SE电池；/n对所述SE电池进行EL测试和/或效率测试，若根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则根据所述异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台，并根据所述异常SE电池中的激光标识确定激光扩散处理后制成中异常硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种SE电池制备处理方法，其特征在于，包括：
利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理；
利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的身份信息对应的激光标识；
对所述硅片进行刻蚀，并利用丝网印刷网版对所述硅片进行丝网印刷，以得到SE电池；
对所述SE电池进行EL测试和/或效率测试，若根据测试结果确定存在由激光扩散处理发生偏移引起的异常SE电池，则根据所述异常SE电池中的激光标识确定异常激光机台，并根据所述异常SE电池中的激光标识确定激光扩散处理后制成中异常硅片。


2.根据权利要求1所述的SE电池制备处理方法，其特征在于，利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，包括：
利用所述激光机台对所述硅片表面用于制备主栅的位置及用于制备细栅的位置进行激光扩散处理。


3.根据权利要求1所述的SE电池制备处理方法，其特征在于，利用激光机台对制绒且扩散处理后的硅片表面用于制备栅线的位置处进行激光扩散处理，包括：
利用所述激光机台对所述硅片表面用于制备细栅的位置进行激光扩散处理。


4.根据权利要求1所述的SE电池制备处理方法，其特征在于，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的身份信息对应的激光标识，包括：
利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识。


5.根据权利要求4所述的SE电池制备处理方法，其特征在于，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识，包括：
根据所述激光机台的序号及所述激光头的标号对对应的目标细栅进行延长处理，以得到与所述激光机台的序号及所述激光头的标号对应且与所述目标细栅相连的细栅延长线。


6.根据权利要求4所述的SE电池制备处理方法，其特征在于，利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对应的激光标识，包括：
利用所述激光机台在所述硅片上形成与所述激光机台的序号、激光头的标号对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明明，徐顺波，陈园，张绳亮，雷佳，王立富，晏鹏辉，
申请(专利权)人：江西展宇新能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36