一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺制造技术

本发明专利技术的目的在于公开一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，与现有技术相比，适用于50μm‑60μm金刚线切割单晶M2中心厚度175‑180μm的P/N型硅片，实现了金刚线切割单晶硅片自动脱胶技术，降低了脱胶过程中造成的粘胶面崩边及硅片表面脏污量，使其脱胶速率提高，并能保证单晶硅片表面脏污、硅片粘胶面崩边不良率和废水处理能力的提高，实现本发明专利技术的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺
本专利技术涉及一种适用于太阳能的预清洗工艺，特别涉及一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺。
技术介绍
太阳能单晶切片由起初的砂浆切割逐步发展为目前推广的金刚线多线切割技术，切割时间缩短，硅片表面线痕明显，导致预清洗工艺中对水质、水温和脱胶剂的要求更高。太阳能单晶硅片预清洗工艺主要是通过温水浸泡，在浸泡水中添加适量乳酸、草酸或柠檬酸来达到软化胶层的目的，此过程中需要添加大量乳酸、草酸或柠檬酸任意一种酸，虽然可解决硅片因强制脱胶造成的崩边及裂片，但脱胶刀数较少，只能通过添加酸量来暂时解决，同时大量的酸排入废水管，对后端废水处理带来了极大的困难；因此，现行的预清洗工艺成为了限制产能和产品质量的关键。因此，特别需要一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，以解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，针对现有技术的不足，提高预清洗脱胶效率，并确保在预清洗脱胶过程中有效地降低粘胶面崩边及硅片表面脏污等不良。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)通过自动下料小车(AGV)将切割完成的单晶硅棒运送到预清洗机的下料架中；2)将放置有单晶硅棒的下料架放置到设有左右两侧各三排的喷淋管槽中，利用喷淋管喷头对晶托、硅片进行均匀喷淋，去除硅片表面硅粉；3)浸泡于超声槽，通过超声波深入渗透硅片表面进行二次清洗；4)浸泡于加热的脱胶剂槽，通过鼓泡带动加热的脱胶剂混合液来回冲击粘接面，从而进行软化胶层分离硅片；5)使用纯水浸泡槽，通过流动加热的纯水反复清洗已分离的硅片；6)去除晶托及树脂板，捞出硅片进行清洗。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤2)中，喷淋的工艺条件为喷淋管安置左右两侧上下三排，喷淋的时间为250-350S，喷淋水槽的水温控制在24±2℃，喷淋的水为0.3-0.5MP。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤3)中，超声波二次清洗的工艺条件为：浸泡的水温为45±2℃，超声清洗的时间为250-300S，超声波的电流为3.5A±0.5A。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤4)中，脱胶剂软化胶层分离硅片的工艺条件为：脱胶剂与纯水的配比为d15％-17％，纯水的电阻率≥16MΩ.cm，混合液的水温为d60±2℃，鼓泡的为气压为0.3-0.5MP，浸泡的时间为200-300S。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤4)中，脱胶剂为有机酸、螯合剂、渗透剂、表面活性剂和纯水的混合液。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤5)中，纯水浸泡的工艺条件为：使用电阻率≥16MΩ.cm纯水，纯水的温度为40±2℃，溢流量≤3LPM，浸泡的时间为150-200S。在本专利技术的一个实施例中，上述步骤6)中，捞出硅片的工艺条件为：硅片与树脂板完全分离。本专利技术的适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，与现有技术相比，适用于50μm-60μm金刚线切割单晶M2中心厚度175-180μm的P/N型硅片，实现了金刚线切割单晶硅片自动脱胶技术，降低了脱胶过程中造成的粘胶面崩边及硅片表面脏污量，使其脱胶速率提高，并能保证单晶硅片表面脏污、硅片粘胶面崩边不良率和废水处理能力的提高，实现本专利技术的目的。本专利技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。附图说明图1为本专利技术的适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。实施例根据图1所示，本专利技术提供的适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，包括如下步骤：1)使用金刚线切片机，布置680mm长的金刚线网，金刚线直径为50μm-60μm，切割长度为680mm长的单晶硅棒，硅片厚度在175μm-180μm中心厚度，单根硅棒可切割≥2400片硅片，切割完成后将硅棒通过AGV小车运送到预清洗上料端；2)切割完成的硅单晶硅棒使用机械手传送到喷淋槽1中，固定在两侧壁上的6根喷淋管分别对单晶硅棒进行冲洗，喷淋的压力为0.3-0.5MP，可使用回用水或自来水间断性每槽喷淋300s；3)经过2个喷淋槽1后，将切割完成的单晶硅棒移动至超声槽2中，在经过喷淋后绝大多数硅粉已冲洗，再通过超声波二次清洗表面硅粉，超声冲洗的水温为45±2℃，超声清洗的时间为250S，超声波的电流为3.5A±0.5A；4)经过2个超声槽2后，将已超声好的单晶硅棒浸泡至脱胶槽3中，通过鼓泡将浓度为15％-17％、温度60℃的脱胶剂和纯水的混合液不断冲泡粘接面，软化胶水，使硅片和胶层分离；5)经过2个脱胶槽3后，将已分离好的单晶硅棒浸泡至纯水槽4中，使用电阻率≥16MΩ.cm纯水,纯水的温度为40±2℃，溢流量≤3LPM，浸泡的时间为200S。6)经过2个纯水槽4后，去除晶托及树脂板捞出已分离的硅片，进入清洗进一步精洗。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内，本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n1)通过自动下料小车(AGV)将切割完成的单晶硅棒运送到预清洗机的下料架中；/n2)将放置有单晶硅棒的下料架放置到设有左右两侧各三排的喷淋管槽中，利用喷淋管喷头对晶托、硅片进行均匀喷淋，去除硅片表面硅粉；/n3)浸泡于超声槽，通过超声波深入渗透硅片表面进行二次清洗；/n4)浸泡于加热的脱胶剂槽，通过鼓泡带动加热的脱胶剂混合液来回冲击粘接面，从而进行软化胶层分离硅片；/n5)使用纯水浸泡槽，通过流动加热的纯水反复清洗已分离的硅片；/n6)去除晶托及树脂板，捞出硅片进行清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：
1)通过自动下料小车(AGV)将切割完成的单晶硅棒运送到预清洗机的下料架中；
2)将放置有单晶硅棒的下料架放置到设有左右两侧各三排的喷淋管槽中，利用喷淋管喷头对晶托、硅片进行均匀喷淋，去除硅片表面硅粉；
3)浸泡于超声槽，通过超声波深入渗透硅片表面进行二次清洗；
4)浸泡于加热的脱胶剂槽，通过鼓泡带动加热的脱胶剂混合液来回冲击粘接面，从而进行软化胶层分离硅片；
5)使用纯水浸泡槽，通过流动加热的纯水反复清洗已分离的硅片；
6)去除晶托及树脂板，捞出硅片进行清洗。


2.如权利要求1所述的适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，其特征在于，上述步骤2)中，喷淋的工艺条件为喷淋管安置左右两侧上下三排，喷淋的时间为250-350S，喷淋水槽的水温控制在24±2℃，喷淋的水为0.3-0.5MP。


3.如权利要求1所述的适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，其特征在于，上述步骤3)中，超声波二次清洗的工艺条件为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓俊，赵洪军，张琳，单明，赵振发，王毅，李龙，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，黄河水电西宁太阳能电力有限公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61