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本发明的目的在于公开一种适用于太阳能单晶切片的预清洗工艺，与现有技术相比，适用于50μm‑60μm金刚线切割单晶M2中心厚度175‑180μm的P/N型硅片，实现了金刚线切割单晶硅片自动脱胶技术，降低了脱胶过程中造成的粘胶面崩边及硅片表面脏...该专利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。